什么是晶体管？
| 晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。 |
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| 2008-04-16 | 减少有害物质污染，硅制光电晶体管将大行其道 减少有害物质污染，硅制光电晶体管将大行其道 |
| 2008-04-16 | SUNX上市精度为±3.0%F.S.的流量传感器FM-200系列 AvagoTechnologies(安华高科技)日前宣布，推出业内封装尺寸最小的场效应晶体管(FET,FieldEffectTransistor)产品，尺寸大小仅1.0x0.5x0.25mm。 |
| 2008-04-16 | 安华高推出最小场效应晶体管VMMK-1225 安华高推出最小场效应晶体管VMMK-1225 |
| 2008-04-16 | Vishay推出新型VEMT系列硅NPN光电晶体管VEMT3700 Vishay推出采用可与无铅焊接兼容的PLCC-2表面贴装封装的新系列宽角光电晶体管VEMT3700, VEMT3700F及VEMT4700。VEMT系列中的器件可作为当前TEMT系列光电晶体管的针脚对针脚及功能等同的器件，从而可实现快速轻松的替代，以满足无铅焊接要求。 |
| 2008-04-16 | 安华高推出新款FET产品VMMK-1225，尺寸大小仅1.0x0.5x0.25mm Avago Technologies(安华高科技)宣布，推出封装尺寸最小的场效应晶体管(FET)产品，尺寸大小仅1.0 x 0.5 x 0.25 mm，这些超小型低厚度分立式低噪器件占用空间只有标准SOT-343封装的5%以下，新推出的VMMK-1218和-1225采用Avago创新的芯片级封装技术。 |
| 2008-04-14 | Vishay新型VEMT系列硅NPN光电晶体管面市 Vishay推出采用可与无铅焊接兼容的PLCC-2表面贴装封装的新系列宽角光电晶体管VEMT3700, VEMT3700F及VEMT4700。VEMT系列中的器件可作为当前TEMT系列光电晶体管的针脚对针脚及功能等同的器件，从而可实现快速轻松的替代，以满足无铅焊接要求。 |
| 2008-04-09 | Vishay新系列半桥600V及1200V IGBT模块出炉 Vishay宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该系列由八个600V及1200V器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。 |
| 2008-04-08 | 英特尔在IDF上展示Atom处理器，掀起MID风暴 Intel日前在IDF上公布了Silverthorne Atom便携式移动处理器的产品线规划，相关型号、规格参数和售价。Silverthorne Atom系列采用45nm High-K CMOS工艺制造，无铅无卤，集成4700万个晶体管，DIE核心面积均为7.8×3.1毫米，即24.2平方毫米，封装硅片体积13×14×1.6毫米，统一配备512KB二级缓存，支持SSE3指令集、VT虚拟化技术、EDB防毒技术、高级散热管理技术等等。 |
| 2008-04-11 | 技术问答系列专题之五：关于数字电视调谐器应用精彩问答 问：请介绍一下调谐器产品的市场应用情况？答：在调节器产品里，我们这个产品提供了VERY CAB和MOSFET 以及频段开关。VERY CAB 和MOSFET这部分我们提供全套的系列。包括各种型号的VERY CAB，就是电容二级管不同的应用。包括TUNER，VCO里面的应用，以及CA AUDIO 里面的应用。所以在VERY CAB 和MOSFET 里面基本上在TUNER用到的产品，我们都可以提供。 |
| 2008-04-07 | Maxim推出车用高压线性高亮度LED驱动器MAX168xx系列 Maxim推出MAX16815/MAX16828/MAX16835/MAX16836高压、线性、高亮度LED (HB LED)驱动器，能够在6.5V至40V输入电源范围内驱动一长串HB LED。这些单通道器件集成了具有0.4V (典型值)低压差的调整管，因而无需外部功率晶体管。 |
| 2008-04-07 | DSP厂商加快进入中国电力系统市场，ADI先行一步 从某种意义上来说，电力行业一直都在半导体行业的发展中扮演着相当重要的推动作用。自1957年第一个晶闸管问世以来，大功率的模拟电力电子器件已经走过了近50年的发展历程，可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、MOS可控晶闸管(MCT)、电力MOSFET以及绝缘栅极双极晶体管(IGBT)等电力电子器件的相继出现不断推动着半导体行业的发展。而近年来新出现的高频化、模块化以及智能化趋势更是在制造工艺和物理结构的创新上令半导体行业受益匪浅。 |
