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CMOS 什么是CMOS? 搜索结果

 
什么是CMOS?
CMOS:互补性氧化金属半导体CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体。CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别,主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体,使其在CMOS上共存着带N(带-电) 和 P(带+电)级的半导体,这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。然而,CMOS的缺点就是太容易出现杂点, 这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时,由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象。
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2012-02-03 台积电反击28nm工艺良率问题传言
台积电日前回应了稍早前分析师指称该公司28nm CMOS工艺存在着良率问题的说法。台积电表示,减少28nm节点的缺陷密度一直在掌握中,以量产进度来看甚至快于40/45nm工艺技术。
2012-01-11 展讯发布首款基于40纳米CMOS的TD-LTE基带调制解调器
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2011-12-09 美研究将MEMS晶体管集成至CMOS电路,可取代独立晶振
美研究将MEMS晶体管集成至CMOS电路,可取代独立晶振
2011-12-07 美光利用IBM TSV工艺制造3D混合内存,传输速度提升15倍
IBM近日表示,美光的混合存储立方体(HMC)将成为第一个采用IBM TSV工艺的商业化CMOS制造技术。IBM在一份声明中称,IBM的3D芯片制程TSV芯片制造技术能使美光的混合式存储立方体的传输速度达到当前技术的15倍。
2011-11-21 MIT研究仿生芯片,可模拟大脑神经元活动
MIT的研究人员设计了一种芯片,会模仿人脑神经元是如何回应新讯息。该款内含400个晶体管的芯片可模拟单一大脑突触的活动,将已知的神经元生物学与突触可塑性整合到CMOS芯片上的一大进展。
2011-11-18 Molex演示基于CMOS硅光子的100Gbps集成光学收发器
Molex演示基于CMOS硅光子的100Gbps集成光学收发器
2011-11-15 利用专用晶圆加工工艺实现高性能模拟IC
高性能电子产品需要高精度模拟CMOS工艺技术,从而实现接近理想的MOS晶体管、电阻、电容以及专用JFET和DECMOS器件。为了实现最终芯片的差异化,必须对这种关键的器件从头进行设计,使精度设计贯穿整个设计周期。曾经专属于模拟IDM的技术领域(比如高性能模拟CMOS工艺技术)如今可以通过专业晶圆厂来实现。在这种趋势下,设计人员现在可以通过采用晶圆厂开发的模拟CMOS工艺实现其芯片,从而更快地实现更大的差异化。
2011-11-15 基于数字低中频的轮调数显方案有效简化收音机设计
本文介绍Silicon Labs(芯科实验室)近日宣布推出的新一代多波段收音机接收器IC解决方案Si484x,使轮调收音机产品具有现代的数字显示功能。由于Si484x基于该公司专利的数字低中频架构,并采用CMOS工艺提供了很高的集成度,因此具有较佳的RF性能并节约成本。
2011-11-02 IDT首款具±50 ppm频率精度CMOS振荡器问市
IDT首款具±50 ppm频率精度CMOS振荡器问市
2011-10-25 美生产出印刷“CMOS”存储器,或改变人机交互方式
美生产出印刷“CMOS”存储器,或改变人机交互方式
2011-10-19 Vishay CMOS模拟开关和多路复用器又增新品
Vishay CMOS模拟开关和多路复用器又增新品
2011-10-11 无晶体振荡器取代石英晶体时机来临
