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| 2011-10-21 | Vishay最新功率MOSFET再次刷新业内最小尺寸记录 Vishay推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET——Si8802DB和Si8805EDB，它们所用的MICRO FOOT封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚至更低。 |
| 2011-09-22 | 源科芯片级固态硬盘rSSD T100即将上市 源科芯片级固态硬盘rSSD T100即将上市 |
| 2011-08-01 | ADI新推PMIC ADP5034，集成调节器和LDO ADI最近推出一款高集成度电源管理IC ADP5034调节器/LDO，它在一个小型LFCSP（引脚架构芯片级）封装中集成两个3 MHz 的高效率1.2 A降压调节器和两个300 mA LDO（低压差）调节器。 |
| 2011-05-16 | 安华高推出超小尺寸射频放大器VMMK-3xxx Avago日前宣布推出市场上最小射频放大器系列的新产品,这款新的VMMK-3xxx放大器使得Avago WaferCap芯片级封装(CSP)技术可提供1.0x0.5x0.25毫米的超小尺寸。这款放大器为已有的Avago VMMK-1xxx和VMMK-2xxx系列带来了许多新功能，包括正增益斜度低噪音放大器(LNA)、宽带LNA、可变增益放大器(VGA)、和四款方向检测器。 |
| 2010-05-24 | Maxim发布低功耗μP监控电路MAX16072/MAX16073/MAX16074 Maxim推出采用1×1mm芯片级封装的微处理器(μP)监控电路MAX16072-MAX16074。该系列低功耗器件省去了多个外部电阻以及监测1.8V至3.6V标称系统电压所需的调整电路，具有极高的可靠性和极低成本。 |
| 2010-04-29 | Vishay发布第三代TrenchFET功率MOSFET：Si8499DB 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET——Si8499DB。在1.5×1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。 |
| 2010-04-28 | Vishay发布首款芯片级P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET：Si8499DB Vishay发布首款芯片级P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET：Si8499DB |
| 2009-12-22 | TI具备更低导通电阻的集成负载开关TPS22924C 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 mΩ 标准导通电阻 (RON) 比同类竞争产品低 4 倍。 |
| 2009-12-22 | TI发布具备更低导通电阻的集成负载开关 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 mΩ 标准导通电阻 (RON) 比同类竞争产品低 4 倍。 |
| 2009-12-22 | TI发布TPS22924C集成负载开关，具备更低导通电阻 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 mΩ 标准导通电阻 (RON) 比同类竞争产品低 4 倍。 |
| 2009-12-22 | TI发布具备更低导通电阻的集成负载开关 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 mΩ 标准导通电阻 (RON) 比同类竞争产品低 4 倍。 |
| 2009-12-21 | TI发布具备更低导通电阻的集成负载开关 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款全面集成型负载开关，其在 3.6 V 电压下所提供的 5.7 mΩ 标准导通电阻 (RON) 比同类竞争产品低 4 倍。 |
| 2009-08-26 | 安森美半导体新推业界最小封装、最佳空间性能的肖特基势垒二极管 安森美半导体新推业界最小封装、最佳空间性能的肖特基势垒二极管 |
| 2009-08-24 | 安森美发布业界最小封装的30伏肖特基势垒二极管 安森美发布业界最小封装的30伏肖特基势垒二极管 |
| 2009-08-24 | 安森美推出业界最小封装的肖特基势垒二极管 安森美推出业界最小封装的肖特基势垒二极管 |
| 2009-08-21 | E安森美半导体推出业界最小封装、最佳空间性能的肖特基势垒二极管 E安森美半导体推出业界最小封装、最佳空间性能的肖特基势垒二极管 |
| 2009-02-13 | Vishay发布背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB 日前，Vishay Intertechnology宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT 芯片级封装的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。 |
