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| 2012-04-26 | IBM太赫兹石墨烯光电元件开启光电领域崭新应用 石墨烯由于可被制造成导体、半导体和绝缘体，因而一直被视为是未来的神奇材料。IBM展示了一种可为石墨烯带来光子特性的石墨烯/绝缘体超晶格，使其可实现达THz级频率的陷波滤波器与线性偏光片等光学元件，有助于在未来扩展至中红外线和远红外线波段的光电设备，如探测器、调制器与3D超颖材料应用中。 |
| 2012-03-08 | 基于SOI技术的下一代三相栅级驱动器 许多功率高达3 kW的驱动应用都要求使用外形小巧的功率电子元件。英飞凌第二代三相驱动器可完全满足这一要求。这个家族立足于英飞凌专有的绝缘体上硅（SOI）技术，能在目标应用中提供高可靠性。该元件的特点和功能组合，有助于减少使用外置比较器和偏置元件。这使得该第二代产品特别适合广泛用于消费电子产品和低成本工业变频器的驱动。 |
| 2011-05-10 | 美科学家研究超导场效应晶体管取得重大进展 对超导性的电阻提出合理诠释，促使美国能源部下属机构布鲁克海文国家实验室制造出了完美的原子级超薄膜，精确地表现出从绝缘体转变为超导体的特征。 |
| 2010-11-15 | 美科学家用MIM架构研发新一代量子穿隧方案 美国奥勒冈州立大学(Oregon State University，OSU)的研究人员宣布，已经利用金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)架构，找到了一种更好的量子穿隧(quantum tunneling)方案，可望因此催生速度更快、耗电更少、运作温度更低的电子组件。 |
| 2010-04-09 | 全塑晶体管诞生 通过将有机导体，半导体和绝缘体喷墨打印到一层昂贵的聚合物基板上可生成全塑晶体管，这种全塑晶体管可以大幅降低有机太阳能电池的价格。 |
| 2010-04-08 | 塑料晶体管诞生 通过将有机导体，半导体和绝缘体喷墨打印到一层昂贵的聚合物基板上可生成全塑晶体管，这种全塑晶体管可以大幅降低有机太阳能电池的价格。 |
| 2009-12-31 | 高性能热感知传感器问世，可防止电池因过热而爆炸 韩国研究人员在绝缘体变导体技术的基础上，开发成功高性能热感知传感器。这种传感器可将现有同类传感器的热感知性能提高100倍，能有效防止电池因过热而爆炸。 |
| 2009-11-27 | AMD两款新x86内核浮出水面，针对英特尔Atom AMD描述了两款新x86内核的概貌——其中一款针对英特尔Atom——计划于2011年投产。此外AMD正在开发自己第一款集成x86内核与GPU的32nm制程Fusion系列处理器，将于六月前出样。 |
| 2009-11-26 | 针对英特尔Atom，AMD两款x86内核计划出炉 AMD描述了两款新x86内核的概貌——其中一款针对英特尔Atom——计划于2011年投产。此外AMD正在开发自己第一款集成x86内核与GPU的32nm制程Fusion系列处理器，将于六月前出样。 |
| 2008-11-26 | 研究者提出激光存储理论，采用绝缘晶体作为存储器 过去通常将数据通过电荷充电的方式保存，CMOS一直都是电子芯片中的老大。现在美国约翰霍普金斯大学的科学家们提出了一种超低功耗的替代性方案，采用激光利用绝缘体内部的激子（exciton）状态对数据进行编码。 |
| 2008-08-07 | 科学家揭开室温超导现象关键成因 英国剑桥大学科学家在近期出版的《自然》杂志上发表论文称，他们首次确定了室温超导的一个关键成因。研究人员发现，在超导性中扮演重要角色的电荷“空穴”载体源于氧化铜超导体的内部电子结构。这些发现对于下一步揭秘将空穴结合在一起的“胶”，并确定是什么使其能够超导至关重要。 |
| 2007-11-13 | 摩托罗拉实验室联合Phiar，验证用于WPAN器件中的金属氧化物材料 在摩托罗拉实验室与Phiar公司的联合开发下，成功地验证了一种可行的、用来替代毫米波60GHz WPAN器件中半导体材料的金属绝缘体电子电路。 |
| 2007-11-13 | 摩托罗拉实验室携手Phiar，验证用于WPAN器件中的金属氧化物材料 在摩托罗拉实验室与Phiar公司的联合开发下，成功地验证了一种可行的、用来替代毫米波60GHz WPAN器件中半导体材料的金属绝缘体电子电路。 |
| 2007-11-12 | 摩托罗拉实验室与Phiar成功验证用于WPAN器件的金属氧化物材料 在摩托罗拉实验室与Phiar公司的联合开发下，成功地验证了一种可行的、用来替代毫米波60GHz WPAN器件中半导体材料的金属绝缘体电子电路。 |