| 2008-04-02 | Linear推出LTC3524集成式偏置和白光LED电源转换器解决方案 凌力尔特(Linear)推出集成式偏置和白光LED电源转换器解决方案LTC3524，该器件用于中小尺寸(3英寸至7英寸)薄膜晶体管(TFT)液晶显示屏(LCD)。LTC3524在2.5V至6V的输入电压范围内工作，适合多节碱性/镍氢金属电池以及单节锂离子电池应用。 |
| 2008-04-02 | Linear发布电源转换器解决方案LTC3524，适用于中小尺寸TFT应用 凌力尔特(Linear)推出集成式偏置和白光LED电源转换器解决方案LTC3524，该器件用于中小尺寸(3英寸至7英寸)薄膜晶体管(TFT)液晶显示屏(LCD)。LTC3524在2.5V至6V的输入电压范围内工作，适合多节碱性/镍氢金属电池以及单节锂离子电池应用。 |
| 2008-03-28 | 超越锑化铟，采用碳可获得最快的芯片 马里兰大学的研究人员称，碳晶体管会成为最快的晶体管，可以超越包括锑化铟在内的所有芯片材料。在College Park分校的这个研究团队最近对单层石墨烯作了表征，该材料由单原子层的纯碳片层构成。他们发现，与大部分半导体材料不同，石墨烯的相不随温度而改变。 |
| 2008-03-27 | 英特尔推出45纳米处理器至强处理器5400/5200系列 英特尔公司(Intel)宣布推出面向嵌入式市场的全新处理器(具有长达7年的生命周期支持)、芯片组及电信级服务器。据悉，这些处理器全部基于英特尔公司革命性的高k金属栅极晶体管技术，并采用先进的45纳米制程工艺，具体产品包括四核英特尔至强处理器5400系列和双核英特尔至强处理器5200系列。 |
| 2008-03-27 | 凌力尔特推出中小TFT LCD面板及白光LED电源方案LTC3524 凌力尔特(Linear Technology )日前发表LTC3524，其为一款专为小至中尺寸(3"至7")薄膜晶体管(TFT)液晶显示器(LCD)面板所提供的整合式BIAS及白光LED电源转换器解决方案。 |
| 2008-03-26 | 分子电阻研制成功，制造CMOS/分子混合电路有望 美国国家标准和技术研究院(NIST)研究人员日前表示，他们成功地寻找到了将由半导体材料组成的微电子电路与以复合有机分子材料组成的器件相连接的途径。在新出版的美国化学学会杂志上，研究人员撰文说，他们将有机分子单层结构组装到普通微电子硅基底上，获得了半导体和有机分子组成的电阻。据称，这种技术同样以硅为基底，与工业标准互补型金属氧物半导体晶体管(CMOS)生产技术相兼容，为未来CMOS/分子混合器件电路的制造铺平了道路，而该混合器件电路将是COMS之后即将出现的全分子技术的基础或前身。 |
| 2008-03-24 | Vishay推出新系列半桥600V及1200V IGBT模块 Vishay宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该系列由八个600V及1200V器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。 |
| 2008-03-19 | Vishay推出新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 Vishay推出新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 |
| 2008-03-11 | 芯片制造新材料获得最新进展，IBM声称大幅降低了石墨烯的噪声 据美国IBM T J Watson研究中心的研究人员称，利用一种新奇的双层架构，可以把石墨烯(graphene)晶体管中的噪声降至原来的10分之一。在晶体管线尺寸降至32纳米以下之后，对于任何材料制成的所有器件来说，噪声就变成了一个重大问题，这个问题遵守霍克(Hooge)定律。 |
| 2008-02-20 | 2015年有机“芯片”产品市场将达216亿美元 据业界分析机构NanoMarkets预测，到2015年，基于有机薄膜晶体管(OTFT)的产品和有机存储器的营收将达2160万美元。这些产品包括可卷曲显示器和背板、超低成本RFID标签和医疗诊断设备、大型柔性传感器阵列、智能封装、智能卡和电子增强型玩具游戏和贺卡。 |
