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| 2011-10-27 | Ramtron全新高速串口F-RAM存储器系列出样 Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性铁电RAM存储器的预认证样片，新产品采用Ramtron全新美国晶圆供应商的铁电存储器工艺制造，具有1万次 (1e12)的读/写循环、低功耗和无延迟(NoDelay )写入特性。 |
| 2011-09-13 | TI新型单线I/O扩展器TCA5405，所需连接锐减75% 日前，德州仪器宣布推出采用其自定时单线(STSW)技术的业界最小型单线I/O扩展器。该TCA5405使用单个处理器通用输入/输出(GPIO)，可帮助系统设计人员控制输出，并将其扩展多达5组。 |
| 2010-10-11 | 新型串行闪存满足大容量存储应用需求 128Mb以上的串行闪存被认为是电子产品满足市场需求、增加更多功能的一个主要障碍，针对需要128Mb以上串行闪存的应用要求，美光科技推出一个简单的扩容解决方案。该方案可以将存储容量轻松地扩大到4G或更大，完全兼容现有的串行外设接口(SPI)协议，无需重新设计主芯片的硬件。 |
| 2009-07-22 | IIC-China 2009秋季参展商介绍：北京北方科讯电子技术有限公司深圳分公司 北京北方科讯电子技术有限公司深圳分公司将在IIC-China 2009秋季展上展示FM25V10——Ramtron的 1Mb 串行外设接口（SPI）非易失性F-RAM， 具有高速、低电压的特点，采用8引脚SOIC 封装。FM25V10是V系列F-RAM产品的首款器件，低操作电压（2.0V~3.6V）和集成功能，可有效地减少电路板面积、组装和器件成本。 |
| 2009-06-18 | 安森美推出兼容I2C及SPI的高精度数字电位计 安森美半导体(ON Semiconductor)进一步扩充数字可编程电位计(DPP) IC系列，推出集成了I2C及串行外设接口(SPI)总线连接的新的高精度器件。 |
| 2009-06-17 | 安森美半导体推出兼容I2C及SPI的高精度数字电位计 安森美半导体(ON Semiconductor)进一步扩充数字可编程电位计(DPP) IC系列，推出集成了I2C及串行外设接口(SPI)总线连接的新的高精度器件。 |
| 2008-11-24 | Ramtron全新F-RAM系列产品增加第二款串行器件FM25V05 Ramtron全新F-RAM系列产品增加第二款串行器件FM25V05 |
| 2008-11-24 | Ramtron推出全新F-RAM系列中的第二款串行器件FM25V05 Ramtron推出全新F-RAM系列中的第二款串行器件FM25V05 |
| 2008-11-24 | Ramtron发布全新F-RAM系列产品中第二款串行器件FM25V05 Ramtron发布全新F-RAM系列产品中第二款串行器件FM25V05 |
| 2008-10-14 | Maxim推出1.25Msps同步采样ADC，带有双SPI接口 Maxim推出双通道、12位、1.25Msps、同步采样ADC MAX1377/MAX1379/MAX1383*。两路ADC分别具有独立的串行外设接口(SPI)与主机通信，在最大采样速率下工作时，每个接口的最高时钟频率可降至20MHz。如果采样速率较低或主机的SPI接口可以工作在高于40MHz的频率，那么设计者还可以将2个数据流连接至单个SPI接口。 |
| 2008-10-14 | Maxim推出1.25Msps同步采样ADC，带有双SPI接口 Maxim推出双通道、12位、1.25Msps、同步采样ADC MAX1377/MAX1379/MAX1383*。两路ADC分别具有独立的串行外设接口(SPI)与主机通信，在最大采样速率下工作时，每个接口的最高时钟频率可降至20MHz。如果采样速率较低或主机的SPI接口可以工作在高于40MHz的频率，那么设计者还可以将2个数据流连接至单个SPI接口。 |
| 2008-10-14 | Maxim推出1.25Msps同步采样ADC，带有双SPI接口 Maxim推出双通道、12位、1.25Msps、同步采样ADC MAX1377/MAX1379/MAX1383*。两路ADC分别具有独立的串行外设接口(SPI)与主机通信，在最大采样速率下工作时，每个接口的最高时钟频率可降至20MHz。如果采样速率较低或主机的SPI接口可以工作在高于40MHz的频率，那么设计者还可以将2个数据流连接至单个SPI接口。 |
| 2008-10-14 | Maxim发布1.25Msps同步采样ADC，带有双SPI接口 Maxim推出双通道、12位、1.25Msps、同步采样ADC MAX1377/MAX1379/MAX1383*。两路ADC分别具有独立的串行外设接口(SPI)与主机通信，在最大采样速率下工作时，每个接口的最高时钟频率可降至20MHz。如果采样速率较低或主机的SPI接口可以工作在高于40MHz的频率，那么设计者还可以将2个数据流连接至单个SPI接口。 |
| 2008-09-24 | Ramtron新型F-RAM系列推出首款产品FM25V10，具有高速读/写性能 Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装。 |