| 2007-10-30 | IMEC扩展32纳米CMOS器件研究范围，纳入DRAM MIMCAP工艺技术研究 比利时研究组织IMEC已扩展其32纳米CMOS器件微缩(scaling)研究工作的范围，纳入了一个关于DRAM MIMCAP(金属-绝缘体-金属电容器)工艺技术的研究项目。IMEC表示，这将使它以及32纳米计划中的许多伙伴能够解决未来节点上DRAM MIMCAP对于材料和集成的要求。 |
| 2007-10-26 | 绝缘体可作传感器，新创公司发布最新嵌入式感测技术 绝缘体可作传感器，新创公司发布最新嵌入式感测技术 |
| 2007-10-25 | 绝缘体可作传感器，新创公司发布最新嵌入式感测技术 绝缘体可作传感器，新创公司发布最新嵌入式感测技术 |
| 2007-08-03 | 提高微处理器性能，ARM选用Intrnisity“Fast14 1-of-N”逻辑工艺 对于范围广阔的主流消费电子应用来说，为了尽可能以最低的功耗压榨出尽可能多的性能，微处理器供应商已经开始重新考虑过去被标为不切实际、成本太贵和难以制造的种种选项。这些选项包括绝缘体上硅(SOI)、蓝宝石上硅、异步自定时逻辑、动态CMOS逻辑及其变量、多米诺逻辑。 |
| 2007-03-26 | 将光电检测器集成到SOI上，单芯片CMOS接收器研制成功 Luxtera公司已将飞斯卡尔半导体的绝缘体硅片(SOI)工艺运用于它的一款集成接收器中，这款接收器中还带有一个在波导被蚀刻到SOI基片后所添加的分层纯锗光电检测器。 |
| 2006-10-18 | 绝缘体也可变导体！高性能热感知传感器韩国诞生 绝缘体也可变导体！高性能热感知传感器韩国诞生 |
| 2006-09-21 | Advanced推出表面封装板连接新品B2B高密度SMT连接器 Advanced Interconnections新推出B2B高密度SMT连接器，是业界目前性能最坚固的表面封装板连接产品，间距为1.27mm。B2B连接器采用螺钉终端、有多个触点，并采用该公司独特的焊接球终端设计、可靠性强。 |
| 2006-09-04 | Advanced Interconnections推出高密度SMT连接器 Advanced Interconnections新推出B2B高密度SMT连接器，是业界目前性能最坚固的表面封装板连接产品，间距为1.27mm。B2B连接器采用螺钉终端、有多个触点，并采用该公司独特的焊接球终端设计、可靠性强。 |
| 2005-11-01 | COT工具套件使SOI设计变得容易 绝缘体硅(SOI)具有比Bulk CMOS更胜一筹的性能和功耗优势，但成本和设计等方面的问题使其在很大程度上被排斥于ASIC市场之外。 |
| 2005-09-09 | 开发基于LIN协议的新型汽车传感器系统 随着汽车的电子含量不断提高，对低成本、高可靠性传感器系统的需求变得越来越重要。 |
| 2005-08-05 | NEC超低功耗技术欲大幅延长电池使用时间 NEC公司旗下的两个部门通过集成高K技术和体偏置方案(body-biasing)，研制出面向移动设备的降低待机功耗的技术。 |
| 2005-07-15 | 采用SOI技术的CAN收发器实现EMC优化重大突破 网络电子系统在汽车和工业应用中日益得到广泛部署，飞利浦采用独特的新型绝缘体上硅芯片(SOI)技术推出的控制域网络(CAN)接收器，具有卓越的EMC性能，既可提高可靠性又能有效地降低系统成本。本文将介绍飞利浦半导体公司的SOI技术及其在实现CAN收发器EMC优化方面的重大突破。 |
| 2005-03-21 | 安捷伦DC/RF/脉冲参数测试仪面向65nm工艺鉴定 安捷伦科技日前宣布推出Agilent 4075和4076 DC/RF/脉冲参数测试仪，用来鉴定使用高级工艺技术(如65nm技术节点)制造的器件。通过Agilent 4075和4076，半导体测试工程师可以同时测量RF特点和DC特点，以满足当前体积日益缩小的多样化半导体器件需求，如65nm及更高工艺的超薄栅氧化物晶体管、绝缘体上硅(SOI)晶体管和高介电常数(高k)器件。 |
| 2003-06-20 | PVI - 一种新的电流环境 该应用指南讨论了光电绝缘体(PVI)内部工作原理和相关属性，以及如何进行设计。 |
| 2002-03-12 | 传导单元的维护 本应用指南解释了传导单元的清洁及维护方法。 |
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