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| 2012-05-22 | 三星研究人员提出新三端器件-石墨烯“势垒晶体管” 三星研究人员提出新三端器件-石墨烯“势垒晶体管” |
| 2012-05-11 | 安森美为高性能电源转换提供新系列场截止型IGBT 安森美推出新系列的场截止型绝缘门双极结晶体管(IGBT)，目标应用为工业电机控制及消费类产品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120应用于高性能电源转换方案，适合多种要求严格的应用，包括电磁炉、电饭煲及其它厨房小家电应用。 |
| 2012-05-11 | D类音频功放动态效率的评估 D类音频功率放大器最大的特色是高效率，高效率的优点是省电及降低发热量。如果功放的效率是90%而芯片的封装可以散热1W，则这个功放可以输出大约10W的功率，这対系统设计提供极大的方便。 |
| 2012-05-04 | 石墨烯Out了？ 研究人员开发全新硅材料Silicene 石墨烯一直备受业界关注，因为它能提供比目前所有硅基晶体管材料都高的电子迁移率。一群科学研究人员日前提出一份报告，声称已经在银基板上成功成长单层硅，他们制造出2D蜂窝形式的硅材料，合成了“Silicene”薄片磊晶。 |
| 2012-05-03 | 新研发复合材料大幅提升有机晶体管传输速率 新研发复合材料大幅提升有机晶体管传输速率 |
| 2012-05-02 | 三星发布四核Exynos处理器 Galaxy S3将率先采用 三星电子宣布正在生产针对智能手机和平板电脑应用的四核处理器，这款处理器采用32nm CMOS高K金属栅晶体管堆叠工艺。三星表示“即将发布的Galaxy S3强大的处理性能和突破性的多任务能力都和Exynos强大的处理性能和高效的电源管理技术紧密相关”。 |
| 2012-04-27 | 英特尔：无晶圆厂模式已接近穷途末路 在英特尔负责工艺技术部门的高层Mark Bohr指出，无晶圆厂半导体业经营模式已经快到穷途末路。他认为，台积电最近宣布只会提供一种20纳米工艺就是一种承认失败的表示。当然，英特尔会想让这个世界相信，只有他们能创造世界所需的复杂半导体技术，而为其竞争对手高通、AMD代工的台积电与GlobalFoundries都不能。 |
| 2012-04-25 | 英特尔22纳米Ivy Bridge处理器问世 半导体产业进入3D晶体管时代 英特尔22纳米Ivy Bridge处理器问世 半导体产业进入3D晶体管时代 |
| 2012-04-25 | 电源设计小贴士之可替代集成MOSFET驱动器的方案 在本设计小贴士中，我们来了解一下自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步整流器栅极免受过高电压带来的损坏。理想情况下，您可以利用电源变压器直接驱动同步整流器，但是由于宽泛的输入电压变量，变压器电压会变得很高以至于可能会损坏同步整流器。 |
| 2012-04-20 | ST、IBM SoI技术获突破 努力赶超英特尔3D IC工艺水平 2D平面与3D SoI晶圆的成本大约都比块状硅高出四倍左右，这解释了英特尔为何不愿意在三栅极FinFET工艺中使用SoI。但Solitec声称，FD晶体管将提供更大的开发时间优势，目前包括ST、 ST-Ericsson和IBM已经决定开始尝试。 |
| 2012-04-19 | 拆解：22nm 3D晶体管工艺Ivy Bridge内部结构初探 拆解：22nm 3D晶体管工艺Ivy Bridge内部结构初探 |
| 2012-04-12 | Netronome将采用英特尔22nm工艺3D晶体管技术生产流处理器 Netronome将采用英特尔22nm工艺3D晶体管技术生产流处理器 |
| 2012-03-28 | 高分辨率显示屏的背后，是什么在支撑？ 平板显示产业正在经历20年来一次最为重要的技术变革，可它对普通消费者来讲似乎是不能一眼就可以看穿的。这里所说的变革都与晶体管技术的进步密切相关，所谓的晶体管即可以控制显示画面，呈现清晰亮丽影像的微小电子开关。如果你正在考虑入手一台平板电视，你会关注显示屏中微小的晶体管技术吗？ |
| 2012-03-05 | 市场无竞争，英特尔Ivy Bridge不着急问世 一位英特尔高层表示，最新一代Ivy Bridge 处理器预计在今年六月问世，不过这个推出时程要比原先市场预期的晚八至十个星期左右。分析师表示“因为现阶段的市场竞争并不怎么激烈”。 |
| 2012-02-23 | 英特尔揭露Ivy Bridge技术细节，将包含至少四个版本 英特尔稍早前公开展示了采用22nm三栅极(tri-gate)技术的首款处理器Ivy Bridge技术细节。依照英特尔的预估，新芯片至少有四种不同版本，其中最大的一款将在160mm2芯片尺寸中整合14亿个晶体管。 |
| 2012-02-14 | 瑞萨全新SiC功率器件助力提升电源效率并实现更紧凑的设计 瑞萨推出三款碳化硅（SiC）复合功率器件，它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管，组成电源转换电路。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功率半导体产品系列。 |
