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| 2010-08-13 |
DRAM的好日子还有多久？ |
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目前的DRAM市场充满不确定的讯号，有人认为景气高峰期已经结束了，也有人认为现在才正要开始，而且产品短缺的状况将会在可见的未来徘徊不去。还有人说，景气高峰期会持续，但将因为内存厂商缺乏晶圆厂设备而受到限制。 |
| 2010-08-12 |
下半年设备与良率问题将导致DRAM短缺 |
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据iSuppli公司，强劲增长的DRAM市场可能在下半年遇到麻烦，由于制造设备供应有限和制程变化方面的挑战，可能会出现供不应求的局面。DRAM供需形势变化无常。预计2010年DRAM出货量相当于1,590万个1Gb器件，比去年的1,070万个增长48.6%。今年的多数增长将发生在下半年，最后两个季度的比特出货量环比增长率都将达到11%左右。相比之下，2010年前两个季度增长率都远低于10%。 |
| 2010-08-06 |
Altera支持RLDRAM 3存储器的Stratix V系列FPGA |
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Altera 公司今天发布Stratix V系列FPGA，适用于支持Micron技术公司的下一代低延时DRAM (RLDRAM? 3存储器)。Stratix V FPGA采用新的存储器体系结构，降低延时，高效实现FPGA业界最好的系统性能。 |
| 2010-07-16 |
美光发布第三代低延时DRAM |
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美光科技(Micron Technology, Inc)近日推出了第三代低延时DRAM (RLDRAM○R 3内存)—一种高带宽内存技术，能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和云计算的蓬勃发展，对网络基础设施提出了更高效的要求，以便在线传输大量数据。 |
| 2010-07-02 |
DRAM市场最新排名：台/韩系厂商表现亮眼 |
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据iSuppli公司，第一季度力晶DRAM营业收入为4.32亿美元，比2009年第四季度的2.39亿美元大增80.8%，比2009年第一季度暴增1068%。这在第一季度iSuppli公司的DRAM供应商排行榜中，是最强劲的表现，而且远优于总体产业。 |
| 2010-06-23 |
移动DDR2 DRAM将迅速成为主流技术 |
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据iSuppli公司，双倍数据率(DDR2)DRAM将迅速占领手机市场，这种新一代DRAM预计将取代传统DDR，在2011年以前成为主流移动DRAM技术。在2010年总体移动DRAM出货量中，预计约有80%是DDR。但是，随着DDR2在2011年下半年成为主导技术，这种情况将迅速发生变化。 |
| 2010-06-21 |
硅谷Grandis新一代MARM将取代DRAM甚至NAND闪存？ |
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今日主流内存技术的末日即将来临？一家专精“自旋转移力矩随机存取内存(spin transfer torque random access memory， STT-RAM)的美国硅谷新创公司Grandis日前发表了更新的产品蓝图，并宣示以这种新一代MARM取代DRAM甚至NAND闪存的雄心。 |
| 2010-06-08 |
PCM能否在存储器领域一枝独秀？ |
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恒亿(Numonyx)公司最近宣布为嵌入式应用相变存储器(PCM)创建新品牌Numonyx Omneo，并高调推出已量产的全新PCM系列，距行业专家预言的“PCM产品商业化要到2012年前后”提早了两年。事实上，行业内不断增加的对尺寸、重量、功耗、性能、上市时间的紧迫要求(业界戏称为SWEPT要求)，以及NOR、NAND、易失性DRAM等存储器未来可预见的发展瓶颈，都在加快新一代存储器的前进步伐。 |
| 2010-06-01 |
2010年Q1半导体公司全球20强排名大变动 |
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根据市场分析机构IC Insights的报告显示，2010年第一季度，在全球排名前20位的半导体供应商之中，有10家公司的排名发生了变化，其中很大一部分原因是由于受到动荡的DRAM及NAND Flash内存市场的冲击。 |
| 2010-04-13 |
供少于求拉动DRAM价格维持走高 |
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根据集邦科技调查，DRAM合约市场在PC-OEM积极拉货下，4月上旬合约价格再度上涨，DDR3上涨逾7%到46美元，DDR2也上涨约5%到42美元。 |
| 2010-04-07 |
DRAM新救世主——智能手机？ |
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DRAM最大的应用市场向来是PC，而现在有一个新兴应用市场开始涌现对DRAM的大量需求；根据市场研究机构iSuppli的预测，智能手机对DRAM的需求量正以超过10倍的速度成长。 |
| 2010-02-24 |
英飞凌向尔必达提出专利侵权诉讼 |
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英飞凌科技股份公司已于2010年2月19日向美国国际贸易委员会（ITC）递交起诉书，称尔必达（Elpida Memory Inc.）制造并向美国进口销售的某些DRAM半导体产品侵犯了英飞凌在半导体制程和元件制造方面四项重要发明专利，涉嫌不公平贸易。 |
| 2010-02-03 |
LSI推出PowerPC 476 MCU内核和高速嵌入式DRAM内存模块 |
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LSI公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微处理器内核和高速嵌入式 DRAM 内存模块，进一步丰富了其业界领先的定制芯片 IP 产品系列。 |
| 2009-12-30 |
2010年两个因素推动内存产业向DDR3过渡 |
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2009年即将结束，DDR2作为DRAM市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3几年前就已经问世，iSuppli公司认为，它即将成为世界上最流行的内存技术。 |
| 2009-12-29 |
DDR3注定要夺取DRAM王座 |
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2009 年即将结束，DDR2 作为DRAM 市场之王的日子同样所剩无几。速度更快且功耗更低的DDR3 几年前就已经问世，iSuppli 公司认为，它即将成为世界上最流行的内存技术。 |
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