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| 2005-11-04 | IR推出新型低导电损耗的DirectFET MOSFET IR推出新型低导电损耗的DirectFET MOSFET |
| 2005-09-30 | 东芝的MCM面向大电流和高频DC/DC转换应用 东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components)的TB7001FL多芯片模块整合了一个带MOSFET和该公司MOSBD的驱动IC、单裸片功率MOSFET以及一个肖特基势垒二极管，封装尺寸为8×8×0.85mm，主要面向大电流和高频电源的DC/DC转换应用。 |
| 2005-09-02 | 瑞昱推出高集成度多合一读卡机控制芯片 瑞昱半导体(Realtek)推出多合一(CF、SM、SD、MMC、MS、xD、MD)读卡机控制器RTS5111，该芯片集成5V/3.3V稳压器(Regulator)与功率MOSFET等组件，支持USB 2.0接口，号称可降低成本，为业者提供具竞争力的读卡机解决方案。 |
| 2005-07-12 | Vishay功率MOSFET在1.5V电压下的RDS低至45mΩ Vishay功率MOSFET在1.5V电压下的RDS低至45mΩ |
| 2005-05-13 | Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2Ω Vishay的P沟道功率MOSFET导通电阻低至1.2Ω |
| 2005-05-13 | 台湾地区电源管理芯片厂商的发展动态 多家调研公司的数据都认为，电源管理类IC市场一直保持了稳定增长的势头，即使在不景??年代也是如此。 |
| 2005-04-20 | IR有源ORing电路N沟道MOSFET驱动器关断延迟130ns IR有源ORing电路N沟道MOSFET驱动器关断延迟130ns |
| 2005-04-19 | 慕尼黑上海电子展：功率电子器件向节能增效发展 慕尼黑上海电子展：功率电子器件向节能增效发展 |
| 2005-04-15 | IR推出关断延迟时间为130ns的MOSFET驱动器 IR推出关断延迟时间为130ns的MOSFET驱动器 |
| 2005-04-04 | 东芝新型DTMOS功率MOSFET最大导通电阻仅0.3Ω 东芝新型DTMOS功率MOSFET最大导通电阻仅0.3Ω |
| 2005-04-01 | 采用超组合技术，东芝功率MOSFET导通阻抗降低60 采用超组合技术，东芝功率MOSFET导通阻抗降低60 |
| 2005-03-17 | 飞利浦智能电源模块可用于DC/DC转换器设计 飞利浦电子公司日前宣布，其电源管理解决方案系列又添新成员——飞利浦智能电源212-12M (PIP212-12M)，它采用单个8×8mm QFN封装集成了2个功率MOSFET开关和1个驱动器IC。与分立解决方案相比，它在节省约50％的板上空间的同时，功率转换效率达到了94％，功率密度提高了一倍。PIP212-12M的功能有助于大幅提高计算和通信系统的效率和可靠性。 |
| 2005-03-01 | IR控制IC简化非特定处理器的多相应用 国际整流器公司(International Rectifier，IR)近日为用于服务器和工作站的AMD皓龙(Opteron)和速龙(Athlon) 6?处理器推出了多相控制IC——IR3082。该器件与DirectFET功率MOSFET相配合，为中高档服务器、电压调节器模组(VRM)和大电流电信应用提供了最佳的多相DC/DC功率解决方案。 |
| 2005-02-17 | IR推出两款55V HEXFET功率MOSFET，适用于汽车电子 IR推出两款55V HEXFET功率MOSFET，适用于汽车电子 |
| 2005-01-20 | Fuji的功率MOSFET能有效降低75%关断损耗 Fuji的功率MOSFET能有效降低75%关断损耗 |
| 2003-06-30 | MOS门功率晶体管ESD测试 MOS门功率晶体管ESD测试 |
| 2003-06-30 | HEXFET特性测试指南 该应用指南讨论了HEXFET功率MOSFET特性测试的几种方法，并对相应的测试电路进行了介绍。 |
| 2003-06-27 | 使用功率MOSFET Quasi-Dynamic模型进行系统仿真 使用功率MOSFET Quasi-Dynamic模型进行系统仿真 |
| 2003-06-27 | 功率半导体的额定电流 功率半导体的额定电流 |
| 2003-06-27 | 使用补充HEXFET设计线性功率放大器 使用补充HEXFET设计线性功率放大器 |
| 2003-06-27 | 使用门电荷来设计用于功率MOSFET和IGBT的门驱动电路 使用门电荷来设计用于功率MOSFET和IGBT的门驱动电路 |
| 2003-06-27 | 并行HEXFET功率MOSFET介绍 并行HEXFET功率MOSFET介绍 |
| 2003-06-27 | 如何使用P通道HEXFET功率MOSFET简化用户电路 如何使用P通道HEXFET功率MOSFET简化用户电路 |
| 2003-06-27 | MOS门晶体管使用简介 该应用指南讨论了如何使用MOS门晶体管，以及功率HEXFET基本的操作原理和性能最大化技巧。 |
| 2003-06-27 | IRIS40xx系列集成交换简介 该应用指南讨论了IRIS40xx系列集成交换芯片的功能、属性和应用。 |
| 2003-06-27 | 如何使用HEXRISE程序计算功率MOSFETs的温度变化趋势 如何使用HEXRISE程序计算功率MOSFETs的温度变化趋势 |
| 2003-06-20 | 功率MOSFET输出容量介绍 功率MOSFET输出容量介绍 |
| 2003-05-28 | 电流感应功率MOSFET介绍 电流感应功率MOSFET介绍 |
| 2003-05-28 | 功率MOSFET基础 功率MOSFET基础 |
| 2003-05-31 | 用DirectFET技术提高电源转换器的功率密度和可靠性能 为了满足处理器的工作电流及快速瞬态响应时间要求，现在的转换器解决方案都具有复杂、高频及多相等特点。 |
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