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| 2010-11-03 | 赛灵思堆叠硅片互联技术 超越摩尔定律 赛灵思堆叠硅片互联技术 超越摩尔定律 |
| 2010-02-11 | Altera 28nm器件三大创新，期待超越摩尔定律 Altera 28nm器件三大创新，期待超越摩尔定律 |
| 2010-02-22 | 28nm器件三大创新，Altera期待超越摩尔定律 28nm器件三大创新，Altera期待超越摩尔定律 |
| 2010-02-08 | 28nm器件三大创新，Altera期待超越摩尔定律 28nm器件三大创新，Altera期待超越摩尔定律 |
| 2010-02-05 | 28nm器件三大创新，Altera期待超越摩尔定律 28nm器件三大创新，Altera期待超越摩尔定律 |
| 2009-01-22 | 恩智浦：诠释摩尔定律中的经济规律和成长策略 恩智浦：诠释摩尔定律中的经济规律和成长策略 |
| 2009-02-05 | 恩智浦：诠释摩尔定律中的经济规律和成长策略 恩智浦：诠释摩尔定律中的经济规律和成长策略 |
| 2009-01-06 | 恩智浦：诠释摩尔定律中的经济规律和成长策略 恩智浦：诠释摩尔定律中的经济规律和成长策略 |
| 2008-10-10 | 3D-TSV技术引领封装革 命 为了延续摩尔定律的增长趋势，芯片技术已来到所谓的“超越摩尔定律”的3D集成时代。从IDM到无晶圆厂和CMOS晶圆厂，从外包半导体封测厂到基板与电路装配运营商，整个产业供应链都涉及在内。硅直通孔3D集成技术 (3D-TSV)将加速CMOS晶圆厂的合并、以及向无晶圆厂模式转变的趋势。据市场研究公司Yole Developpement统计，到2015年，3D-TSV晶圆的出货量将达数百万，并可能对25%的存储器业务产生影响。2015年，除了存储器，3D-TSV晶圆在整个半导体产业的份额也将超过6%。 |
| 2006-05-12 | 飞利浦突破65纳米困境，汽车电子成为未来应用重点 半导体工艺发展到65纳米之后，技术复杂性和材料本身的问题影响日益明显，在延续和超越“摩尔定律”之余，必须寻求其他方式解决技术难点。进入到65纳米和45纳米时代之后，设计、生产将更加困难，国际厂商之间的技术合作成为重中之重。而SOC以及SiP方案则将成为统合65纳米工艺发展的解决途径。 |
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