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| 2012-03-26 | 为运算放大器增加过压保护 当运算放大器的输入电压超过额定输入电压范围，或者在极端情况下，超过放大器的电源电压时，放大器可能发生故障甚至受损。本文讨论过压状况的一些常见原因和影响，为无保护的放大器增加过压保护是如何的麻烦，以及集成过压保护的新型放大器如何能为设计工程师提供紧凑、鲁棒、透明、高性价比的解决方案。 |
| 2012-02-16 | TE提供8款全新硅静电放电保护器件 TE提供8款全新硅静电放电保护器件 |
| 2011-11-01 | ST新推EMI与ESD整合芯片，可支持SD 3.0数据速率 ST推出新款单片整合EMI滤波与静电放电防护两种功能的芯片，为配备SD 3.0超高速micro-SD卡槽的手机、平板电脑和3G无线网卡带来独一无二的保护功能。 |
| 2011-10-25 | 如何实现电路保护设计中的ESD保护？ 如何实现电路保护设计中的ESD保护？ |
| 2011-06-03 | TVS在便携电子设备ESD保护方案中的应用 TVS在便携电子设备ESD保护方案中的应用 |
| 2011-05-30 | 安森美新推集成ESD保护的共模滤波器 安森美新推集成ESD保护的共模滤波器 |
| 2011-02-16 | 英飞凌推出集成快速体二极管的650V MOSFET 泰科电子(TE)日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电(ESD)器件，以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表面贴装技术(SMT)被动封装配置的各种优势结合在一起。 |
| 2011-02-16 | 泰科电子推出标准0201和0402封装的ChipSESD保护器件 泰科电子(TE)日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电(ESD)器件，以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表面贴装技术(SMT)被动封装配置的各种优势结合在一起。 |
| 2011-01-13 | 英飞凌ESD3v3u4ulc阻尼二极管可实现USB 3.0端口的静电放电防护 英飞凌ESD3v3u4ulc阻尼二极管可实现USB 3.0端口的静电放电防护 |
| 2010-12-01 | 音频滤波器该如何实现一体化ESD/EMI保护 音频滤波器该如何实现一体化ESD/EMI保护 |
| 2010-04-20 | USB3.0 静电放电防护的最佳解决方案 USB3.0 静电放电防护的最佳解决方案 |
| 2010-01-11 | 安森美发布用于工业的NCV840x系列自保护低端MOSFET驱动IC 安森美半导体(ON Semiconductor)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC-Q101标准认证，非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。 |
| 2009-12-23 | 业内最小的手机静电放电保护装置问世 业内最小的手机静电放电保护装置问世 |
| 2009-12-18 | 安森美发布汽车级NCV840x系列低端自保护MOSFET驱动IC 安森美半导体(ON Semiconductor)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC-Q101标准认证，非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。 |
| 2009-12-17 | 安森美半导体发布汽车级自保护低端MOSFET驱动IC 安森美半导体(ON Semiconductor)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC-Q101标准认证，非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。 |
| 2009-12-12 | PicoGuard CM1227为消费电子产品带来极低电容静电放电保护 PicoGuard CM1227为消费电子产品带来极低电容静电放电保护 |
| 2009-12-11 | 新款超低电容静电放电装置PicoGuard CM1227 新款超低电容静电放电装置PicoGuard CM1227 |
| 2009-12-10 | California Micro Devices 推出新款 PicoGuard(R) 极低电容静电放电保护设备 California Micro Devices 推出新款 PicoGuard(R) 极低电容静电放电保护设备 |
| 2009-09-27 | Murata公司推出低电容ESD保护器件LXES系列 LXES系列基于硅芯片的ESD保护器件是用于保护电子设备免受静电放电(ESD)破坏，适合移动电话和PC应用。 |
| 2009-09-24 | Murata公司推出低电容ESD保护器件LXES系列 LXES系列基于硅芯片的ESD保护器件是用于保护电子设备免受静电放电(ESD)破坏，适合移动电话和PC应用。 |
| 2009-08-27 | PANGOLIN LASER新推激光二极管器件LASORB，免受ESD和反向偏压损害 LASORB元件称为静电放电(ESD)吸收器，能保护激光二极管、光电二极管和LED免受正极或负极的单个、多个和重复ESD事件的损害。 |
| 2009-08-27 | California Micro Devices新推PicoGuard低电容静电放电保护设备CM6100 California Micro Devices新推PicoGuard低电容静电放电保护设备CM6100 |
| 2009-08-25 | 免受ESD和反向偏压损害的激光二极管器件LASORB LASORB元件称为静电放电(ESD)吸收器，能保护激光二极管、光电二极管和LED免受正极或负极的单个、多个和重复ESD事件的损害。 |
| 2009-08-25 | PANGOLIN LASER发布免受ESD和反向偏压损害的激光二极管器件LASORB LASORB元件称为静电放电(ESD)吸收器，能保护激光二极管、光电二极管和LED免受正极或负极的单个、多个和重复ESD事件的损害。 |
| 2009-08-24 | PANGOLIN LASER推出免受ESD和反向偏压损害的激光二极管器件LASORB LASORB元件称为静电放电(ESD)吸收器，能保护激光二极管、光电二极管和LED免受正极或负极的单个、多个和重复ESD事件的损害。 |
| 2009-08-21 | California Micro Devices推出新PicoGuard低电容静电放电保护设备CM6100 California Micro Devices推出新PicoGuard低电容静电放电保护设备CM6100 |
| 2009-07-16 | 瑞萨推出两款双向齐纳二极管尺寸仅0.6 x 0.3mm 瑞萨科技(Renesas)推出两款新型双向齐纳二极管──RKZ7.5TKP与RKZ7.5TKL，可为行动装置的电路提供保护，以免因内部或外部静电放电(ESD)所产生的电压而受损。其中RKZ7.5TKP的封装尺寸仅0.6 × 0.3mm，据称是目前业界最小的一款齐纳二极管。 |
| 2009-07-15 | 瑞萨双向齐纳二极管尺寸仅0.6 x 0.3mm 瑞萨科技(Renesas)推出两款新型双向齐纳二极管──RKZ7.5TKP与RKZ7.5TKL，可为行动装置的电路提供保护，以免因内部或外部静电放电(ESD)所产生的电压而受损。其中RKZ7.5TKP的封装尺寸仅0.6 × 0.3mm，据称是目前业界最小的一款齐纳二极管。 |
| 2009-07-10 | 意法半导体推出单片电涌保护器件PEP01-5841 意法半导体(ST)推出全新的符合以太网供电标准的单片电涌保护器件，可以抑制包括静电放电(ESD)在内的高压电涌，有助于简化以太网供电设备的设计。意法半导体的PEP01-5841保护芯片用于保护电源设备(PSE)，例如通过以太网电缆提供48V电压的PoE以太网交换机或集线器。 |
| 2009-07-10 | 意法推出单片电涌保护器件PEP01-5841，应用于保护电源设备 意法推出单片电涌保护器件PEP01-5841，应用于保护电源设备 |
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