| 2008-02-14 | TriQuint采用新的工艺制造毫米波器件 TriQuint Semiconductor Inc.公司推出了最新的工艺技术，制造新的毫米波级别的产品。该工艺使用了TriQuint晶体管技术，用光栅光刻取代了传统的传统的电子束技术。TriQuint的TQP13-N技术使得低成本，150-mm的砷化镓晶圆制造工艺成为可能。 |
| 2008-01-22 | 2008年最值得期待的十大半导体技术（下） 在半导体技术的发展史上，2008年是承载了最多辉煌的年份，60年前，第一只晶体管在贝尔实验室诞生，从此人类步入了飞速发展的电子时代。50年前，第一块集成电路在TI公司诞生，从此我们进入了微电子时代，40年前，仙童公司出走的“8叛逆”中的诺依斯、摩尔和葛罗夫创立了Intel公司，来自仙童公司的另一位员工C.Sporck 则创立了AMD，他们的创业引发了自硅谷席卷全球的高科技创业热潮！ |
| 2008-01-22 | 2008年最值得期待的十大半导体技术（上） 在半导体技术的发展史上，2008年是承载了最多辉煌的年份，60年前，第一只晶体管在贝尔实验室诞生，从此人类步入了飞速发展的电子时代。50年前，第一块集成电路在TI公司诞生，从此我们进入了微电子时代，40年前，仙童公司出走的“8叛逆”中的诺依斯、摩尔和葛罗夫创立了Intel公司，来自仙童公司的另一位员工C.Sporck 则创立了AMD，他们的创业引发了自硅谷席卷全球的高科技创业热潮！ |
| 2008-01-18 | 2008最值得期待的十大半导体技术（下） 在半导体技术的发展史上，2008年是承载了最多辉煌的年份，60年前，第一只晶体管在贝尔实验室诞生，从此人类步入了飞速发展的电子时代。50年前，第一块集成电路在TI公司诞生，从此我们进入了微电子时代，40年前，仙童公司出走的“8叛逆”中的诺依斯、摩尔和葛罗夫创立了Intel公司，来自仙童公司的另一位员工C.Sporck 则创立了AMD，他们的创业引发了自硅谷席卷全球的高科技创业热潮！ |
| 2008-01-18 | 2008年最值得期待的十大半导体技术 在半导体技术的发展史上，2008年是承载了最多辉煌的年份，60年前，第一只晶体管在贝尔实验室诞生，从此人类步入了飞速发展的电子时代。50年前，第一块集成电路在TI公司诞生，从此我们进入了微电子时代，40年前，仙童公司出走的“8叛逆”中的诺依斯、摩尔和葛罗夫创立了Intel公司，来自仙童公司的另一位员工C.Sporck 则创立了AMD，他们的创业引发了自硅谷席卷全球的高科技创业热潮！ |
| 2008-01-17 | 2008年最值得期待的十大半导体技术（下篇） 在半导体技术的发展史上，2008年是承载了最多辉煌的年份，60年前，第一只晶体管在贝尔实验室诞生，从此人类步入了飞速发展的电子时代。50年前，第一块集成电路在TI公司诞生，从此我们进入了微电子时代，40年前，仙童公司出走的“8叛逆”中的诺依斯、摩尔和葛罗夫创立了Intel公司，来自仙童公司的另一位员工C.Sporck 则创立了AMD，他们的创业引发了自硅谷席卷全球的高科技创业热潮！ |
| 2008-01-17 | 2008最值得期待的十大半导体技术（上） 在半导体技术的发展史上，2008年是承载了最多辉煌的年份，60年前，第一只晶体管在贝尔实验室诞生，从此人类步入了飞速发展的电子时代。50年前，第一块集成电路在TI公司诞生，从此我们进入了微电子时代，40年前，仙童公司出走的“8叛逆”中的诺依斯、摩尔和葛罗夫创立了Intel公司，来自仙童公司的另一位员工C.Sporck 则创立了AMD，他们的创业引发了自硅谷席卷全球的高科技创业热潮！ |
| 2008-01-16 | 08年最值得期待的十大半导体技术（上篇） 在半导体技术的发展史上，2008年是承载了最多辉煌的年份，60年前，第一只晶体管在贝尔实验室诞生，从此人类步入了飞速发展的电子时代。50年前，第一块集成电路在TI公司诞生，从此我们进入了微电子时代，40年前，仙童公司出走的“8叛逆”中的诺依斯、摩尔和葛罗夫创立了Intel公司，来自仙童公司的另一位员工C.Sporck 则创立了AMD，他们的创业引发了自硅谷席卷全球的高科技创业热潮！ |
| 2008-01-15 | 2008年最值得期待的十大半导体技术（下） 在半导体技术的发展史上，2008年是承载了最多辉煌的年份，60年前，第一只晶体管在贝尔实验室诞生，从此人类步入了飞速发展的电子时代。50年前，第一块集成电路在TI公司诞生，从此我们进入了微电子时代，40年前，仙童公司出走的“8叛逆”中的诺依斯、摩尔和葛罗夫创立了Intel公司，来自仙童公司的另一位员工C.Sporck 则创立了AMD，他们的创业引发了自硅谷席卷全球的高科技创业热潮！ |
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