| 2008-09-24 | Ramtron发布新型F-RAM系列的首款产品FM25V10，具高速读/写性能 Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装。 |
| 2008-09-23 | Ramtron推出新型F-RAM系列中的首款产品FM25V10，具有高速读/写性能 Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装。 |
| 2008-06-13 | 用混合信号示波器(MSO)调试串行总线系统 用混合信号示波器(MSO)调试串行总线系统 |
| 2007-11-14 | Ramtron扩展+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容，推出新品FM25L04-GA 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求。 |
| 2007-11-06 | Ramtron针对智能动力传动应用的4Kb F-RAM存储器 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布扩展其+125℃汽车F-RAM存储器产品线阵容，FM25L04-GA这款3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的F-RAM器件现符合Grade 1 AEC-Q100的规范要求。 |
| 2007-09-28 | Microchip推出高速1Mb串行EEPROM，适合于汽车应用 Microchip推出高速1Mb串行EEPROM，适合于汽车应用 |
| 2007-09-26 | Microchip发布20MHz串行EEPROM，适用于高、低电压及高温应用领域 Microchip发布20MHz串行EEPROM，适用于高、低电压及高温应用领域 |
| 2007-09-25 | Microchip发布20MHz的1Mb串行EEPROM Microchip发布20MHz的1Mb串行EEPROM |
| 2007-09-21 | Microchip推出业界最快的1 Mb串行EEPROM Microchip推出业界最快的1 Mb串行EEPROM |
| 2007-08-15 | 意法1兆位串口EEPROM存储器芯片采用微型SO8N封装，适合汽车信息娱乐系统应用 意法半导体日前推出一款采用外壳宽度仅为150-mil(3.8mm)的微型SO8N封装、支持SPI（串行外设接口）总线的1兆位串口EEPROM存储器芯片——目前市场上唯一的在如此小的封装内放进如此高密度的SPI串口EEPROM存储器。 |
| 2007-08-08 | Microchip推出满足工业环境的非易失性数字电位器 单片机和模拟半导体供应商Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布推出MCP4141/2及MCP4241/2 (MCP41XX/42XX)非易失性数字电位器。全新7位及8位器件集成了串行外设接口(SPI)，适用于零下40至125摄氏度更广泛的工业温度范围。 |
| 2007-08-08 | 意法最新推出SPI串口EEPROM存储器芯片 意法半导体日前推出一款采用外壳宽度仅为150-mil(3.8mm)的微型SO8N封装、支持SPI（串行外设接口）总线的1兆位串口EEPROM存储器芯片——目前市场上唯一的在如此小的封装内放进如此高密度的SPI串口EEPROM存储器。 |
| 2007-08-07 | 意法半导体最新SPI串口EEPROM存储器芯片采用SO8N封装 意法半导体日前推出一款采用外壳宽度仅为150-mil(3.8mm)的微型SO8N封装、支持SPI（串行外设接口）总线的1兆位串口EEPROM存储器芯片——目前市场上唯一的在如此小的封装内放进如此高密度的SPI串口EEPROM存储器。 |
| 2007-08-07 | 意法半导体最新SPI串口EEPROM存储器芯片采用SO8N封装 意法半导体日前推出一款采用外壳宽度仅为150-mil(3.8mm)的微型SO8N封装、支持SPI（串行外设接口）总线的1兆位串口EEPROM存储器芯片——目前市场上唯一的在如此小的封装内放进如此高密度的SPI串口EEPROM存储器。 |
| 2007-08-03 | 意法半导体采用SO8窄封装的SPI串口EEPROM存储器芯片问世 意法半导体日前推出一款采用外壳宽度仅为150-mil(3.8mm)的微型SO8N封装、支持SPI（串行外设接口）总线的1兆位串口EEPROM存储器芯片——目前市场上唯一的在如此小的封装内放进如此高密度的SPI串口EEPROM存储器。 |
| 2007-04-18 | Spansion推出90nm 128Mb MirrorBit SPI闪存 Spansion日前发布了128Mb SPI(串行外设接口)闪存产品。这一128Mb MirrorBit SPI产品以90nm工艺制造，能够帮助制造商利用SPI具有的更低的整体系统成本的优势，同时为更高容量的应用提供所需要的高性能和可靠性。Spansion目前还量产从4Mb到6?Mb的SPI产品。 |
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