| 2012-02-13 | TI低侧栅极驱动器LM5114带来高效率与高电源密度 TI推出用于配合高密度电源转换器中MOSFET与氮化镓功率场效应晶体管使用的低侧栅极驱动器。LM5114可驱动同步整流器与功率因数转换器等低侧应用中的GaN FET与MOSFET。 |
| 2012-02-03 | Linear新推超宽带宽高线性度I/Q解调器LTC5585 Linear推出超宽带宽直接转换I/Q解调器LTC5585，该器件具卓越的线性性能，可满足新一代宽带LTE多模式接收器和数字预失真(DPD)接收器的带宽需求。 |
| 2012-02-03 | 英飞凌为汽车电子功率MOSFET提供创新型H-PSOF封装 英飞凌科技股份公司近日推出一种创新型封装技术，为纯电动汽车和混合动力汽车等要求苛刻的汽车电子应用带来更大的电流承受能力和更高效率。新推出的TO封装符合JEDEC标准H-PSOF。 |
| 2011-12-28 | ST MDmesh V功率MOSFET新增成员STW88N65M5 ST推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管,MDmesh V体现了ST最新的经过市场检验的Multi-Drain Mesh技术。 |
| 2011-12-21 | Vishay六款全新光耦器件扩大其光电子产品组合 Vishay发布了6款低输入电流并带有光电晶体管输出，采用DIP-4、SSOP-4半节距miniflat和SOP-4L加长型miniflat封装的光耦,扩大其光电子产品组合。新光耦具有优异的隔离性能，能够保障人身和设备安全。 |
| 2011-12-20 | 英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存 英特尔和美光科技日前宣布，已开发出128Gb的NAND闪存，新元件采用了针对闪存改良的20nm工艺制程，将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。 |
| 2011-12-13 | Diodes最新LED驱动器可控制九个串联LED电流 Diodes推出AL5802线性LED驱动器，提供简单、具成本效益及低电磁干扰的解决方案。该驱动器集成了一个高增益的NPN晶体管，其预偏置NPN输出晶体管的额定电流为30V，足以控制多达九个低功率串联LED的电流。 |
| 2011-12-09 | 美研究将MEMS晶体管集成至CMOS电路，可取代独立晶振 美研究将MEMS晶体管集成至CMOS电路，可取代独立晶振 |
| 2011-12-01 | NXP中功率晶体管家族首位小型晶体管成员登场 NXP中功率晶体管家族首位小型晶体管成员登场 |
| 2011-11-23 | 飞兆OptoHiT系列光耦合器新增成员FODM8801 飞兆半导体开发出FODM8801光耦合器，该器件是OptoHiT系列高温光电晶体管光耦合器的成员。这些器件使用飞兆半导体专有的OPTOPLANAR共面封装(coplanar packaging)技术，可在高工作温度下实现高抗噪能力和可靠隔离。 |
| 2011-11-21 | MIT研究仿生芯片，可模拟大脑神经元活动 MIT的研究人员设计了一种芯片，会模仿人脑神经元是如何回应新讯息。该款内含400个晶体管的芯片可模拟单一大脑突触的活动，将已知的神经元生物学与突触可塑性整合到CMOS芯片上的一大进展。 |
| 2011-11-17 | IR再次扩充600V IGBT系列 IR近日扩充坚固耐用、可靠的超高速600 V沟道绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列，为不间断电源 (UPS) 、太阳能、工业用电机及焊接应用推出IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF器件。 |
| 2011-11-15 | 利用专用晶圆加工工艺实现高性能模拟IC 高性能电子产品需要高精度模拟CMOS工艺技术，从而实现接近理想的MOS晶体管、电阻、电容以及专用JFET和DECMOS器件。为了实现最终芯片的差异化，必须对这种关键的器件从头进行设计，使精度设计贯穿整个设计周期。曾经专属于模拟IDM的技术领域(比如高性能模拟CMOS工艺技术)如今可以通过专业晶圆厂来实现。在这种趋势下，设计人员现在可以通过采用晶圆厂开发的模拟CMOS工艺实现其芯片，从而更快地实现更大的差异化。 |
| 2011-11-15 | 一步步优化反激式电源设计 反激式是最为广泛采用的隔离式电源拓扑结构，因为它可以用一个低边开关晶体管和有限的外部元件数提供多个隔离输出。不过，反激式电源也存在一些特殊性，如果设计人员没有充分理解并对其进行分析，就可能限制它的整体表现。 |
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