什么是存储器？
| 存储器是用来存储程序和数据的部件，有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据就会丢失。 |
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| 2012-02-10 | Ramtron在IIC China 2012上展示超低功耗非易失性存储器 Ramtron在IIC China 2012上展示超低功耗非易失性存储器 |
| 2012-02-09 | IIC 2012华虹NEC借创新特色工艺寻求突破 华虹NEC将在IIC-China 2012现场展示最全系列的嵌入式非挥发性存储器平台组合：0.35um eOTP/eMTP/eEEPROM、0.25um eFlash、0.18um eEEPROM与0.13um eFlash和0.13um eEEPROM；真正的Flash+EEPROM 0.13um平台，几十万片晶圆出货，产品涵盖智能卡、安全加密芯片、电容屏触摸屏控制器以及高档电池管理系统、智能电表控制器等MCU/SoC。 |
| 2012-02-08 | Ramtron推出F-RAM系列中首款超低功耗存储器 Ramtron推出F-RAM系列中首款超低功耗存储器 |
| 2012-02-06 | 惠瑞捷连续三年荣膺VLSI Research五星级客户满意度大奖 爱德万集团旗下公司惠瑞捷在 VLSI Research的 2011年芯片制造设备客户满意度调查中连续第三年获得五星级大奖。在今年荣获五星级大奖的14家半导体设备公司中，惠瑞捷再次成为唯一的系统级芯片(SoC)和存储器测试设备制造商。 |
| 2012-02-01 | Ramtron新推2 Mb串口非易失性F-RAM存储器 Ramtron新推2 Mb串口非易失性F-RAM存储器 |
| 2012-01-19 | 美科学家质疑当前忆阻器理论 来自美国维吉尼亚阿灵顿的Blaise Mouttet，稍早前在arXiv.org上发表了一篇论文，这篇文章一开始便直言：“电路理论家蔡少棠(Leon Chua)针对忆阻器的过零紧磁滞曲线定义是错误的”。 |
| 2011-12-31 | 华芯中国首条存储器集成电路封测生产线上线投产 华芯中国首条存储器集成电路封测生产线上线投产 |
| 2011-12-29 | IMEC研究10nm级超小型RRAM存储单元 欧洲研究机构IMEC在国际电子元件大会上，提出了尺寸仅10nm x 10nm的电阻式RAM存储单元。据IMEC称这种超小型的存储器具有取代NAND闪存的潜力。 |
| 2011-12-28 | 盛群发布HID Flash MCU HT45F2Y 盛群新推出HID Flash MCU HT45F2Y，符合工业上-40℃~85℃工作温度与高抗噪声的性能要求，搭载数据存储器，可有效提高生产效能与产品弹性。 |
| 2011-12-27 | 2011“手机十大元器件”新闻及展望 电子工程专辑首席分析师孙昌旭对手机主芯片(BB+AP)、屏/触控IC、存储器、射频PA、无线连接、MEMS传感器、摄像、电源管理、高清接口以及移动电视芯片等十大部件进行年终总结与展望，欢迎批评指正。 |
| 2011-12-27 | 版权保护or别有居心？五大存储器厂商发起“安全存储倡议” 版权保护or别有居心？五大存储器厂商发起“安全存储倡议” |
| 2011-12-23 | 美提名下一代杀手级应用 3D芯片成最大技术挑战 美国半导体科技研发联盟日前共同定义出了异质运算、存储器、图形、智能传感系统、通信交换机，以及电力输送/调节等几项颇具潜力的未来杀手级应用技术。而与这些应用相关的技术挑战，则包括：降低3D芯片架构成本、系统/架构寻址(pathfinding)、通用的异质多裸晶堆叠测试问题以及散热管理。 |
| 2011-12-22 | 固态技术协会将发布首个3D芯片接口标准 继今年稍早宣布投入开发3D IC标准后，JEDEC表示，最快今年12月底或明年一月初，将可公布首个3D IC接口标准。在GSA的3D IC工作小组于上周举行的会议中，英特尔的Ken Shoemaker介绍了关于WideIO存储器规范在电子和机械接口方面的细节。 |
| 2011-12-22 | 赛普拉斯串行nvSRAM助力Aclara AMI模块 赛普拉斯半导体公司日前宣布Aclara Technologies已在其全新UMT-R家用电表中选用赛普拉斯带SPI接口的串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)。串行nvSRAM可为UMT-R提供高速故障安全型存储器功能，能够充分满足以可靠性规范著称的Aclara解决方案的需求。 |
