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DRAM 什么是DRAM? 搜索结果

 
什么是DRAM?
DRAM(Dynamic RAM)就是动态随机存储器。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM 必须隔一段时间刷新(refresh)一次。如果存储单元没有被刷新,数据就会丢失。 DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大,主要是指DRAM的容量
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2006-10-24 华邦全新SDRAM系列组件针对消费类电子产品应用
为迎接数字家庭挑战,华邦(Winbond)日前推出了全新的SDRAM系列组件,包括6?Mb的W986?系列、128Mb的W9812系列,以及256Mb的W9825系列,并表示该公司目前正锁定利基型(Specialty) DRAM应用,搭配自建的12吋厂产能,将为客户免除产能缺乏的困扰。
2006-10-24 华邦推出6?Mb、128Mb及256Mb SDRAM新产品
面向数字家庭的到来,华邦将DRAM产品瞄准在专业性(Specialty)的市场。在专业性DRAM厂商中,华邦是少数拥有研发、制造与营销能力的IDM厂。华邦自建12英寸厂能免除产能匮乏的困扰。
2006-10-24 DRAM价格操纵案又起波澜,又有三名高管“落水”
DRAM价格操纵案又起波澜,又有三名高管“落水”
2006-10-23 华邦发布256Mb低功率DRAM,适用于移动设备
华邦发布256Mb低功率DRAM,适用于移动设备
2006-10-23 华邦256Mb低功率DRAM符合JEDEC标准
华邦256Mb低功率DRAM符合JEDEC标准
2006-10-23 华邦新款56Mb低功率DRAM系列遵循JEDEC标准
华邦新款56Mb低功率DRAM系列遵循JEDEC标准
2006-10-19 三星Q3利润爆增,闪存、Ultra Edition手机功不可没
三星电子第三季利润环比增长率创出最高纪录,内存芯片和手机销售最为强劲。
2006-10-18 美光推出1Gb DDR3内存芯片,面向高内存密度的应用
内存性能日益成为电脑游戏、服务器、高性能计算和高清电视(HDTV)等广泛应用的关键。这些应用要处理需要快速、高效访问的大量数据。为提高这些应用的内存性能,美光科技(Micron Technology)近日推出了1Gb双倍数据传输率(DDR)3内存,为这些关键应用提供速度更块、功耗更低、存储密度更大的内存。
2006-10-17 美光推出1Gb DDR3内存,市场应用广泛
内存性能日益成为电脑游戏、服务器、高性能计算和高清电视(HDTV)等广泛应用的关键。这些应用要处理需要快速、高效访问的大量数据。为提高这些应用的内存性能,美光科技(Micron Technology)近日推出了1Gb双倍数据传输率(DDR)3内存,为这些关键应用提供速度更块、功耗更低、存储密度更大的内存。
2006-10-17 美光科技1Gb DDR3内存芯片问世
内存性能日益成为电脑游戏、服务器、高性能计算和高清电视(HDTV)等广泛应用的关键。这些应用要处理需要快速、高效访问的大量数据。为提高这些应用的内存性能,美光科技(Micron Technology)近日推出了1Gb双倍数据传输率(DDR)3内存,为这些关键应用提供速度更块、功耗更低、存储密度更大的内存。
2006-10-16 纵览全球半导体,从容走过中国电子业“严冬”
在深圳第八届高交会开幕前一天,一场由创意时代会展主办,国际著名半导体分析机构iSuppli与著名半导体厂商德州仪器、飞思卡尔、NXP、NEC等公司参加的全球半导体市场大会,使得高交会的热潮提前到来,这些半导体产业的专家引导听众从全球半导体的趋势看中国OEM/ODM未来的机会、并帮助中国电子业制定未来的市场战略。
2006-10-16 看好存储芯片市场前景,海力士、意法合资晶圆厂在华开业
意法半导体公司和另一家大型半导体厂商海力士半导体日前为在中国江苏省无锡市合资建立的存储器芯片前端制造厂举行了正式的开业典礼。这个新工厂将负责制造NAND闪存和DRAM存储器芯片,该合资公司是海力士与意法半导体成功合作的结晶。
