什么是闪存？
| 断电后里面的数据不会消失的存储设备。闪存作为一种非挥发性的半导体存储芯片，闪存有许多种类型，从结构上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等，其中NAND和NOR是目前最为常见的类型。 |
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| 2012-02-08 | 超低功耗MCU为产品进一步提高电池寿命 微芯推出的具有多种灵活低功耗休眠模式且工作电流超低的PIC24F“GA3”16位闪存MCU系列产品，具有150 μA/MHz工作电流和6个DMA通道，从而可以以更低的功耗和更大的吞吐量来执行程序。该系列芯片进一步拓展了超低功耗(XLP)技术，同时，还增加了支持RAM保存的最低330 nA的低功耗休眠模式。此外，该系列PIC MCU还可利用VBAT，对片上实时时钟/日历(RTCC)进行电池备份。 |
| 2012-01-18 | 和舰、常忆与晶心科技共推MCU解决方案 SMSC日前宣布，该公司最新一代的JukeBlox 3.0 (JB3.0)平台已针对数码音乐特性、系统整合和用户体验进行了基本的特性增强。这是新款JB3.0平台的重要进展，可适应具有联网功能的消费电子产品对于鲁棒的WiFi性能、易用性和较低产品成本等重要需求，进而推动主流市场的采用。 |
| 2012-01-12 | 微芯扩展XLP PIC MCU产品线,推出全新16位单片机 微芯推出具有多种灵活全新低功耗休眠模式且工作电流业界最低的PIC24F“GA3”16位闪存MCU系列，扩展其超低功耗（XLP）单片机（MCU）产品线。 |
| 2012-01-09 | 东芝推出BENAND产品,在NAND闪存中嵌入ECC 东芝推出BENAND产品,在NAND闪存中嵌入ECC |
| 2012-01-09 | 瑞萨为汽车实时应用开发首款40nm工艺嵌入式闪存技术 瑞萨开发出业界首款适用于汽车实时应用领域的40nm工艺嵌入式闪存技术。瑞萨也将是首先使用上述40nm工艺闪存技术，针对汽车应用领域推出40nm嵌入式闪存微控制器(MCU)的厂商，采用该技术的首款产品预计将于2012年秋季开始供应。 |
| 2011-12-29 | IMEC研究10nm级超小型RRAM存储单元 欧洲研究机构IMEC在国际电子元件大会上，提出了尺寸仅10nm x 10nm的电阻式RAM存储单元。据IMEC称这种超小型的存储器具有取代NAND闪存的潜力。 |
| 2011-12-27 | 版权保护or别有居心？五大存储器厂商发起“安全存储倡议” 几天前五家主要的存储器厂商，宣布将针对SD卡和“嵌入式闪存”上的数字版权保护，共同催生下一代标准。这项工作目前暂命名为“下一代安全存储器倡议”。直到技术细节揭露以前，新标准会带来多大影响仍不得而知。 |
| 2011-12-22 | 新唐科技率先发布基于Cortex-M0的32位音频SoC 新唐科技于日前正式宣布，推出业界首先采用32位ARM Cortex-M0微控制器核心的ChipCorder ISD9160系统单芯片。ISD9160的设计概念，在于优化广泛运用于要求严苛的工业应用以及消费性设计的低功耗录音及播放功能。 |
| 2011-12-20 | SMSC提供可定制化安全闪存和智能卡读卡控制器 SMSC提供可定制化安全闪存和智能卡读卡控制器 |
| 2011-12-20 | 英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存 英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存 |
| 2011-12-16 | 苹果与闪存控制器开发商Anobit商谈收购事宜 苹果与闪存控制器开发商Anobit商谈收购事宜 |
| 2011-12-12 | 28nm HKMG非易失性存储器的反熔丝解决方案 随着2012年28nm高K值金属栅(HKMG)半导体生产的迅猛增长，系统级芯片(SoC)设计师将受到硅面积和经济刺激而在片上集成更多的功能。非易失性存储器(NVM)尽管有许多优势，但一直是片上集成面临的挑战之一。采用更小的工艺尺寸特别是28nm HKMG集成闪存、伪闪存和电熔丝(e-fuse)等NVM面临的挑战将被反熔丝解决方案有效解决。 |
