什么是晶体管？
| 晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 晶体管是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。 |
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| 2012-02-03 | Linear新推超宽带宽高线性度I/Q解调器LTC5585 Linear推出超宽带宽直接转换I/Q解调器LTC5585，该器件具卓越的线性性能，可满足新一代宽带LTE多模式接收器和数字预失真(DPD)接收器的带宽需求。 |
| 2012-02-03 | 英飞凌为汽车电子功率MOSFET提供创新型H-PSOF封装 英飞凌科技股份公司近日推出一种创新型封装技术，为纯电动汽车和混合动力汽车等要求苛刻的汽车电子应用带来更大的电流承受能力和更高效率。新推出的TO封装符合JEDEC标准H-PSOF。 |
| 2011-12-28 | ST MDmesh V功率MOSFET新增成员STW88N65M5 ST推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管,MDmesh V体现了ST最新的经过市场检验的Multi-Drain Mesh技术。 |
| 2011-12-21 | Vishay六款全新光耦器件扩大其光电子产品组合 Vishay发布了6款低输入电流并带有光电晶体管输出，采用DIP-4、SSOP-4半节距miniflat和SOP-4L加长型miniflat封装的光耦,扩大其光电子产品组合。新光耦具有优异的隔离性能，能够保障人身和设备安全。 |
| 2011-12-20 | 英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存 英特尔和美光科技日前宣布，已开发出128Gb的NAND闪存，新元件采用了针对闪存改良的20nm工艺制程，将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。 |
| 2011-12-13 | Diodes最新LED驱动器可控制九个串联LED电流 Diodes推出AL5802线性LED驱动器，提供简单、具成本效益及低电磁干扰的解决方案。该驱动器集成了一个高增益的NPN晶体管，其预偏置NPN输出晶体管的额定电流为30V，足以控制多达九个低功率串联LED的电流。 |
| 2011-12-09 | 美研究将MEMS晶体管集成至CMOS电路，可取代独立晶振 美研究将MEMS晶体管集成至CMOS电路，可取代独立晶振 |
| 2011-12-01 | NXP中功率晶体管家族首位小型晶体管成员登场 NXP中功率晶体管家族首位小型晶体管成员登场 |
| 2011-11-23 | 飞兆OptoHiT系列光耦合器新增成员FODM8801 飞兆半导体开发出FODM8801光耦合器，该器件是OptoHiT系列高温光电晶体管光耦合器的成员。这些器件使用飞兆半导体专有的OPTOPLANAR共面封装(coplanar packaging)技术，可在高工作温度下实现高抗噪能力和可靠隔离。 |
| 2011-11-21 | MIT研究仿生芯片，可模拟大脑神经元活动 MIT的研究人员设计了一种芯片，会模仿人脑神经元是如何回应新讯息。该款内含400个晶体管的芯片可模拟单一大脑突触的活动，将已知的神经元生物学与突触可塑性整合到CMOS芯片上的一大进展。 |
| 2011-11-17 | IR再次扩充600V IGBT系列 IR近日扩充坚固耐用、可靠的超高速600 V沟道绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列，为不间断电源 (UPS) 、太阳能、工业用电机及焊接应用推出IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF器件。 |
| 2011-11-15 | 利用专用晶圆加工工艺实现高性能模拟IC 高性能电子产品需要高精度模拟CMOS工艺技术，从而实现接近理想的MOS晶体管、电阻、电容以及专用JFET和DECMOS器件。为了实现最终芯片的差异化，必须对这种关键的器件从头进行设计，使精度设计贯穿整个设计周期。曾经专属于模拟IDM的技术领域(比如高性能模拟CMOS工艺技术)如今可以通过专业晶圆厂来实现。在这种趋势下，设计人员现在可以通过采用晶圆厂开发的模拟CMOS工艺实现其芯片，从而更快地实现更大的差异化。 |
| 2011-11-15 | 一步步优化反激式电源设计 反激式是最为广泛采用的隔离式电源拓扑结构，因为它可以用一个低边开关晶体管和有限的外部元件数提供多个隔离输出。不过，反激式电源也存在一些特殊性，如果设计人员没有充分理解并对其进行分析，就可能限制它的整体表现。 |
