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| 2012-02-13 | TI低侧栅极驱动器LM5114带来高效率与高电源密度 TI推出用于配合高密度电源转换器中MOSFET与氮化镓功率场效应晶体管使用的低侧栅极驱动器。LM5114可驱动同步整流器与功率因数转换器等低侧应用中的GaN FET与MOSFET。 |
| 2011-08-19 | 宜普全新开发板EPC9004帮助开发电源转换系统 宜普电源转换公司宣布推出EPC9004开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品，其应用范围广泛，如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电系统和同步整流器。 |
| 2011-08-18 | 宜普第二代eGaN FET最新产品EPC2012出炉 宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS条例。 |
| 2011-05-10 | 美科学家研究超导场效应晶体管取得重大进展 美科学家研究超导场效应晶体管取得重大进展 |
| 2011-05-06 | Diodes为PMIC推出专用保护接口AP9050 Diodes推出AP9050专用保护接口，为新一代电源管理IC (PMIC) 提供过压保护。新器件包含一个LDO稳压器和一个N沟道功率场效应晶体管（FET），能够妥善控制供给PMIC的电流。 |
| 2010-07-19 | ADI发布ADP2119和ADP2120两款DC/DC开关调节器 Analog Devices, Inc. (ADI)推出集成电源管理开关调节器系列的两款 DC/DC 开关调节器 ADP2119和ADP2120。这些高度集成的2A/1.25A 降压 DC/DC 同步调节器内置低导通电阻开关 FET（场效应晶体管），可提供高达93%的电源转换效率。 |
| 2009-10-30 | 安森美推出24款MOSFET，适合计算机和游戏机应用 安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET 采用DPAK、SO-8FL、μ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。 |
| 2009-09-17 | ADI高精密度JFET输入运算放大器ADA4627出炉 Analog Devices, Inc.最新推出一款紧凑型、36V 精密 JFET输入（结型场效应晶体管输入）运算放大器，在宽温度范围内具有业界最低噪声和失真。 |
| 2009-09-16 | ADI推出紧凑型36V高精密度JFET输入运算放大器ADA4627 Analog Devices, Inc.最新推出一款紧凑型、36V 精密 JFET输入（结型场效应晶体管输入）运算放大器，在宽温度范围内具有业界最低噪声和失真。 |
| 2009-09-16 | ADI发布高精密度JFET输入运算放大器ADA4627 Analog Devices, Inc.最新推出一款紧凑型、36V 精密 JFET输入（结型场效应晶体管输入）运算放大器，在宽温度范围内具有业界最低噪声和失真。 |
| 2009-09-15 | ADI推出高精密度JFET输入运算放大器ADA4627 Analog Devices, Inc.最新推出一款紧凑型、36V 精密 JFET输入（结型场效应晶体管输入）运算放大器，在宽温度范围内具有业界最低噪声和失真。 |
| 2008-12-29 | 超越硅材料的极限! IBM研究出速度最快的石墨烯场效应晶体管 超越硅材料的极限! IBM研究出速度最快的石墨烯场效应晶体管 |
| 2008-12-26 | IBM研发出最快的石墨烯晶体管，超越硅材料的极限 IBM研发出最快的石墨烯晶体管，超越硅材料的极限 |
| 2008-09-26 | 我国首个ZnO纳米棒场效应晶体管在研制成功 我国首个ZnO纳米棒场效应晶体管在研制成功 |
| 2008-04-16 | SUNX上市精度为±3.0%F.S.的流量传感器FM-200系列 AvagoTechnologies(安华高科技)日前宣布，推出业内封装尺寸最小的场效应晶体管(FET,FieldEffectTransistor)产品，尺寸大小仅1.0x0.5x0.25mm。 |
| 2008-04-16 | 安华高推出最小场效应晶体管VMMK-1225 安华高推出最小场效应晶体管VMMK-1225 |
| 2008-04-16 | 安华高推出新款FET产品VMMK-1225，尺寸大小仅1.0x0.5x0.25mm Avago Technologies(安华高科技)宣布，推出封装尺寸最小的场效应晶体管(FET)产品，尺寸大小仅1.0 x 0.5 x 0.25 mm，这些超小型低厚度分立式低噪器件占用空间只有标准SOT-343封装的5%以下，新推出的VMMK-1218和-1225采用Avago创新的芯片级封装技术。 |
