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| 2011-12-16 | GT公布案例研究，评估蓝宝石颜色对LED制造工艺影响 GT公布案例研究，评估蓝宝石颜色对LED制造工艺影响 |
| 2011-10-12 | GT Advanced Technologies研究表明ASF材料可实现最高LED晶圆产量 GT Advanced Technologies Inc.日前公布了案例研究“产量问题：蓝宝石材料质量对LED晶圆工艺的影响”。该报告详述了一项盲型材料研究的发现，这项研究针对蓝宝石材料质量对高亮度LED即用型外延晶圆制造工艺的影响进行了调查。 |
| 2011-04-27 | SanDisk 19纳米工艺推动闪存行业发展 SanDisk Corporation近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2 bits per cell(X2)技术的64 gigabit(Gb)单块芯片。此项技术将令SanDisk制造出适用于手机、平板电脑和其他设备的高性能、小尺寸嵌入式和可移动存储设备。 |
| 2011-04-27 | SANDISK即将推出19纳米64Gb X2存储芯片 闪存卡供应商SanDisk Corporation近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell (X2) 技术的64-gigabit(Gb)单块芯片。此项技术将令SanDisk制造出适用于手机、平板电脑和其他设备的高性能、小尺寸嵌入式和可移动存储设备。 |
| 2010-10-11 | 可编程全硅MEMS振荡器与石英振荡器之大比拼 时钟组件可分为无源晶振、有源晶振和多输出时钟发生器三大类产品。在过去60年中，石英作为时钟市场的主流技术，一直占据着霸主地位。但由于其受到传统制造工艺的限制以及下游原材料(起振电路和基座)市场的垄断，因此性价比无法进一步提升。为了满足电子市场对元器件提出的更小、更可靠、更灵活的需求，时钟组件必须走上全面硅化的道路。通过这篇文章，我们会全面了解全硅MEMS振荡器和传统石英的主要区别，以及全硅IC技术所解决的问题。 |
| 2010-09-29 | 针对BGA封装可编程逻辑器件设计的低成本布板技术 随着每一代球型BGA封装的引脚间距越来越小，需要开发新的印刷电路板制造工艺和信号过孔类型来处理更高的布板复杂度。通过查看可编程逻辑器件球型封装密度和引脚间距、应用的I/O信号要求，以及印刷电路板制造设备在生产上的限制，系统设计人员可以更好地作出设计决策之间的权衡。大多数可编程逻辑器件供应商在他们的网站上发布了印刷电路板布局技巧和BGA breakout示例。系统设计人员可以利用这些信息来降低印刷电路板成本。 |
| 2010-04-07 | ST发布55纳米嵌入式闪存制造工艺 ST发布55纳米嵌入式闪存制造工艺 |
| 2010-04-01 | ST发布55nm嵌入式闪存制造工艺 ST发布55nm嵌入式闪存制造工艺 |
| 2009-12-09 | 3D闪存技术未来有望取代NAND 随着NAND Flash制造工艺发展速度的放缓，3D Flash单元堆正被宣传为传统NAND的替代技术。本文探讨了文献中叙述的多种3D技术以及每种技术在转化为产品过程中所面临的挑战。3D技术的日益流行是因为它们与2D NAND相比具有显着的成本优势。本文对这种成本影响进行了详细介绍。最后，本文还对首款3D Flash产品的问世时间进行了预测。 |
| 2009-12-07 | NAND的替代技术——3D闪存 随着NAND Flash制造工艺发展速度的放缓，3D Flash单元堆正被宣传为传统NAND的替代技术。本文探讨了文献中叙述的多种3D技术以及每种技术在转化为产品过程中所面临的挑战。3D技术的日益流行是因为它们与2D NAND相比具有显着的成本优势。本文对这种成本影响进行了详细介绍。最后，本文还对首款3D Flash产品的问世时间进行了预测。 |
