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| 2010-07-22 |
莱迪思针对MachXO和ispMACH 4000ZE PLD优化的多个参考设计 |
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莱迪思半导体公司日前宣布已经推出了针对MachXO和ispMACH 4000ZE PLD而优化的超过90个参考设计。参考设计能够帮助设计人员快速和高效地进行设计，并能有效使用这些常用功能，诸如通用I/O扩展、I2C总线主/从、LCD控制器、SD闪存控制器，以及其他接口。 |
| 2010-07-19 |
浩康科技推出超高速USB 3.0解决方案 |
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浩康科技(大中华)有限公司Crypton Tech今天宣布推出超高速 USB3.0解决方案，该方案为整体的方案，包括主芯片、接头、电缆线、闪存、稳压等我们并可提供线路布线及技术支持。 |
| 2010-07-09 |
飞兆FAN5362降压转换器为大容量SD闪存应用高效供电 |
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)开发出一款采用专有的同步整流架构的3MHz 500mA同步降压转换器产品FAN5362，是需要支持大容量(如8、16、32GB等) SD闪存卡的手机设计人员的理想选择。 |
| 2010-06-29 |
2010年eMMC NAND闪存出货量预计暴增224%，SSD进一步受威胁 |
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据iSuppli公司，2010年用于手机的嵌入式多媒体卡(eMMC)NAND闪存将出现爆炸性增长，预计出货量增长224%。2007年eMMC面世的时候增长缓慢，但三年后的2010年，其出货量将增长到7,000万个，占总体NAND闪存出货量的10%。未来五年将继续强劲增长，保持86.4%的复合年度增长率。 |
| 2010-06-28 |
曾濒临破产的Spansion能否起死回生？ |
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一度宣告破产的闪存供货商Spansion看来将大动作重出江湖；这一次会成功吗？或者是有可能重蹈覆辙？各家分析师对该公司前景有不同看法。 |
| 2010-06-21 |
硅谷Grandis新一代MARM将取代DRAM甚至NAND闪存？ |
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今日主流内存技术的末日即将来临？一家专精“自旋转移力矩随机存取内存(spin transfer torque random access memory， STT-RAM)的美国硅谷新创公司Grandis日前发表了更新的产品蓝图，并宣示以这种新一代MARM取代DRAM甚至NAND闪存的雄心。 |
| 2010-06-12 |
华虹NEC自主eFlash技术获“国家金卡工程优秀成果金蚂蚁奖” |
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日前，国家金卡工程协调领导小组办公室在北京举行了“2010年度国家金卡工程优秀成果金蚂蚁奖”颁奖仪式。世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)自主研发的“SONOS 0.13微米嵌入式闪存(eFlash)技术”荣获“2010年度国家金卡工程优秀成果金蚂蚁奖－优秀应用成果奖”。 |
| 2010-06-08 |
采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略 |
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NAND闪存是一种非易失性存储器，主要用于存储卡、MP3播放器、手机、固态驱动器(SSD)等产品中。除了存储单元阵列以外，它还有大量电荷泵、调节器、VDC、电压检测器、逻辑块等模拟块和大型控制逻辑电路。因此它面临的最大问题是，如何在一个可接受的时间范围内随着所有打开的内部模拟电路运行全芯片级仿真。本文介绍了一种采用Magma Finesim 的NAND闪存仿真战略，它可通过适当分区和Finesim功能来平衡仿真精度和仿真时间。 |
| 2010-06-08 |
IMFT 25nm MLC NAND：突破工艺技术缩放瓶颈 |
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IMFT公司强大的工艺技术与制造能力随着25nm 8GB(64Gb)、2位/单元MLC(多层单元)NAND闪存的推出得到了再次验证。虽然大多数专家推测NAND技术已经到了发展极限，但IMFT仍在继续NAND工艺技术缩放之旅，并且或将在18nm节点实现另一个突破。在工艺技术缩放前沿，IMFT遵循着每12至15个月缩放0.7倍的规律，几乎相当于逻辑技术时间尺度下的0.97倍。 |
| 2010-06-01 |
高效的智能手机SD闪存供电方法 |
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虽然工艺几何尺寸的进步满足了对超紧凑型、低价SD存储器的需求，但这种大容量器件也带来了功耗问题。利用专门针对这类应用而设计的降压转换器FAN5362等产品来替代目前的LDO，可以解决这一难题。 |
| 2010-05-28 |
台积电推出0.18微米车用嵌入式闪存硅智财 |
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台湾集成电路制造股份有限公司(台积电)日前宣布推出0.18微米车用嵌入式闪存硅智财，是台积电第二代符合AEC-Q100产品高规格认证之硅智财，适用于广泛的车用电子产品。 |
| 2010-05-18 |
三星电子推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器 |
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近日，三星电子(SAMSUNG)有限公司宣布推出业界首个20纳米级(nm)NAND芯片，用于安全数字存储器卡(SD卡)和嵌入式存储解决方案中。32 Gb MLC NAND产品采用尖端技术，扩展SAMSUNG公司的存储器卡解决方案,用于智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡。 |
| 2010-05-06 |
新茂国际科技推出8位高速闪存微控制器系列 |
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新茂国际科技(SyncMOS Technologies International, Inc.)近日推出一系列新产品—SM59R04/03/02A1、SM59R04A2、SM59R16/09/05A3与SM59R16/09/05A5微控制器，为新茂目前的8位微控制器产品线增加更多的产品选择。 |
| 2010-05-05 |
新茂国际科技推出全新8位高速低功耗闪存微控制器系列 |
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新茂国际科技(SyncMOS Technologies International, Inc.)近日推出一系列新产品—SM59R04/03/02A1、SM59R04A2、SM59R16/09/05A3与SM59R16/09/05A5微控制器，为新茂目前的8位微控制器产品线增加更多的产品选择。 |
| 2010-04-08 |
2009年全球前十大NAND供货商排行榜 |
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市场研究机构Web-Feet Research公布2009年全球NAND闪存供货商排行榜，三星电子仍稳居市占率第一名位置，其后则是东芝与SanDisk；SanDisk的表现意外亮眼，领先美光、海力士与英特尔。 |
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