随着电子技术的快速发展,使用晶体以及晶体振荡器提供时序的方法的局限性已暴露出来。本文将重点讨论新兴的“无晶体(crystal-free)”全硅CMOS振荡器,用以替代传统的时序解决方案。
2011-10-12 为汽车应用而优化的CMOS收音机IC解决方案
为汽车应用而优化的CMOS收音机IC解决方案
2011-10-08 工业及医疗等应用的CMOS图像传感器方案详解
工业及医疗等应用的CMOS图像传感器方案详解
2011-10-07 智能手机的音频放大器方案之探讨
近年来,随着CMOS工艺技术的不断改进,CMOS传感器的应用范围也越来越广泛,包括数码相机、电脑摄像头、视频电话、手机、视频会议、智能型安保系统、汽车倒车视像雷达、玩具,以及工业、医疗等应有尽有。
2011-10-06 TOREX附带ON/OFF功能的低噪声放大器问市
特瑞仕半导体推出采用CMOS工艺、附带ON/OFF功能、用于GPS的小型放大器LNA(低噪声放大器)的3种产品。
2011-09-30 应用于工业及医疗的CMOS图像传感器方案
应用于工业及医疗的CMOS图像传感器方案
2011-09-22 IBM将发布CMOS兼容2GHz石墨烯IC制造技术
IBM将发布CMOS兼容2GHz石墨烯IC制造技术
2011-09-21 半导体CMOS技术将在7nm终结,石墨烯有望替代
半导体CMOS技术将在7nm终结,石墨烯有望替代
2011-09-16 高压零漂移运放面市,TI与对手拉开距离
近日,TI将其已有的运算放大器零漂移技术与高精度的36 V CMOS工艺相结合,推出零温漂移36V运算放大器——OPA2188,降低了模拟设计人员在高电压环境下实施高精度测量的技术难题,为测量测试设备、工业电子秤和医疗仪表的设计人员带来福音。
2011-09-08 IDT扩展CrystalFree CMOS振荡器,支持5Gbps高速控制器应用
IDT扩展CrystalFree CMOS振荡器,支持5Gbps高速控制器应用
2011-09-06 双极性还是CMOS,为医疗设计选择合适的IC
双极性还是CMOS,为医疗设计选择合适的IC
2011-09-08 透彻理解运算放大器的"最大电源电流"
对于大多数IC来说,数据手册上都会列出最大电源电流,但人们常常对其测量条件视而不见。对于一些轨到轨输出运算放大器,某些操作可能会导致电源电流比规定的最大值高出2到10倍。本文探讨在确定是否应当关注最大电源电流时需要考虑的一些层面,对双极性和CMOS运算放大器均适用。
2011-09-08 射频功率放大器的技术和应用将何去何从?
本文就通过对三菱电机半导体高频与光器件制作所总经理的访问,介绍了当前移动终端和4G基站用射频功率放大器(RF PA)的技术趋势进行介绍,同时也讨论了诸如GaAs HBT、硅CMOS、GaN HEMT和LDMOS技术RF PA的未来市场前景。
2011-08-29 Amalfi发布蜂窝手机用CMOS发射模块
Amalfi发布蜂窝手机用CMOS发射模块
2011-08-25 硅频率控制器(SFC)原理及其相关参数
由于石英材料及其振荡原理的局限性,近年来,人们不断探索用新技术来替代它。如MEMS技术,但是它的中心振荡频率不是很高所以如果需要高的频率输出,必须经过一级PLL,增加了成本,相位噪音和功耗。IDT在这一领域做了深入的研究,采用专利的CMOS谐波振荡器(CHO),推出了全硅频率控制器。
2011-07-11 CMOS图像传感器将取代CCD成为图像传感器首选
CMOS图像传感器将取代CCD成为图像传感器首选
2011-07-07 基于Bandpass PA架构的CMOS功率放大器解决方案
基于Bandpass PA架构的CMOS功率放大器解决方案
2011-07-04 Vishay新款低压模拟开关,2.7V下的最大导通电阻为0.6Ω
日前,Vishay推出3款新型单极双掷(SPDT)和双路的双极双掷(DPDT)CMOS低压模拟开关——DG2735A、DG2725和DG2599。这些器件具有低工作电压和低导通电阻,采用小尺寸miniQFN封装,可在空间受限的便携式终端产品中用于音频、SIM卡和多功能信号切换。
2011-06-29 新思科技发布面向180nm CMOS工艺技术的NVM IP
新思科技发布面向180nm CMOS工艺技术的NVM IP
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