| 2009-01-24 | 背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET 采用MICRO FOOT芯片级封装 背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET 采用MICRO FOOT芯片级封装 |
| 2009-01-22 | Vishay推出背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB 日前，Vishay Intertechnology宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT 芯片级封装的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。 |
| 2008-12-16 | ADI高集成度精密仪表放大器前端AD8295 ADI最新推出高集成度的精密仪表放大器前端——AD8295，与同类放大器解决方案相比，仅占用50%的电路板空间，适合工业与仪器仪表应用。在单个4 mm × 4 mm芯片级封装内，AD8295仪表放大器集成了一个顶级仪表放大器、两个可配置的运算放大器和两个精密微调匹配电阻，可为工业过程控制、精密数据采集系统、医疗仪器仪表设备及惠斯登电桥测量等应用提供集成前端。 |
| 2008-12-16 | ADI新型高集成度精密仪表放大器前端AD8295，仅占用50%电路板空间 ADI最新推出高集成度的精密仪表放大器前端——AD8295，与同类放大器解决方案相比，仅占用50%的电路板空间，适合工业与仪器仪表应用。在单个4mm×4mm芯片级封装内，AD8295仪表放大器集成了一个顶级仪表放大器、两个可配置的运算放大器和两个精密微调匹配电阻，可为工业过程控制、精密数据采集系统、医疗仪器仪表设备及惠斯登电桥测量等应用提供集成前端。 |
| 2008-12-15 | ADI高集成度精密仪表放大器前端AD8295，仅占用50%电路板空间 ADI最新推出高集成度的精密仪表放大器前端——AD8295，与同类放大器解决方案相比，仅占用50%的电路板空间，适合工业与仪器仪表应用。在单个4 mm × 4 mm芯片级封装内，AD8295仪表放大器集成了一个顶级仪表放大器、两个可配置的运算放大器和两个精密微调匹配电阻，可为工业过程控制、精密数据采集系统、医疗仪器仪表设备及惠斯登电桥测量等应用提供集成前端。 |
| 2008-11-12 | 采用先进的组件整合技术缩小手持设备尺寸 新一代移动电话和智能手机/PDA已经取代计算机成为电子产业的先进技术推动力。仅此一部份的出货量，在2007年就达到了1.2亿部。本文将探讨推动实现此一高度成长背后的先进技术。为满足下一代设备不断变化的外形尺寸和性能要求，设计师必须充分利用最先进的半导体设计、封装和连接技术。 |
| 2008-10-09 | 将具有封装意识的I/O规划与布图规划综合有机结合起来 将具有封装意识的I/O规划与布图规划综合有机结合起来 |
| 2008-08-11 | TI发布同步步降转换器TPS62355，具有I2C兼容接口 德州仪器(TI)新推出一款具有I2C兼容接口的800mA、3MHz同步步降转换器：TPS62355是一款采用芯片级封装的高频同步步降DC/DC转换器，输出电压默认值为0.9-1.15V。 |
| 2008-07-03 | 从封装技术发展来看半导体设计仅仅是刚“起步”！ 从封装技术发展来看半导体设计仅仅是刚“起步”！ |
| 2008-06-23 | Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8445DB 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20V p通道TrenchFET功率MOSFET——Vishay Siliconix Si8445DB，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1.2V时业界最低的导通电阻。 |
| 2008-06-20 | Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8445DB 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20V p通道TrenchFET功率MOSFET——Vishay Siliconix Si8445DB，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1.2V时业界最低的导通电阻。 |
| 2008-05-20 | 安华高科技取得射频封装新突破，推出WaferCap芯片级封装技术 安华高科技取得射频封装新突破，推出WaferCap芯片级封装技术 |
| 2008-04-16 | 安华高推出新款FET产品VMMK-1225，尺寸大小仅1.0x0.5x0.25mm Avago Technologies(安华高科技)宣布，推出封装尺寸最小的场效应晶体管(FET)产品，尺寸大小仅1.0 x 0.5 x 0.25 mm，这些超小型低厚度分立式低噪器件占用空间只有标准SOT-343封装的5%以下，新推出的VMMK-1218和-1225采用Avago创新的芯片级封装技术。 |
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