| 2011-11-15 | IGBT器件选型指南 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是总线电压几百至上千伏的应用的理想之选，作为少数载流子器件，IGBT在该电压范围内具备优于MOSFET的导通特性。众多的IGBT产品使得在选型时采用严格的流程变得十分重要，因为这可对电气性能和成本产生重大影响。本文介绍了IR最新的在线选型工具以协助工程师简化IGBT选型过程。 |
| 2011-11-15 | 美国研究人员积极寻求可替代晶体管的纳米电子开关 美国研究人员积极寻求可替代晶体管的纳米电子开关 |
| 2011-10-27 | 宜普电源提供内含eGaN功率晶体管的EPC9101演示板 宜普电源提供内含eGaN功率晶体管的EPC9101演示板 |
| 2011-10-26 | 2.5D封装+28nm，FPGA迎来革 命性突破 68亿只晶体管、1,954,560个逻辑单元、305,400个CLB切片的可配置逻辑块(CLB)、21,550Kb的分布式RAM容量、以及2,160个DSP slice、46,512个BRAM、24个时钟管理模块、4个PCIe模块、36个GTX收发器(每个性能达12.5 Gbps)、24个I/O bank和1,200个用户I/O、19W功耗……是的，您没有看错，这一连串令人眼花缭乱的数字，就是赛灵思日前宣布可正式供货的“世界最大容量”FPGA Virtex-7 2000T为我们呈现出的令人震撼的性能指标。 |
| 2011-10-26 | 英特尔22nm FinFET工艺Ivy Bridge延迟至明年3月问世 英特尔的22nm Ivy Bridge CPU可能会在明年三月问世，比原先的预估时程稍晚，但英特尔表示，这仍在该公司规划的“2012年春季”时程表内。 |
| 2011-10-19 | Maxim新款离线式LED驱动器零光强时无闪烁 Maxim推出离线式LED驱动器MAX16841，采用前沿（三端双向可控硅）和后沿（晶体管）调光器实现从最大光强到零光强的无闪烁调光。固定频率控制优化了工作在低压和高压交流电网的效率。 |
| 2011-10-14 | 宜普电源质量管理系统通过ISO9001：2008认证 宜普电源转换公司是基于节能增强型氮化镓晶体管的功率转换应用的领先供应商，其质量管理系统已经通过国际标准化组织的ISO9001:2008认证。 |
| 2011-10-13 | ST发布采用STH5P LDMOS技术的新系列射频功率晶体管 ST发布采用STH5P LDMOS技术的新系列射频功率晶体管 |
| 2011-10-05 | 安森美LED恒流稳流器系列新增成员NSI50350A 安森美扩充恒流稳流器(CCR)阵容，推出NSI50350A。这简单而极强固的器件特为用于发光二极管(LED)稳流的无源/分立元器件或驱动器集成电路(IC)方案提供高热效率、高性价比的选择而设计，非常适合包括汽车、建筑照明及标志在内的多种1瓦(W)照明应用。 |
| 2011-09-29 | IR新推感应加热用1200 V IGBT IR近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管，该产品为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用进行了优化。 |
| 2011-09-29 | 瑞萨新款SiGe:C异质接面晶体管提供高水平噪声效能 瑞萨新款SiGe:C异质接面晶体管提供高水平噪声效能 |
| 2011-09-26 | 2011 IEEE IEDM将热议化合物半导体最新技术 今年的国际电子器件大会中，将有来自英特尔、Teledyne和HRL三个不同团队的研究人员，展示目前化合物半导体所能达到的最新性能记录，包括三栅极FinFET晶体管、40nm InGaAs异质HEMT、GaN HEMT元件等技术。 |
| 2011-09-16 | 英特尔深入探讨3D晶体管、Ultrabook技术细节 英特尔深入探讨3D晶体管、Ultrabook技术细节 |
| 2011-09-15 | 飞思卡尔LDMOS晶体管最新成员为广播电视发射器设立新基准 飞思卡尔LDMOS晶体管最新成员为广播电视发射器设立新基准 |
| 2011-09-07 | IR为UPS推出1200V绝缘栅双极晶体管系列 IR为UPS推出1200V绝缘栅双极晶体管系列 |
| 2011-08-19 | 宜普全新开发板EPC9004帮助开发电源转换系统 宜普电源转换公司宣布推出EPC9004开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品，其应用范围广泛，如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电系统和同步整流器。 |
| 2011-08-18 | 宜普第二代eGaN FET最新产品EPC2012出炉 宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS条例。 |
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