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| 2010-07-02 |
硫系化合物相变存储器：未来十年的主流存储器技术 |
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硫系化合物是由元素周期表第16族元素组成的合金(旧式元素周期表：第VIA族或第VIB族)。在室温条件下，这些合金的非晶态和晶态都十分稳定。具体地讲，GeSbTe合金是最被看好的，因为它遵守一个伪二元构成方式(在GeTe和Sb2Te3之间)，以下简称GST。当加热时，硫系化合物可以从非晶态变成晶态，反之亦然。相变原理早已被人们熟知，最初的研究可追溯到上个世纪70年代。目前，相变材料被广泛用于制造光学可重写媒介，如CD和DVD光盘：非晶态和晶态之间的变化是存储数字信息所用的基本方式，半导体激光束可引起非晶态和晶态的相互转变。 |
| 2010-06-08 |
PCM能否在存储器领域一枝独秀？ |
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恒亿(Numonyx)公司最近宣布为嵌入式应用相变存储器(PCM)创建新品牌Numonyx Omneo，并高调推出已量产的全新PCM系列，距行业专家预言的“PCM产品商业化要到2012年前后”提早了两年。事实上，行业内不断增加的对尺寸、重量、功耗、性能、上市时间的紧迫要求(业界戏称为SWEPT要求)，以及NOR、NAND、易失性DRAM等存储器未来可预见的发展瓶颈，都在加快新一代存储器的前进步伐。 |
| 2010-04-29 |
恒忆(NUMONYX)推出新系列相变存储器 |
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日前，恒忆(Numonyx)宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产，并向市场供货。 |
| 2010-01-07 |
非易失性半导体存储器的相变机制 |
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随着日新月异的电子工业继续向“更小、更快、更便宜”的目标前进，串行闪存的概念听起来不再像陈词滥调，今天，使用串行闪存已是一个事实，而且可能是下一代嵌入式设计的最佳选择。 |
| 2009-12-08 |
相变存储器改变我们对非易失性存储器技术的看法 |
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把相变存储器(PCM)变成一个介于RAM和SSD之间的系统是否有价值？恒忆半导体首席技术官Ed Doller认为,不管是用作RAM还是NAND的补充，只要使用适量的PCM，就能大幅提升性能。一旦PCM技术被高端设备采用，其普及率就会逐渐提高。 |
| 2009-06-29 |
恒忆与三星电子共同合作开发PCM |
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恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory，PCM) 产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求，从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统、高级运算装置的制造商应对设计挑战。 |
| 2009-06-12 |
市场前景看好，NXP潜心相变存储器技术 |
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NXP公司，前身为飞利浦公司的芯片部门，正在研究专有的相变存储器（PCM），该公司的首席技术官Rene Penning de Vries表示该技术将十分“有希望”。 |
| 2008-04-07 |
恒忆(NUMONYX)变身全球最大NOR闪存芯片供应商，强势进军存储器市场 |
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恒忆公司作为一家全新的半导体公司正式问世。公司主要业务是整合NOR、NAND及内置RAM的存储器，并利用新型相变移位存储器（PCM）技术，为存储器市场开发、提供创新的存储器解决方案。新公司凭借其雄厚实力和技术专长，在成立之初就成为存储器市场的领先厂商，专注于存储器开发制造业务，为手机、MP3播放器、数码相机、超便携笔记本电脑、高科技设备等各种消费电子产品制造商提供全方位的服务。 |
| 2008-04-02 |
ST、英特尔和FRANCISCO PARTNERS完成合并案，恒忆(NUMONYX)存储器公司正式成立 |
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意法半导体及英特尔和Francisco Partners公司宣布日前公布的成立合资企业的合并方案正式结束。根据最终协议，意法半导体用NOR和NAND闪存资产和业务(包括相变存储器资源和NAND合资企业利益)换取恒忆48.6%的股权和1.556亿美元的长期次级票据，这些长期票据产生的利息将按适合的市场利率计算。 |
| 2008-02-21 |
采用MEMS进行读取，Nanochip展开兆兆位存储器芯片开发 |
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通过采用微机电系统(MEMS)技术进行控制，Nanochip宣布正在进行把相变媒介结合到悬臂读写头上的兆兆位存储器芯片的开发。 |
| 2007-06-27 |
128M相变存储器即将实现量产 |
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英特尔公司推出了128Mb的相变存储器样片，并计划于今年下半年采用90nm技术进行量产。该器件代号为Alverstone，是英特尔的首款相变存储器，并被视为NOR闪存的替代品。英特尔是全球第二大NOR闪存供应商,仅次于Spansion公司。 |
| 2007-03-13 |
下一代存储器追求“通用”，何种技术将主沉浮？ |
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现在，随着大家对“不久的将来，DRAM和闪存器件在体积上将不会有所变化”的疑虑不断增加，人们开始关注下一代(或称通用存储)技术，而其中许多技术，更被冠以“DRAM和闪存接班人”的称号。事实上，这些竞争技术中不乏广泛遭质疑者，如：铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、相变RAM以及其它相变技术。 |
| 2006-12-30 |
应对插头热耗散难题，日立瑞萨携手改良相变存储器 |
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日立和瑞萨科技日前在国际电子器件大会上声称改进了其相变存储器研究。设计新颖处在于，在连接MOS晶体管和相变薄膜的插头之间采用五氧化钽(Ta2O5)界面层。其设计能防止插头上的热耗散，从而允许在较低功耗下实现非晶状态的重置。 |
| 2006-12-20 |
新型存储芯片技术前来助阵，超小“相变”内存速度远超闪存 |
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来自IBM、旺宏和奇梦达的科学家日前联合发布他们的共同研究成果，这种新型计算机存储器技术将有望取代已被广泛用于计算机和消费类电子产品（如数码相机和便携式音乐播放器）的闪存芯片。 |
| 2006-12-05 |
从三星最新40nm NAND看非易失性存储技术发展 |
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为了夺回NAND闪存的技术领导权，三星半导体近日推出一款采用40nm工艺制造的32Gb NAND闪存芯片。该芯片不再采用传统的浮动栅结构，而是采用了被三星称为电荷捕获闪存(CTF)的专有氧-氮-氧层结构。与此同时，三星公司还推出了密度为512Mb的最新型相变存储器原型。 |
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