| 2011-12-05 | 2011年半导体厂商Top 20出炉 英特尔收回三星侵蚀份额 英特尔即将成为市值500亿美元的公司，在2011年涨幅高达23%，在市场分析公司IHS的20大芯片厂商排名中稳居榜首。收购和2011年当红领域微处理器、NAND闪存为相关厂商都带来了增长。 |
| 2011-11-22 | 微软提出下一代数据中心技术构想 一位微软大型数据中心设计人员表示，大型数据中心需要更低功耗的闪存芯片、嵌入式处理器，以及比尺寸比以往更大的建构模组，并提出崭新的“云端多级闪存”(cloud multi-level (CMLC)flash)构想。 |
| 2011-11-21 | 英飞凌首款65纳米嵌入式闪存MCU出样 英飞凌首款65纳米嵌入式闪存MCU出样 |
| 2011-11-14 | 飞思卡尔新的Kinetis X系列刷新MCU性能标准 飞思卡尔半导体推出新的Kinetis X系列，再次刷新了微控制器的性能标准。该系列基于ARM Cortex-M内核，是业界速度最快的MCU。 |
| 2011-11-03 | 忆正推出采用MLC闪存的HTM系列固态硬盘 忆正推出采用MLC闪存的HTM系列固态硬盘 |
| 2011-10-27 | 英飞凌发布汽车用65纳米闪存MCU多核架构 英飞凌发布汽车用65纳米闪存MCU多核架构 |
| 2011-10-26 | 3D闪存将优先于RRAM技术进入市场 3D闪存将优先于RRAM技术进入市场 |
| 2011-10-18 | 多利吉新一代迷你SATA接口固态硬盘HSV72系列问市 多利吉推出新一代迷你SATA接口固态硬盘HSV72系列，针对工业级嵌入式系统，HSV72采用SLC闪存解决方案，其对于MLC技术而言，在使用寿命、可靠度及读写速度上均拥有绝对的产品优势。 |
| 2011-10-13 | “闪存终结者”忆阻器或于2013年商用化 “闪存终结者”忆阻器或于2013年商用化 |
| 2011-10-12 | 双核平板尚未普及 瑞芯2918方案主导新机潮流 笔者以一普通平板电脑消费者身份去华强北作了个小调查，发现目前笔者最想购买的双核平板电脑并不多见。随着瑞芯RK2918处理器的新机这两天上市，这款超过1GHz处理器的主芯片，加上配有512 DDR3内存和8至16G以上的闪存，以及出色的8寸或10寸电容屏，市场价格达到1500元以上，甚至有报价达1800元。 |
| 2011-10-08 | 闪存正成为实现产品创新和差异化的核心能力 闪存正成为实现产品创新和差异化的核心能力 |
| 2011-10-08 | 旺宏电子发布JESD216新规格SFDP之Serial Flash系列产品 旺宏电子日前宣布，全力支持JEDEC日前发布的JESD216新规格-Serial Flash Discoverable Parameter(SFDP)，并内建于所生产制造之全系列Serial Flash产品中。此举再次展现旺宏电子在非挥发性内存业界的创新领导地位。 |
| 2011-09-30 | 富士通新增8款8位微控制器MB95630系列 富士通半导体宣布推出基于新工艺的8款MB95630系列产品，使其F2MC-8FX家族产品阵容进一步加强。新产品内置了直流无刷电机控制器和模拟电压比较器更适用于马达控制应用。 |
| 2011-09-29 | 三星将展示复位电流降低90%的材料等相变存储器最新进展 非挥发性相变存储器技术长久以来一直被讨论是否可取代现有的主动式存储器和闪存，但迄今仍充满争议，三星的研究团队仍计划在今年底的IEDM上，透过展示完全整合的20nm相变随机存取单元，揭示PCM和电阻式RAM的最新研究进展。 |
| 2011-09-26 | 固态存储在企业IT应用中的机遇与挑战 随着固态存储的出现，企业级存储系统的发展方向也有了新的变化，大家都对传输速率高出传统硬盘两倍以上，同时兼具省电和抗震、可靠性高的固态存储充满了期待。 |
| 2011-08-26 | 常忆科技首颗256Kbit序列闪存PM25LD256C投入量产 常忆科技首颗256Kbit序列闪存PM25LD256C投入量产 |
| 2011-08-16 | 业内首款4Gb NOR闪存Spansion GL-S问市 业内首款4Gb NOR闪存Spansion GL-S问市 |
| 2011-08-12 | EUV光刻技术姗姗来迟，NAND或受抑制 下一代光刻技术EUV的延迟，将导致NAND闪存的成长趋缓，需要EUV工具的新型NAND技术研发也将受到阻碍。但好消息是闪存的需求一直很强劲。 |
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