什么是相变存储器?
| 相变存储器（phase change memory）,简称PCM，利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。 |
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| 2012-01-19 | 美科学家质疑当前忆阻器理论 来自美国维吉尼亚阿灵顿的Blaise Mouttet，稍早前在arXiv.org上发表了一篇论文，这篇文章一开始便直言：“电路理论家蔡少棠(Leon Chua)针对忆阻器的过零紧磁滞曲线定义是错误的”。 |
| 2011-12-02 | 三星发布新一代20nm 8G相变存储器，PCM商用化更进一步 三星发布新一代20nm 8G相变存储器，PCM商用化更进一步 |
| 2011-09-29 | 三星将展示复位电流降低90%的材料等相变存储器最新进展 三星将展示复位电流降低90%的材料等相变存储器最新进展 |
| 2011-07-07 | IBM实现相变存储器可靠存储多个位元 IBM实现相变存储器可靠存储多个位元 |
| 2011-05-06 | 拆解揭秘三星手机中的最新技术 拆解与分析咨询公司Chipworks最近为寻找PCM（相变存储器）芯片拆解了一些三星GT-E2550 GSM手机。PCM有潜力替代非易失性闪存技术，这些三星GSM手机所采用的三星产PCM芯片是该技术目前已知的唯一商品化应用。由于闪存生产不断扩张，以及PCM缺少实际运用，PCM的发展已经遭到怀疑。 |
| 2010-09-15 | ATMI与OVONYX宣布CVD锗锑碲化物PCM的商业化取得重大进展 ATMI公司和Ovonyx公司日前宣布，双方在采用化学气相沉积(CVD)工艺商业化生产基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)方面取得突破性进展。两家企业正在合作开发的项目获得重大进步，该化学气相沉积生产的基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)不仅能够实现按比例缩小，而且是一种具有成本竞争力的存储器技术。 |
| 2010-07-02 | 硫系化合物相变存储器：未来十年的主流存储器技术 硫系化合物相变存储器：未来十年的主流存储器技术 |
| 2010-06-08 | PCM能否在存储器领域一枝独秀？ PCM能否在存储器领域一枝独秀？ |
| 2010-04-30 | 恒忆(NUMONYX)发布全新系列相变存储器 恒忆(NUMONYX)发布全新系列相变存储器 |
| 2010-04-30 | 恒忆(NUMONYX)正式推出全新系列相变存储器 恒忆(NUMONYX)正式推出全新系列相变存储器 |
| 2010-04-29 | 恒忆(NUMONYX)推出新系列相变存储器 恒忆(NUMONYX)推出新系列相变存储器 |
| 2010-01-07 | 非易失性半导体存储器的相变机制 非易失性半导体存储器的相变机制 |
| 2009-12-08 | 相变存储器改变我们对非易失性存储器技术的看法 相变存储器改变我们对非易失性存储器技术的看法 |
| 2009-11-23 | 恒忆乐观展望2010年发展前景 曾深受经济危机影响的存储产业终于看到了复苏的曙光。面对市场可预期的需求增长，恒忆 (Numonyx) 通过两方面的举措响应市场需求，扩充产能。 |
| 2009-06-30 | 恒忆和三星电子将共同合作开发PCM 恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory，PCM) 产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求，从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统、高级运算装置的制造商应对设计挑战。 |
| 2009-06-20 | 恒忆携手三星电子，合作开发PCM 恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory，PCM) 产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求，从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统、高级运算装置的制造商应对设计挑战。 |
| 2009-06-29 | 恒忆与三星电子共同合作开发PCM 恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory，PCM) 产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求，从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统、高级运算装置的制造商应对设计挑战。 |
| 2009-06-15 | 看好市场前景，NXP潜心研究相变存储器技术 看好市场前景，NXP潜心研究相变存储器技术 |
| 2009-06-15 | 市场前景不错，NXP潜心研究相变存储器技术 市场前景不错，NXP潜心研究相变存储器技术 |
| 2009-06-12 | 市场前景看好，NXP潜心相变存储器技术 市场前景看好，NXP潜心相变存储器技术 |
| 2009-03-13 | 用先进技术赢得市场，恒忆IIC分享制胜法宝 恒忆首席技术官兼副总裁Edward Doller在IIC-China 2009北京分会上发表了重要主题演讲，解读存储产业的不断演进和目前所面临的挑战，并分享了恒忆在闪存领域的最新技术突破，以及当前在全球经济危机下，公司如何保持持续领先的应对策略。 |
| 2009-03-10 | 策略制导 创新领航 恒忆首次登陆北京IIC盛会 恒忆首席技术官兼副总裁Edward Doller在IIC-China 2009北京分会上发表了重要主题演讲，解读存储产业的不断演进和目前所面临的挑战，并分享了恒忆在闪存领域的最新技术突破，以及当前在全球经济危机下，公司如何保持持续领先的应对策略。 |
| 2009-02-09 | 策略制导、创新领航，恒忆首次登陆北京IIC盛会 第十四界国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China)作为中国最具影响力的电子行业盛会于3月5日在北京隆重开幕。恒忆（Numonyx）的首席技术官兼副总裁Edward Doller在大会上发表了重要主题演讲，解读存储产业的不断演进和目前所面临的挑战，并分享了恒忆在闪存领域的最新技术突破，以及当前在全球经济危机下，公司如何保持持续领先的应对策略。 |
| 2008-08-04 | 适用于更低工艺节点的存储技术 在关机之后，许多应用的存档数据或系统信息不能丢失。这些任务落在可在线写入(至少一次，通常许多次)的非易失性(NV)存储器身上。随着工艺尺寸的缩小，NV存储器传统上使用的浮栅数据存储技术面临着越来越多的挑战，这预示着需要由不断衍生的新技术来接替。 |
| 2008-08-01 | 恒忆宣布推出非挥发性存储器Velocity LP NV-RAM系列 恒忆宣布推出非挥发性存储器Velocity LP NV-RAM系列 |
| 2008-07-31 | 恒忆新推非挥发性存储器Velocity LP NV-RAM系列 恒忆新推非挥发性存储器Velocity LP NV-RAM系列 |
| 2008-04-10 | 恒忆强势进军存储器市场，变身全球最大NOR闪存芯片供应商 恒忆强势进军存储器市场，变身全球最大NOR闪存芯片供应商 |
| 2008-04-08 | 变身全球最大NOR闪存芯片供应商，恒忆(NUMONYX)强势进军存储器市场 变身全球最大NOR闪存芯片供应商，恒忆(NUMONYX)强势进军存储器市场 |
| 2008-04-07 | 恒忆(NUMONYX)变身全球最大NOR闪存芯片供应商，强势进军存储器市场 恒忆(NUMONYX)变身全球最大NOR闪存芯片供应商，强势进军存储器市场 |
| 2008-04-07 | ISSCC大会：多种新型存储器技术领风骚 ISSCC大会：多种新型存储器技术领风骚 |
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