什么是晶体管？
| 晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。 |
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| 2011-11-15 | IGBT器件选型指南 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是总线电压几百至上千伏的应用的理想之选，作为少数载流子器件，IGBT在该电压范围内具备优于MOSFET的导通特性。众多的IGBT产品使得在选型时采用严格的流程变得十分重要，因为这可对电气性能和成本产生重大影响。本文介绍了IR最新的在线选型工具以协助工程师简化IGBT选型过程。 |
| 2011-11-15 | 美国研究人员积极寻求可替代晶体管的纳米电子开关 美国研究人员积极寻求可替代晶体管的纳米电子开关 |
| 2011-10-27 | 宜普电源提供内含eGaN功率晶体管的EPC9101演示板 宜普电源提供内含eGaN功率晶体管的EPC9101演示板 |
| 2011-10-26 | 2.5D封装+28nm，FPGA迎来革 命性突破 68亿只晶体管、1,954,560个逻辑单元、305,400个CLB切片的可配置逻辑块(CLB)、21,550Kb的分布式RAM容量、以及2,160个DSP slice、46,512个BRAM、24个时钟管理模块、4个PCIe模块、36个GTX收发器(每个性能达12.5 Gbps)、24个I/O bank和1,200个用户I/O、19W功耗……是的，您没有看错，这一连串令人眼花缭乱的数字，就是赛灵思日前宣布可正式供货的“世界最大容量”FPGA Virtex-7 2000T为我们呈现出的令人震撼的性能指标。 |
| 2011-10-26 | 英特尔22nm FinFET工艺Ivy Bridge延迟至明年3月问世 英特尔的22nm Ivy Bridge CPU可能会在明年三月问世，比原先的预估时程稍晚，但英特尔表示，这仍在该公司规划的“2012年春季”时程表内。 |
| 2011-10-19 | Maxim新款离线式LED驱动器零光强时无闪烁 Maxim推出离线式LED驱动器MAX16841，采用前沿（三端双向可控硅）和后沿（晶体管）调光器实现从最大光强到零光强的无闪烁调光。固定频率控制优化了工作在低压和高压交流电网的效率。 |
| 2011-10-14 | 宜普电源质量管理系统通过ISO9001：2008认证 宜普电源转换公司是基于节能增强型氮化镓晶体管的功率转换应用的领先供应商，其质量管理系统已经通过国际标准化组织的ISO9001:2008认证。 |
| 2011-10-13 | ST发布采用STH5P LDMOS技术的新系列射频功率晶体管 ST发布采用STH5P LDMOS技术的新系列射频功率晶体管 |
| 2011-10-05 | 安森美LED恒流稳流器系列新增成员NSI50350A 安森美扩充恒流稳流器(CCR)阵容，推出NSI50350A。这简单而极强固的器件特为用于发光二极管(LED)稳流的无源/分立元器件或驱动器集成电路(IC)方案提供高热效率、高性价比的选择而设计，非常适合包括汽车、建筑照明及标志在内的多种1瓦(W)照明应用。 |
| 2011-09-29 | IR新推感应加热用1200 V IGBT IR近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管，该产品为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用进行了优化。 |
| 2011-09-29 | 瑞萨新款SiGe:C异质接面晶体管提供高水平噪声效能 瑞萨新款SiGe:C异质接面晶体管提供高水平噪声效能 |
| 2011-09-26 | 2011 IEEE IEDM将热议化合物半导体最新技术 今年的国际电子器件大会中，将有来自英特尔、Teledyne和HRL三个不同团队的研究人员，展示目前化合物半导体所能达到的最新性能记录，包括三栅极FinFET晶体管、40nm InGaAs异质HEMT、GaN HEMT元件等技术。 |
| 2011-09-16 | 英特尔深入探讨3D晶体管、Ultrabook技术细节 英特尔深入探讨3D晶体管、Ultrabook技术细节 |
| 2011-09-15 | 飞思卡尔LDMOS晶体管最新成员为广播电视发射器设立新基准 飞思卡尔LDMOS晶体管最新成员为广播电视发射器设立新基准 |
| 2011-09-07 | IR为UPS推出1200V绝缘栅双极晶体管系列 IR为UPS推出1200V绝缘栅双极晶体管系列 |
