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| 2012-02-10 | 飞兆、英飞凌扩展功率MOSFET封装兼容协议 飞兆、英飞凌扩展功率MOSFET封装兼容协议 |
| 2012-02-10 | Vishay新推线性位置传感器，寿命长达1000万次循环 Linear推出双输出同步降压型DC/DC控制器LTC3861，该控制器可与外部功率链器件(如Power Block和DrMOS)、以及分立式N沟道MOSFET和相关的栅极驱动器配合工作，从而实现了灵活的设计配置。 |
| 2012-02-10 | Linear发布DC/DC控制器LTC3861，可与Power Block及DrMOS运行 Linear推出双输出同步降压型DC/DC控制器LTC3861，该控制器可与外部功率链器件(如Power Block和DrMOS)、以及分立式N沟道MOSFET和相关的栅极驱动器配合工作，从而实现了灵活的设计配置。 |
| 2012-02-03 | 英飞凌为汽车电子功率MOSFET提供创新型H-PSOF封装 英飞凌为汽车电子功率MOSFET提供创新型H-PSOF封装 |
| 2012-01-07 | 借助新一代SenseFET实现精确的电流感测 测量、控制及优化功率是电子系统的基础需求，它们取决于精确地感测负载电流，以达到提升能效、延长电池使用时间，以及在故障事件中保护系统元件等目标。随着提升能效、精确度及降低成本的需求增多，基于电流感测MOSFET的新一代方案逐步替代了传统的分流电阻或类似无源电路。不同于前代器件，新一代SenseFET拥有紧密的感测电流容限，可实现精确电流感测。 |
| 2011-12-28 | ST MDmesh V功率MOSFET新增成员STW88N65M5 ST MDmesh V功率MOSFET新增成员STW88N65M5 |
| 2011-12-13 | 采用多晶锗硅栅减少p沟道功率沟槽MOSFET开关时间 采用多晶锗硅栅减少p沟道功率沟槽MOSFET开关时间 |
| 2011-11-21 | AOS发布超低RDS(ON)的超薄功率MOSFET AOS发布超低RDS(ON)的超薄功率MOSFET |
| 2011-11-15 | Vishay新款不对称功率MOSFET简化DC/DC转换器的设计 Vishay新款不对称功率MOSFET简化DC/DC转换器的设计 |
| 2011-11-01 | Vishay新增通过JAN认证的n沟道功率MOSFET Vishay新增通过JAN认证的n沟道功率MOSFET |
| 2011-10-21 | Vishay最新功率MOSFET再次刷新业内最小尺寸记录 Vishay最新功率MOSFET再次刷新业内最小尺寸记录 |
| 2011-11-01 | 面向汽车通孔应用的高性能功率半导体封装 面向汽车通孔应用的高性能功率半导体封装 |
| 2011-10-03 | 创新的过功率补偿技术 创新的过功率补偿技术 |
| 2011-09-16 | IR提供新系列40V至200V车用MOSFET IR提供新系列40V至200V车用MOSFET |
| 2011-09-14 | Intersil全球首款双通道6A MOSFET驱动器问市 Intersil全球首款双通道6A MOSFET驱动器问市 |
| 2011-08-30 | 驱动LED的理想方法:反相升降压拓朴调节 若需控制LED亮度，就必须具备能够提供恒定、稳压电流的驱动器。而要达到此目标，驱动器拓朴必须能产生足够的输出电压来顺向偏置LED。那么当输入和输出电压范围重叠时，设计人员又该如何选择呢？ |
| 2011-08-22 | 安森美提供基于电流镜CAT2300的系统级电源管理方案 安森美推出带开关控制器的电流镜CAT2300，将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NS SENSEFET功率MOSFET器件结合使用，能提供紧凑、高能效的电流监控方案。 |
| 2011-08-18 | Vishay发布新款8V功率MOSFET，可在1.2V下导通 Vishay发布新款8V功率MOSFET，可在1.2V下导通 |
| 2011-08-16 | NXP发布最新电源管理方案，集成低VCEsat晶体管和Trench MOSFET NXP发布最新电源管理方案，集成低VCEsat晶体管和Trench MOSFET |
| 2011-08-15 | Linear新DC/DC控制器实现严紧的输出电压调节 Linear推出具备非线性控制、差分输出电压检测和时钟同步功能的固定频率同步降压型DC/DC控制器LTC3867。非线性控制通过提高工作频率最大限度地减小了负载瞬变过程中的输出电压摆幅，因而使得LTC3867仅在几个周期内就能从大负载阶跃中恢复。 |
| 2011-08-08 | TI最新SWIFT降压稳压器TPS54062简化工业电源设计 日前，德州仪器(TI)宣布推出一款50 mA、60 V同步SWIFT降压稳压器，可在尺寸仅为125平方毫米的解决方案中提供高效率与低噪声的性能。该TPS54062集成高侧与低侧功率MOSFET，可为噪声敏感型工业自动化与传感器控制、智能仪表、电信、计算以及消费类设计提供高效率电源转换与瞬态保护。 |
| 2011-08-01 | 瑞萨功率MOSFET新增N0413N和N0601N 瑞萨功率MOSFET新增N0413N和N0601N |
| 2011-07-21 | IR推出PQFN封装新系列功率MOSFETs IR推出PQFN封装新系列功率MOSFETs |
| 2011-07-14 | iWatt LED背光驱动系列又增新品iW7032，用于超薄LED电视 电源供应商iWatt日前宣布其DC/DC LED背光驱动产品家族又增加了一颗新星——iW7032，它可同时驱动32列LED。与iW7040(可驱动64列LED)类似， iW7032是一颗混合模式IC，运用iWatt数字自适应开关技术，并且集成了功率MOSFET。 |
| 2011-07-13 | 飞兆提供不同功率范围的LED照明解决方案 飞兆提供不同功率范围的LED照明解决方案 |
| 2011-07-06 | Diodes闸极驱动器ZXGD3006E6降低IGBT开关损耗 Diodes公司推出专为开关高功率IGBT设计的ZXGD3006E6闸极驱动器，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。 |
| 2011-07-06 | 美高森美发布DRF混合模块设计指南 美高森美日前发布用于开发下一代高电压大功率系统的设计指南，这些系统以公司独有的数字射频(digital radio frequency, DRF)系列混合模块为基础。 |
| 2011-06-30 | Atmel提供用于照明市场的全新多通道LED驱动器系列 Atmel宣布推出用于背光照明和固态照明市场的全新智能多通道LED驱动器系列。全面的爱特梅尔LED驱动器产品系列为设计工程师提供了经过业界验证的效率优化器(efficiency optimizer, EO)技术、灵活的调光功能、用于超宽功率范围的调整能力、用户可编程能力和较低的材料成本。 |
| 2011-06-21 | ST发布采用第六代STripFET技术的功率MOSFET最新产品 ST发布采用第六代STripFET技术的功率MOSFET最新产品 |
| 2011-06-16 | ST发布其首款航天级抗辐射功率MOSFET系列 ST发布其首款航天级抗辐射功率MOSFET系列 |
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