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晶体管 什么是晶体管? 搜索结果

 
什么是晶体管?
晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示。 晶体管是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用,应用十分广泛。
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2008-01-14 2008年最值得期待的十大半导体技术(上)
在半导体技术的发展史上,2008年是承载了最多辉煌的年份,60年前,第一只晶体管在贝尔实验室诞生,从此人类步入了飞速发展的电子时代。50年前,第一块集成电路在TI公司诞生,从此我们进入了微电子时代,40年前,仙童公司出走的“8叛逆”中的诺依斯、摩尔和葛罗夫创立了Intel公司,来自仙童公司的另一位员工C.Sporck 则创立了AMD,他们的创业引发了自硅谷席卷全球的高科技创业热潮!
2007-12-31 IEDM上展开先进工艺技术大比拼,Intel、TSMC互不示弱大赞新工艺
Intel在出席国际电子设备大会(IEDM)的时候向外界透露了其首次采用了high-k闸晶体管的45nm生产工艺。无独有偶,台湾地区半导体商TSMC同样也宣布了他们在32nm工艺方面取得的成就。
2007-12-27 Polymer Vision滚动屏幕技术,使移动设备拥有大屏幕
Polymer Vision Ltd.公司开发了滚动屏幕技术,这种技术使得移动设备可以融入比自身还大的屏幕;Polymer Vision Ltd.宣布了生产滚动屏幕产品方面的先进的生产水平,该公司采用了新近购买的设备进行生产。
2007-12-27 LSI庆祝晶体管发明60周年,向博物馆捐赠其首枚晶体管复制品
LSI庆祝晶体管发明60周年,向博物馆捐赠其首枚晶体管复制品
2007-12-26 Polymer Vision开发出滚动屏幕技术,使移动设备拥有“不可思议”的大屏幕
Polymer Vision Ltd.公司开发了滚动屏幕技术,这种技术使得移动设备可以融入比自身还大的屏幕;Polymer Vision Ltd.宣布了生产滚动屏幕产品方面的先进的生产水平,该公司采用了新近购买的设备进行生产。
2007-12-24 LSI热烈庆祝晶体管诞生60周年
LSI热烈庆祝晶体管诞生60周年
2007-12-20 GaN晶体管耐压可达1万伏,有望在电力设备大展身手
GaN晶体管耐压可达1万伏,有望在电力设备大展身手
2007-12-19 Microsemi推出双极型大功率晶体管0405-500L
Microsemi推出双极型大功率晶体管0405-500L
2007-12-18 多核:解决频率极限问题的关键
目前,市场上的许多系统在单核处理器上运行它们的控制和数据层以及附加的服务。然而,由于存在系统功率预算问题,单核处理器已经逼近了频率的极限,这个问题采用晶体管技术是无法解决的。
2007-12-18 Microsemi推出业界应用于长脉冲调制雷达的最大功率UHF晶体管
Microsemi推出业界应用于长脉冲调制雷达的最大功率UHF晶体管
2007-12-18 使用新SRAM工艺实现嵌入式ASIC和SoC的存储器设计
基于传统六晶体管存储单元的静态RAM存储器块一直是许多嵌入式设计中使用ASIC/SoC实现的开发人员所采用的利器。然而,用来组成锁存器和高性能负载的六晶体管导致6T单元尺寸很大,从而极大地限制了可在存储器阵列中实现的存储容量,而单晶体管/单电容(1T)存储器单元能克服这些局限性。
2007-12-17 恩智浦发表七项半导体创新技术,范围涵盖存储器、晶体管以及制程
恩智浦发表七项半导体创新技术,范围涵盖存储器、晶体管以及制程
2007-12-10 45纳米技术研究取得新突破,闸极漏电问题得到解决?
一种用于CMOS晶体管的高k电介质工艺有望使国际半导体路线图驶上高速公路,它可以在直至10纳米的节点上消除闸极漏电问题。闸极漏电流过大引起的过热,是半导体节点突破45纳米所面临的头号障碍。
2007-12-10 晶体管历经60载,宝刀仍未老!
晶体管历经60载,宝刀仍未老!
2007-12-10 晶体管60年历程:花甲宝刀不老!
晶体管60年历程:花甲宝刀不老!
2007-12-10 ST推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L针对工业应用
ST推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L针对工业应用
2007-12-06 意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L
意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L
2007-12-06 晶体管:60花甲宝刀不老!
晶体管:60花甲宝刀不老!