| 2009-11-10 | 英飞凌、TSMC扩大合作，携手65纳米嵌入式闪存工艺 英飞凌科技股份公司与台湾积体电路制造股份有限公司近日共同宣布，双方将在研发和生产领域扩大合作，携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的65纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。 |
| 2009-11-09 | 英飞凌携手TSMC开发面向下一代汽车应用的65纳米嵌入式闪存工艺 英飞凌科技股份公司与台湾积体电路制造股份有限公司今日共同宣布，双方将在研发和生产领域扩大合作，携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的 65纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。根据该项协议，英飞凌与台积电将携手开发65纳米工艺技术，用于生产符合汽车行业严格的质量要求及芯片卡和安全行业苛刻的安全要求的嵌入式闪存微控制器（MCU）。 |
| 2009-05-12 | 英飞凌加强与博世合作，提升其汽车半导体地位 英飞凌科技股份公司和博世集团将双方的合作范畴扩展至功率半导体。 此次合作有两个重要内容：首先，博世将从英飞凌获得功率半导体制造工艺的许可——尤其是低压功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)以及必要的制造工艺。其次，双方的合同还包括一个第二货源协议。 |
| 2009-04-28 | 凸版印刷公司28nm掩模工艺准备就绪 通过正在进行的与IBM的项目合作，凸版印刷（Toppan Printing）公司宣布已经开发了用于32nm和28nm节点光学掩模的新的制造工艺。Toppan表示，在日本Asaka制造的光学掩模与IBM在Essex Junction工厂的掩模完全兼容，且得到了IBM的认证。 |
| 2009-04-24 | ARM发布业界最广泛的40纳米G物理IP平台 ARM公司近日宣布，开始向台积电的40纳米G制造工艺提供业界最完善的IP平台。这一ARM最新的、已通过流片验证的物理IP能够满足性能驱动消费产品的高成本效率开发；这些产品要求在不提高功耗的前提下提供先进的功能。 |
| 2009-04-09 | ST推出全新30V功率晶体管，采用第六代STripFET制造工艺 ST推出全新30V功率晶体管，采用第六代STripFET制造工艺 |
| 2009-03-19 | Point 35 Microstructures将氧化物释放技术添加到汽相MEMS制造系列 全球微机电系统（MEMS）产业蚀刻和沉积设备供应商Point 35 Microstructures公司，日前在上海宣布推出汽相氧化物释放蚀刻模块，进一步扩展其微机电系统(MEMS) 单晶圆制造memsstar产品系列。这项新增的技术将确保MEMS器件设计师得到更多的生产选择，同时带来了宽泛的制造工艺窗口和各种工艺控制等等好处，从而使良率得到了最大的提升。 |
| 2009-03-06 | 精加工的领航者--丽发精艺金属工业有限公司和鑫宇五金制品有限公司 精密的加工设备是高品质五金制品的基础。其生产的目标就是为其OEM客户提供高质量的产品。丽发精艺金属工业有限公司和鑫宇五金制品有限公司以其先进的生产技术和优良的制造工艺，正在成为精加工行业的领头军。 |
| 2008-12-23 | 恒忆发布新系列NAND闪存，用于高密度eMMC和microSD解决方案 恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元 (MLC) NAND闪存、32GB（gigabytes）的eMMC存储芯片和高达8 GB的 microSD产品，全部采用先进的41nm制造工艺。 |
| 2008-12-22 | 恒忆推出新系列NAND闪存，定位于高密度eMMC和microSD解决方案 恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元 (MLC) NAND闪存、32GB（gigabytes）的eMMC存储芯片和高达8 GB的 microSD产品，全部采用先进的41nm制造工艺。 |
| 2008-12-30 | 使用参数化约束进行PCB设计 如今PCB设计考虑的因素越来越复杂，如时钟、串扰、阻抗、检测、制造工艺等等，这经常使得设计人员要重复进行大量的布局布线、验证以及维护等工作 |
