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| 2012-02-09 | IIC 2012华虹NEC借创新特色工艺寻求突破 IIC 2012华虹NEC借创新特色工艺寻求突破 |
| 2012-02-08 | AMD发布平板处理器 新蓝图欲终结“工艺流血战” AMD发布平板处理器 新蓝图欲终结“工艺流血战” |
| 2012-02-03 | 台积电反击28nm工艺良率问题传言 台积电反击28nm工艺良率问题传言 |
| 2012-01-30 | 28nm工艺技术受限，32nm工艺有机会抢得先机 28nm工艺技术受限，32nm工艺有机会抢得先机 |
| 2012-01-18 | 和舰、常忆与晶心科技共推MCU解决方案 SMSC日前宣布，该公司最新一代的JukeBlox 3.0 (JB3.0)平台已针对数码音乐特性、系统整合和用户体验进行了基本的特性增强。这是新款JB3.0平台的重要进展，可适应具有联网功能的消费电子产品对于鲁棒的WiFi性能、易用性和较低产品成本等重要需求，进而推动主流市场的采用。 |
| 2012-01-09 | 瑞萨为汽车实时应用开发首款40nm工艺嵌入式闪存技术 瑞萨为汽车实时应用开发首款40nm工艺嵌入式闪存技术 |
| 2012-01-06 | 日系厂商持续领导电子产品周边器件创新 当欧美公司在半导体市场掌握着主控IC的主要话语权时，日系厂商却在另一个领域不离不弃，不断创新——这就是周边电子器件，并且，当主芯片在性能、工艺上的比拼变得越来越透明的时候，周边器件的创新将会成为未来电子产品差异化的重要手段。而这种差异化的实现，并不需要终端厂商付出像主芯片那样的昂贵的代价。 |
| 2011-12-26 | SiP技术在基站接收器集成化进展中的作用 μModule接收器证明：宏基站性能可以在一个完全集成和紧凑的封装之中得以实现。或许随着时间的过去人们可以克服性能上的局限性，从而允许信号链路中的所有功能部件都采用一种通用的半导体工艺。而在那一天到来之前，集成的压力将持续存在，而SiP技术在性能和外形尺寸方面可提供明显的优势。 |
| 2011-12-20 | 英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存 英特尔和美光科技日前宣布，已开发出128Gb的NAND闪存，新元件采用了针对闪存改良的20nm工艺制程，将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。 |
| 2011-12-16 | 上海智浦欣推出最新一代D类音频功放，可在2.4V~6.5V下工作 上海智浦欣推出最新一代D类音频功放CS8121S。CS8121S采用了针对功放应用特别优化的高压CMOS工艺，使得D类功放的工作电压范围大幅提高，在2.4V至6.5V的电源电压下，CS8121S都能正常工作。 |
| 2011-12-15 | Edwards最新推出iXH500H系列干泵 Edwards扩展其广受欢迎的应用于严苛工艺的iXH产品系列，最新推出iXH500H系列干泵。新的500m3/h干泵系列针对需要较高气体流量和灵活泵温范围的平板显示器、太阳能和先进半导体工艺而优化。 |
| 2011-12-14 | SOI联盟开发出简单低风险FDSOI工艺，性能堪比FinFET SOI联盟开发出简单低风险FDSOI工艺，性能堪比FinFET |
| 2011-12-07 | 美光利用IBM TSV工艺制造3D混合内存，传输速度提升15倍 美光利用IBM TSV工艺制造3D混合内存，传输速度提升15倍 |
| 2011-12-02 | 三星发布新一代20nm 8G相变存储器，PCM商用化更进一步 三星电子即将于2012年国际固态电路会议(ISSCC 2012)上发表采用20nm工艺制程的8Gbit相变存储器(PCM)元件，预期此举将再度挑起相变存储器是否可商用化上市的辩论。 |
| 2011-11-28 | 格罗方德搞砸老东家28nm APU，AMD或提分手 根据AMD内部消息，因为Globalfoundries的28nm工艺在达到高良率上有所困难，AMD可能将放弃委托Globalfoundries(格罗方德)代工28纳米APU，如果AMD真的更换了代工厂，这对Globalfoundries将是一个沉重的打击。 |
| 2011-11-23 | 65nm成本40nm功耗，创新55nm工艺为消费终端ASIC设计带来福音 65nm成本40nm功耗，创新55nm工艺为消费终端ASIC设计带来福音 |