| 2007-11-30 | 使用HEXRISE程序计算功率MOSFET的温度变化趋势 Hexrise是国际整流器(IR)公司的建立热模型的程序，用于该公司的大功率场效应晶体管MOSFET，它计算出在电流为几种不同波形时半导体结的温度上升数值。Hexrise计算在比较短的时间内器件的温度达到稳态值的情况下半导体结温度上升的数值。它利用产品说明书中提供的瞬态热参数进行计算。这些参数也是在该公司的器件评价实验室实际测量得到的。可以从公司的网站下载得到Hexrise。 |
| 2007-10-17 | 东芝发布Ku波段氮化镓功率场效应晶体管 东芝发布Ku波段氮化镓功率场效应晶体管 |
| 2007-10-15 | 东芝发布具有世界上最高Ku波段输出功率的氮化镓功率场效应晶体管 东芝发布具有世界上最高Ku波段输出功率的氮化镓功率场效应晶体管 |
| 2007-10-15 | 东芝推出Ku波段功率场效应晶体管 东芝推出Ku波段功率场效应晶体管 |
| 2007-09-18 | 功率MOSFET简介及其应用 如今的高压功率MOSFET是N通道增强模式双扩散金属氧化物硅场效应晶体管。高压功率MOSFET的功能和NPN双极结晶体管是一样的，只不过前者是电压控制型，而后者是电流控制型双极器件。 |
| 2007-07-31 | 服务器的冗余电源技术 冗余电源是高可用系统中关键的部分。在最简单的解决方案中，两只电源可以利用二极管来通过或门输出以驱动负载。这样，这两只电源既可以共同工作，也可以一只工作，一只备用。场效应晶体管(FET) ORing控制器是一款更实用的解决方案，因为它避免了二极管电压降、功率损耗以及热损耗。 |
| 2007-07-13 | 新日本无线开始发放双通道J-FET输入运算放大器NJM2749/2749A的样品 新日本无线目前已经可以发放双通道J-FET输入运算放大器NJM2749/2749A的样品。NJM2749/2749A是通过采用J-FET(Junction Field-Effect Transistor：结型场效应晶体管)作为输入端，实现了低输入偏置电流50pA typ.，高输入阻抗和高转换率13V/μs，同时还具有低输入失调电压(0.8mV typ)以及低失调温度漂移(6μV/℃ typ.)特点的J-FET输入运算放大器。 |
| 2007-07-05 | 新日本无线推出低失调低漂移J-FET输入运放 新日本无线目前已经可以发放双通道J-FET输入运算放大器NJM2749/2749A的样品。NJM2749/2749A是通过采用J-FET(Junction Field-Effect Transistor：结型场效应晶体管)作为输入端，实现了低输入偏置电流50pA typ.，高输入阻抗和高转换率13V/μs，同时还具有低输入失调电压(0.8mV typ)以及低失调温度漂移(6μV/℃ typ.)特点的J-FET输入运算放大器。 |
| 2007-06-29 | 最新导电聚合物合成成功，可用于太阳能电池技术 中科院化学所有机固体院重点实验室研究人员与美国佐治亚理工大学科研人员合作，设计合成了既具有高电子迁移率又具有宽波段吸收的n-型黑色导电聚合物，并用它构筑了高操作性能的有机场效应晶体管和全聚合物太阳能电池。 |
| 2007-06-26 | IMEC、英飞凌推进32nm工艺进展，打造三维MugFET 在日本东京举办的超大规模集成电路研讨会(VLSI Symposium)上，半导体研究中心IMEC发布了一项该公司在32纳米以下工艺技术的重大进展。所提出的报告重点介绍多栅极场效应晶体管(MugFET)，英飞凌称，这是已经实现的多项研究结果中的最大成果。 |
| 2007-06-25 | IMEC携手英飞凌取得重大技术突破，将多栅极晶体管推向新的维数 IMEC携手英飞凌取得重大技术突破，将多栅极晶体管推向新的维数 |
| 2007-04-23 | NEC电子汽车用大电流驱动功率MOSFET投产 NEC电子投产了流经电流达业内最高水平的功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），并已从2007年4月10日开始以“NP180N04”为商品名供应样品。 |
| 2007-04-20 | NEC电子汽车用大电流驱动功率MOSFET投产 NEC电子投产了流经电流达业内最高水平的功率MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），并已从2007年4月10日开始以“NP180N04”为商品名供应样品。 |
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