| 2008-10-24 | 利用MEMS技术实现的动态射频有望进一步缩小蜂窝电话体积 MEMS设备最近已经在大批量消费类应用中取得成功，目前已经到了没有集成MEMS功能的系统就不能算完整的系统的地步。通过整合MEMS技术和主流半导体制造工艺创建出在线数字可调和高性价比的低损耗射频电容单元，WiSpry公司成功开发出了动态射频技术，并以此建立了真正的软件无线电设备。该设备的射频前端可以通过基带实现数字控制，所有特殊标准功能都以DSP程序方式加载。一旦前端电路变成数字可调，许多射频技术工作就可以转移到软件领域，从而极大地减少硬件设计/再设计的数量和成本，缩短人工调整电路所花的时间。 |
| 2008-10-20 | 利用MEMS技术实现的动态射频有望进一步缩小蜂窝电话体积 MEMS设备最近已经在大批量消费类应用中取得成功，目前已经到了没有集成MEMS功能的系统就不能算完整的系统的地步。通过整合MEMS技术和主流半导体制造工艺创建出在线数字可调和高性价比的低损耗射频电容单元，WiSpry公司成功开发出了动态射频技术，并以此建立了真正的软件无线电设备。该设备的射频前端可以通过基带实现数字控制，所有特殊标准功能都以DSP程序方式加载。一旦前端电路变成数字可调，许多射频技术工作就可以转移到软件领域，从而极大地减少硬件设计/再设计的数量和成本，缩短人工调整电路所花的时间。 |
| 2008-08-26 | 大陆低压接触器市场竞争激烈 低压接触器作为传统的低压电器产品，已经非常成熟。低压接触器产品本身的制造工艺并不复杂，技术含量相对较低，加上充足的市场需求，催生了数量众多的低压接触器生产厂家；而不同负载电流的低压接触器在价格上也表现出了较大的差异性，价格覆盖了从十几元到几千元的区间。 |
| 2008-08-19 | IQE增加了硅晶圆类型，应对航天应用 半导体晶圆产品和经营服务供应商IQE plc在其制造工艺中又增加了两种新技术。这两种工艺技术采用应变硅和蓝宝石衬底，主要用于RF无线和宽带市场，用来改进硅芯片的速度和功耗。这些先进材料具有抗辐射特性，可用于航天应用。 |
| 2008-08-11 | 桥式电力：使燃料电池能作后备系统 关键任务装置通常被备用发电设备所保护。这些关键任务装置（例如，数据及网络操作中心（NOCs），通讯中心，高价值制造工艺等）要求绝对不能中断的连续电力供给。最近燃料电池逐渐成为备用电力可行的备选方案，并且正在被许多电讯公司采用，从而使他们的系统可靠性更高。超级关键装置在能使用通用电源作后备电力的前提下采用瀑布式结构。 |
| 2008-08-04 | 桥式电力：使燃料电池能作后备系统 关键任务装置通常被备用发电设备所保护。这些关键任务装置（例如，数据及网络操作中心（NOCs），通讯中心，高价值制造工艺等）要求绝对不能中断的连续电力供给。最近燃料电池逐渐成为备用电力可行的备选方案，并且正在被许多电讯公司采用，从而使他们的系统可靠性更高。超级关键装置在能使用通用电源作后备电力的前提下采用瀑布式结构。 |
| 2008-07-30 | 英飞凌开发出面向GPS终端的低噪音指数LNA BGA715L7 德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）开发成功面向GPS终端的、提高了灵敏度的低噪音放大器（LNA）“BGA715L7”。其特点是噪音指数仅为0.6dB，此外，耗电量为5.94mW并支持1.8V驱动。并采用了硅锗碳（Si?Ge?C）制造工艺。 |
| 2008-06-03 | 意法半导体通过CMP为中国高等院校提供先进的CMOS制造工艺 意法半导体通过CMP为中国高等院校提供先进的CMOS制造工艺 |
| 2008-06-05 | ST推出首款65nm工艺SPEAr定制芯片可用于数码相框 意法半导体（ST）宣布该公司的SPEAr可配置型系统芯片系列新增加一款生力军，新款的SPEAr基本型产品采用当前最先进的65nm低功耗制造工艺，可满足各种嵌入式应用的需求，如入门级打印机、传真机、数码相框、网络电话（VoIP）等设备。 |
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