| 2011-08-19 | 宜普全新开发板EPC9004帮助开发电源转换系统 宜普电源转换公司宣布推出EPC9004开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品，其应用范围广泛，如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电系统和同步整流器。 |
| 2011-08-18 | 宜普第二代eGaN FET最新产品EPC2012出炉 宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS条例。 |
| 2011-08-16 | NXP发布最新电源管理方案，集成低VCEsat晶体管和Trench MOSFET NXP发布最新电源管理方案，集成低VCEsat晶体管和Trench MOSFET |
| 2011-08-15 | 中国绿色能源计划推动IGBT市场强劲增长 据IHS iSuppli报告，由于绿色能源与能源效率得到更多的重视，以及政府投资支持和严格的能源政策，2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场销售额的复合年度增长率将达13%。 |
| 2011-08-11 | 测试显示，三栅极3D晶体管不能左右英特尔ARM之争 测试显示，三栅极3D晶体管不能左右英特尔ARM之争 |
| 2011-08-10 | 爱普科斯EP5 SMT脉冲变压器新系列问市 TDK集团的分公司TDK-EPC开发了爱普科斯EP5 SMT脉冲变压器的新系列。它们被用来连接栅极驱动电路到转换频率范围为150千赫到几兆赫的金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。这些变压器有许多不同的匝比，极性和输出供选。 |
| 2011-08-02 | 高集成射频模块巴伦详解 巴伦(Balun)是高频电路设计中非常重要的支持电路。180度巴伦是异质结双极晶体管（HBT）以及假晶高电子迁移晶体管(pHEMT)推挽放大器，平衡混频器，平衡倍频器，移相器，平衡调制器，偶极子源，针对差分信号的非平衡差分转换器和许多其他应用的一个重要元件。此外，模拟电路需要平衡输入和输出以减少噪音，尽量减少高次谐波并提高电路的动态范围，模拟电路也可从这种巴伦结构中获益，本文将详细介绍该模块。 |
| 2011-08-01 | 关注地球未来的5种电子技术 本文将讨论5种推动绿色能源发展的电子技术，它们是：三维(3D)晶体管，固态照明，能量收集，超导电缆和碳化硅元件。 |
| 2011-08-02 | 泰克发布四款最新示波器,可实现100GS/s采样率 泰克公司日前宣布，推出了4款最新DPO/DSA70000D系列示波器型号，这些型号产品在全4个通道上提供了高达33GHz的带宽，双通道上实现了高达100GS/s的实时采样率。这些最新独创产品包括25GHz和33GHz带宽型号，为当前的多个通道间的最快电信号提供了业界最高水平的测量精确度。 |
| 2011-07-29 | 高功率晶体管技术演进探秘 高功率晶体管技术演进探秘 |
| 2011-07-26 | 何种晶体管技术将领跑22nm时代？ 何种晶体管技术将领跑22nm时代？ |
| 2011-07-11 | 使用内置波形发生器的示波器进行元器件测试 本文介绍了如何利用示波器和波形发生器对元器件进行测试，具体介绍了对电容，电感，二极管，双极晶体管以及电缆的的测试过程。 |
| 2011-07-08 | 应用材料突破性快速热处理技术推动20纳米工艺发展 近日，应用材料公司宣布推出Applied Vantage Vulcan快速热处理系统，推动最先进纳米级晶体管制造的发展。该系统超越了当前的RTP技术，将退火工艺的精确性和控制性提高到了一个新的水平，为芯片制造商减少了可变性并大幅提高了其高价值高性能器件生产的成品率。 |
| 2011-07-08 | 应用材料发布快速热处理系统，引领RTP技术发展 近日，应用材料公司宣布推出Applied Vantage Vulcan快速热处理（RTP）系统，推动最先进纳米级晶体管制造的发展。该系统超越了当前的RTP技术，将退火工艺的精确性和控制性提高到了一个新的水平，为芯片制造商减少了可变性并大幅提高了其高价值高性能器件生产的成品率。 |
| 2011-06-23 | Linear负低压差线性稳压器LT3015提供快速瞬态响应 凌力尔特推出1.5A负低压差线性稳压器LT3015，该器件具快速瞬态响应、低噪声和精确电流限制。 |
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