| 2011-12-01 | 数字电源使分立式逆变器系统更有效率、更智能 目前太阳能产业持续蓬勃发展，但是仍然存在转换效率低和成本过高的问题。除了期待电池工艺的改进，还需提升太阳能系统的电能供应效率。本文将介绍一些提高太阳能系统转换效率的新技术和新设计。 |
| 2011-11-15 | 提升放大器工艺和设计能力之路 提升放大器工艺和设计能力之路 |
| 2011-11-15 | 利用专用晶圆加工工艺实现高性能模拟IC 高性能电子产品需要高精度模拟CMOS工艺技术，从而实现接近理想的MOS晶体管、电阻、电容以及专用JFET和DECMOS器件。为了实现最终芯片的差异化，必须对这种关键的器件从头进行设计，使精度设计贯穿整个设计周期。曾经专属于模拟IDM的技术领域(比如高性能模拟CMOS工艺技术)如今可以通过专业晶圆厂来实现。在这种趋势下，设计人员现在可以通过采用晶圆厂开发的模拟CMOS工艺实现其芯片，从而更快地实现更大的差异化。 |
| 2011-11-16 | 微捷码RTL-to-GDSII流程助力Adapteva 28nm微处理器设计 微捷码(Magma)设计自动化有限公司日前宣布，Adapteva采用了微捷码软件进行针对GLOBALFOUNDRIES的28纳米SLP工艺的Epiphany-IV 64核微处理器阵列IC的投片。 |
| 2011-11-15 | 基于数字低中频的轮调数显方案有效简化收音机设计 本文介绍Silicon Labs(芯科实验室)近日宣布推出的新一代多波段收音机接收器IC解决方案Si484x，使轮调收音机产品具有现代的数字显示功能。由于Si484x基于该公司专利的数字低中频架构，并采用CMOS工艺提供了很高的集成度，因此具有较佳的RF性能并节约成本。 |
| 2011-12-01 | 六大发现折射中国IC设计十年蜕变 基于今年《电子工程专辑》第10届“中国IC设计公司调查”活动的结果，本刊梳理出过去10年中国IC设计企业发生的变化，归纳出六大发现，本文将对这些发现和变化进行深入分析，解读中国IC设计企业的发展现状及未来走向。 |
| 2011-11-11 | 下一代IC设计对EDA工具提出更高要求 十年来，中国IC设计业持续保持着高速增长。但是随着系统越来越复杂，工艺越来越先进，成本越来越高昂，他们如何面对这些挑战？著名的EDA厂商Cadence副总裁、中国区总经理刘国军先生近期接受了本刊专访，纵论行业趋势，以及针对中国市场的一些策略方案，本文摘录其中重点内容与读者共享。 |
| 2011-11-07 | 28nm工艺良率受光刻制程制约 28nm工艺良率受光刻制程制约 |
| 2011-10-28 | 22nm以下半导体光刻工艺最大挑战将来自成本 22nm以下半导体光刻工艺最大挑战将来自成本 |
| 2011-10-27 | Vicor推出迷你高效的电源模块应对能效挑战 电源模块作为可以直接贴装在印刷电路板上的电源供应器，特点是可为专用集成电路（ASIC）、数字信号处理器(DSP)、微处理器、存储器、现场可编程门阵列(FPGA)及其他数字或模拟负载提供供电。随着半导体工艺、封装技术和高频软开关的大量使用，模块电源优势越发明显。 |
| 2011-10-27 | Ramtron全新高速串口F-RAM存储器系列出样 Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性铁电RAM存储器的预认证样片，新产品采用Ramtron全新美国晶圆供应商的铁电存储器工艺制造，具有1万次 (1e12)的读/写循环、低功耗和无延迟(NoDelay )写入特性。 |
| 2011-10-26 | 英特尔22nm FinFET工艺Ivy Bridge延迟至明年3月问世 英特尔22nm FinFET工艺Ivy Bridge延迟至明年3月问世 |
| 2011-10-25 | 台积电28nm工艺正式进入量产 台积电28nm工艺正式进入量产 |
| 2011-10-21 | ARM A7处理器树立智能手机能耗新标杆 ARM发布了节能的Cortex-A7处理器内核，该处理器将作为异构多核战略的一部分，搭配高端Cortex-A15处理器使用。ARM称采用28nm工艺的A7内核性能更好、更省电，是迄今为止能效比最好的内核。 |
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