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| 2010-03-10 |
联阳科技借四大产品线发力中国市场 |
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联阳半导体主要有四大类产品，高速影音接口和闪存控制芯片，解调及解码芯片等数字电视和多媒体控制芯片、I/O和嵌入式控制器、模拟IC，可以为客户提供完整的功能和具有竞争力的单芯片产品。 |
| 2010-03-08 |
恒忆创新多位配置串口NOR闪存加速嵌入式应用性能 |
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恒忆（Numonyx）在IIC深圳站宣布推出业界首款 65nm 多位输入输出(1 位、2 位和 4 位)SPI闪存系列产品－－Forté N25Q，该产品能够为电脑、机顶盒和通信设备上的主流嵌入式应用提供最高的读写性能、设计灵活性和应用可靠性。 |
| 2010-03-05 |
Maxim推出6通道闪存可配置的排序器/监测器MAX16067/MAX16068 |
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Maxim推出闪存可配置的排序器/监测器MAX16067/MAX16068，可简化电源管理和故障诊断。这两款器件集成±1%精度的ADC，用于在要求高可靠性的复杂系统中进行电压监测/排序。 |
| 2010-02-09 |
英特尔：不屑NAND竞争，力夺SSD龙头 |
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芯片龙头英特尔(Intel)的NAND闪存事业群新主管透露，该公司立志成为固态储存(SSD)领域的一哥，但令人惊讶的是，他们没兴趣在NAND市场称王。 |
| 2010-02-08 |
Microchip推出PIC12F617 MCU，具备3.5 KB可自编程闪存 |
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Microchip推出8引脚和14引脚PIC16F61X 8位PIC单片机（MCU）系列又添一款新器件，旨在实现极具成本效益的通用应用。 |
| 2010-01-29 |
Microchip推出具备3.5KB可自编程闪存的PIC12F617 |
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美国微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）近日宣布，其备受推崇的8引脚和14引脚PIC16F61X 8位PIC单片机（MCU）系列又添一款新器件，旨在实现极具成本效益的通用应用。 |
| 2010-01-21 |
ADI最新推出Blackfin(R)系列新成员BF50x系列 |
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Analog Devices, Inc，最新推出 Blackfin(R) 系列汇聚式数字信号和控制处理应用新成员 -- BF50x 系列 。与集成 ADC 和闪存的相近价格竞争性处理器相比，BF50x 性能提高超过100%，使得设计工程师能获得极大的信号转换和运算精度优势，并采用了高级电源控制技术来在工业应用中获得更高的能效。 |
| 2010-01-15 |
脱离破产保护在即，Spansion能否重铸辉煌？ |
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过去一年多以来，全球半导体存储器产业的波动令人印象深刻。去年3月初，闪存翘楚Spansion申请破产保护的消息引发业界不小震动。之后不久，该公司即对外宣布将制订独立运营战略。9个多月过去了，Spansion的发展状况如何？ |
| 2010-01-12 |
华虹NEC发布0.13微米嵌入式EEPROM解决方案 |
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上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）不久前宣布，公司基于0.13微米嵌入式闪存（eFlash）工艺平台，成功开发出面向高性能智能卡、信息安全及微处理器等应用的嵌入式EEPROM（电可擦可编程只读存储器）解决方案，充分展现了华虹NEC在嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术上的领先地位和创新优势。 |
| 2010-01-08 |
Atmel推出高集成度闪存微控制器，可改善阻抗匹配并降低功耗 |
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爱特梅尔公司(Atmel Corporation)宣布推出SAM3S产品系列，包括18种通用的基于Cortex-M3之闪存控制器，这些器件能够改善阻抗匹配、简化PCB设计，并可在1MHz工作频率下节省功率50%，功耗仅2.3mW。 |
| 2010-01-07 |
MyvuTV，移动数字电视的大屏体验不再是梦 |
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Myvu近日面向其屡获殊荣的Personal Media Viewers发布了一个新平台MyvuTV。该平台将包括一个内置数字电视接受器和一个内置闪存播放器。首批产品将提供 DVBT、ISDBT 和 CMMB 标准的电视功能，其闪存播放器支持 AVI、FLV 和 RMVB（30帧/秒）视频格式。 |
| 2009-12-22 |
意法半导体推出具备高可靠性闪存的低功耗处理器芯片 |
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意法半导体(ST)发布一款低功耗处理器芯片ST32-M，整合高可靠性的闪存和先进的ARM Cortex-M3处理器，并可与ST ST32 SIM卡IC系列产品软件兼容，专门用于管理机器对机器(M2M)行动通讯SIM卡数据。 |
| 2009-12-07 |
NAND的替代技术——3D闪存 |
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随着NAND Flash制造工艺发展速度的放缓，3D Flash单元堆正被宣传为传统NAND的替代技术。本文探讨了文献中叙述的多种3D技术以及每种技术在转化为产品过程中所面临的挑战。3D技术的日益流行是因为它们与2D NAND相比具有显着的成本优势。本文对这种成本影响进行了详细介绍。最后，本文还对首款3D Flash产品的问世时间进行了预测。 |
| 2009-11-10 |
英飞凌、TSMC扩大合作，携手65纳米嵌入式闪存工艺 |
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英飞凌科技股份公司与台湾积体电路制造股份有限公司近日共同宣布，双方将在研发和生产领域扩大合作，携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的65纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。 |
| 2009-11-02 |
英特尔、恒忆宣布相变存储里程碑 |
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Intel公司和它的闪存合资子公司Numonyx BV的研究人员演示了在单裸片里堆叠多层PCM（相变存储）阵列的能力。两家公司日前表示，这是一个突破，为PCM在众多应用中替换多种现存存储技术铺平了道路。。 |
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