| 2011-12-19 | Linear新款DC/DC控制器LTC3876符合DDR标准 Linear推出高效率双输出同步降压型DC/DC控制器LTC3876，该器件为DDR1/DDR2/DDR3以及未来的标准存储器应用产生VDDQ电源电压、VTT总线终端电压和VTTR基准电压。 |
| 2011-12-12 | 28nm HKMG非易失性存储器的反熔丝解决方案 28nm HKMG非易失性存储器的反熔丝解决方案 |
| 2011-12-09 | 莱迪思推出新一代MachXO2 PLD系列 Lattice宣布MachXO PLD（可编程逻辑器件）自量产起已经发运了超过7千5百万片。构建于成功的莱迪思MachXO PLD结构的基础之上，现在莱迪思为新的设计推出了新一代MachXO2 PLD系列。 |
| 2011-12-02 | 三星发布新一代20nm 8G相变存储器，PCM商用化更进一步 三星发布新一代20nm 8G相变存储器，PCM商用化更进一步 |
| 2011-12-02 | 富士通内置存储器的第二代转码器即将问市 富士通内置存储器的第二代转码器即将问市 |
| 2011-11-28 | 爱普生为小尺寸电子纸显示推出S1C17F57微控制器 为满足日益增长的小尺寸电子纸显示屏的需求，在低功耗技术方面擅长的爱普生公司适时地推出了集存储器、定时器、串行接口等多种标准功能为一体的S1C17F57微控制器，主要以包括智能银行卡、电子货架标签、电池指示器以及手表等的大型成长产品为目标市场。 |
| 2011-11-25 | 盛群全新Enhanced Flash MCU系列再添新品 继全新系列的Enhanced Flash MCU，I/O型的HT68Fxx系列及A/D型的HT66Fxx系列后，盛群再推出12KWords HT68F60及HT66F60系列，全系列符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声的性能要求。 |
| 2011-11-18 | 韩国SK电信收购海力士21%股份 报道，韩国最大的移动服务运营商SK电信本周一表示，与存储器芯片厂商海力士半导体签署了一份协议，韩国电信将收购海力士21%的股份。 |
| 2011-11-17 | 微芯全新具有电池切换功能的SPI RTCC器件出炉 微芯推出全新独立实时时钟/日历（RTCC）器件系列。MCP795WXX/BXX RTCC器件具备10 MHz SPI接口、非易失性存储器和比竞争器件性价比更高的有效功能组合。 |
| 2011-11-15 | 适用于系统级验证的VMM多层框架 本文将介绍传统的系统级验证方法，并说明改进的新方法，进一步阐述分层架构及其优势。本文还将讨论通过适当的线程和存储器管理来改善运行时间的技术，以及利用分离编译和多核编译技术解决编译时间较长问题的方法。最后，本文将涉及该测试平台如何利用VMM录制/回放方法来避免随机稳定性问题，以及如何支持汇编格式的测试转储。 |
| 2011-11-16 | ST新款双接口存储器M24LR16E实现无电池系统设计 ST新款双接口存储器M24LR16E实现无电池系统设计 |
| 2011-10-27 | Vicor推出迷你高效的电源模块应对能效挑战 电源模块作为可以直接贴装在印刷电路板上的电源供应器，特点是可为专用集成电路（ASIC）、数字信号处理器(DSP)、微处理器、存储器、现场可编程门阵列(FPGA)及其他数字或模拟负载提供供电。随着半导体工艺、封装技术和高频软开关的大量使用，模块电源优势越发明显。 |
| 2011-10-27 | Ramtron全新高速串口F-RAM存储器系列出样 Ramtron全新高速串口F-RAM存储器系列出样 |
| 2011-10-26 | 3D闪存将优先于RRAM技术进入市场 基于金属氧化物的非挥发性存储器──电阻式RAM(RRAM)，在11nm节点前不可能进入市场；在此之前，堆叠式浮闸NAND闪存相对较具潜力，而且很可能会朝向2~4Tbit的独立型整合芯片发展。 |
| 2011-10-25 | 美生产出印刷“CMOS”存储器，或改变人机交互方式 美生产出印刷“CMOS”存储器，或改变人机交互方式 |
| 2011-10-13 | “闪存终结者”忆阻器或于2013年商用化 惠普实验室资深院士Stan Williams声称，该公司自2008年开始研发，基于“忆阻器”技术的两端点、非挥发性存储器技术，可望在未来18个月内投入市场，甚至取代闪存。 |
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