2007-12-05 提升SoC验证效率,Cadence为验证产品添加全新技术
“我们的Incisive Enterprise Simulator和Incisive Specman都有一个全新面向方面生成引擎,让高级验证专家将其用于在大型设计中执行复杂的、面向方面的序列。这种新引擎能够将性能提高将近5倍!”继低功耗设计技术成为EDA工具厂商竞争的热点之后,验证工具再次成为EDA巨头的争夺制高点,今天,Cadence设计系统公司宣布为其Cadence? Incisive? Enterprise验证产品系列添加全新技术,该公司Incisive Formal Department产品营销总监Tom Anderson在接受电子工程专辑独家采访时对该工具评论道。“它还可以扩展到支持10亿晶体管以上的设计!”
2007-12-05 ST微欧功率MOSFET晶体管提高并联服务器电源能效
ST微欧功率MOSFET晶体管提高并联服务器电源能效
2007-12-05 Cadence为验证产品添加全新技术,提升SoC验证效率
“我们的Incisive Enterprise Simulator和Incisive Specman都有一个全新面向方面生成引擎,让高级验证专家将其用于在大型设计中执行复杂的、面向方面的序列。这种新引擎能够将性能提高将近5倍!”继低功耗设计技术成为EDA工具厂商竞争的热点之后,验证工具再次成为EDA巨头的争夺制高点,今天,Cadence设计系统公司宣布为其Cadence? Incisive? Enterprise验证产品系列添加全新技术,该公司Incisive Formal Department产品营销总监Tom Anderson在接受电子工程专辑独家采访时对该工具评论道。“它还可以扩展到支持10亿晶体管以上的设计!”
2007-12-03 安华高发布5A电流输出门驱动光电耦合器
安华高科技宣布推出具备欠压锁定(UVLO, Under Voltage LockOut)功能,5.0A电流输出的门驱动光电耦合器产品。通过将光电耦合器技术和一个5.0A功率晶体管集成到单一8-pin封装中,Avago的ACNW3190带来了能够节省电路板空间、以更少器件数降低设计成本,以及高CMR噪声隔离能力的高电流输出门驱动光电耦合器产品。
2007-12-03 美科学家科技新发现:新型碳晶体管胜过非晶硅!
美科学家科技新发现:新型碳晶体管胜过非晶硅!
2007-11-30 NXP新款BFU725F微波NPN晶体管采用SiGeC工艺具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点
NXP新款BFU725F微波NPN晶体管采用SiGeC工艺具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点
2007-11-30 使用HEXRISE程序计算功率MOSFET的温度变化趋势
Hexrise是国际整流器(IR)公司的建立热模型的程序,用于该公司的大功率场效应晶体管MOSFET,它计算出在电流为几种不同波形时半导体结的温度上升数值。Hexrise计算在比较短的时间内器件的温度达到稳态值的情况下半导体结温度上升的数值。它利用产品说明书中提供的瞬态热参数进行计算。这些参数也是在该公司的器件评价实验室实际测量得到的。可以从公司的网站下载得到Hexrise。
2007-11-29 增加家电系统安全性,采用智能交流电控制
如今,全世界至少有60%的家庭用品采用了电子器件。对于在售的电器设备来说,已经完成从原来的机电式到数字控制的升级,目前的系统架构都是围绕着微处理器、分立晶体管和高压可控硅来实现的。这一变化某种程度上也是由于节能和节水,以及增加消费者的易用性等方面的需求增长所促进的结果。
2007-11-14 NXP新款采用SiGeC工艺的BFU725F微波NPN晶体管
NXP新款采用SiGeC工艺的BFU725F微波NPN晶体管
2007-11-14 NXP新款BFU725F微波NPN晶体管采用SiGeC工艺
NXP新款BFU725F微波NPN晶体管采用SiGeC工艺
2007-10-30 Toshiba打造GaN功率场效应管,应用于Ku波段中高功率输出
Toshiba公司开发了GaN功率场效应管,这种场效应管应用频率在Ku波段(12-GHz to 18-GHz)可以在14.5-GHz的频点上产生65.4-W的功率输出。这种晶体管应用在卫星基站的微波通信中,在通信中携带包括高清广播在内的高信息量的信号。
2007-10-26 晶门科技推出wQVGA TFT驱动器SSD2220
晶门科技(Solomon systech)推出全新的单一薄膜晶体管(TFT)液晶显示驱动器SSD2220。该驱动器能支持240×432(wQVGA)解析度的TFT液晶显示器,而该解析度将是2008年手机及便携多媒体播放器(PMP)应用不错选择。
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