2006-10-13 ST Hynix在华谱写闪存叠装技术续曲, 晶圆制造“巨无霸”出炉
意法半导体(ST)与韩国Hynix半导体(Hynix)近日宣布,由两家公司共同出资、投资总额高达20亿美元的存储器芯片合资项目Hynix-ST(Hynix-ST)半导体有限公司近日在无锡正式开业。据称,这是中国目前最大的晶圆制造项目。
2006-10-11 奇梦达联手南亚科技,共同打造75纳米DRAM技术平台
奇梦达联手南亚科技,共同打造75纳米DRAM技术平台
2006-09-25 Elpida新晶圆厂选址举旗难定,台湾地区有望抢到“绣球”
Elpida Memory Inc.日前表示,仍在进一步筛选兴建新晶圆厂的地点。但这家日本DRAM厂商目前引发了其可能在台湾地区建厂的臆测。
2006-09-21 Epion nFusion掺杂系统效能显著提升,可以增加晶圆吞吐量
气体团簇离子束(GCIB)开发商Epion宣布,该公司nFusion掺杂系统产生的离子束在效能方面有显著提高,最近在法国马赛举行的离子注入技术会议上,Epion提出的一份论文指出其离子束的质量传输能力有了极大提高,这可以增加晶圆的吞吐量,并使掺杂处于表面很浅的位置。
2006-09-12 Qimonda“登峰造极”,欲推58纳米DRAM制造工艺技术
Qimonda“登峰造极”,欲推58纳米DRAM制造工艺技术
2006-09-01 NAND市场变幻莫测,趋于稳定尚待时日
DRAMeXchange发布最新的DRAM市场行情指出,近日DDR2现货价格大涨,NAND Flash现货价格则出现止跌迹象,价格能否有继续上浮的迹象仍需观察。
2006-09-06 便携设备存储器技术方案之争进入战国时代
功能需求的变化和发展使得便携设备存储子系统设计面临更大压力。针对这种趋势,存储器供应商不断推陈出新,从存储单元架构、容量、安全性、先进接口、封装技术等方面着手,推出了更多的选择方案,涉及NAND或NOR闪存、SRAM、PSRAM和低功耗DRAM以及微硬盘等各种存储器种类。
2006-08-30 台湾企业大举进攻NAND领域,欲上层楼抗衡国际巨头?
厌倦了总是坐在NAND闪存的靠边位置,台湾地区内存制造商继续向这一欣欣向荣的业务领域大举进攻。很明显,这些DRAM供应商入市时机已晚,主要是因为它们缺乏必要的专利和技术。
2006-08-28 台湾征战NAND市场数载未果,如今再入围城胜算几何?
厌倦了总是坐在NAND闪存的靠边位置,台湾地区内存制造商继续向这一欣欣向荣的业务领域大举进攻。很明显,这些DRAM供应商入市时机已晚,主要是因为它们缺乏必要的专利和技术。
2006-08-28 NAND闪存市场欣欣向荣,台湾地区厂商蠢蠢欲动
厌倦了总是坐在NAND闪存的靠边位置,台湾内存制造商继续向这一业务领域大举进攻。台湾DRAM制造商Nanya、 Powerchip和ProMos数年来发表了各式各样的关于杀入NAND市场的隆重声明,但没有展现任何战绩。本地DRAM供应商很明显入市时机已晚,主要是因为它们缺乏必要的专利和技术。但目前至少有两家雄心勃勃的台湾企业期望在NAND市场留下自己的印记。
2006-08-21 业界流传“取货”传闻,NAND闪存市场回暖?
近日DRAMeXchange的调查报告显示:DRAM的需求在上周表现仍稳健强劲,DDR2的需求持续增温,价格甚至微幅上扬。此外,由于NAND闪存市场供过于求,芯片供货商严密掌握供需与价格关系、返校旺季来临,以及Apple将与三星和Hynix大量取货的传闻影响等因素下,目前NAND闪存现货市场各类型产品价格渐趋稳定。
2006-08-18 Memory Devices公司势头猛劲,欲挑战全球固态存储器霸主?
中国Memory Devices公司日前宣布其06年第二季度销售额比去年同期增长151%,达到1.42亿美元,净利润增加82%,达到300万美元。这表明Memory Devices已经摆脱了第一季度的低迷,迎来了业绩最好的一个季度,该公司已经为挑战全球固态内存(solid-state memory)市场巨头的计划打好了基础。
2006-08-18 你方唱罢我方登场,NAND、NOR、DRAM轮流坐庄闪存市场
你方唱罢我方登场,NAND、NOR、DRAM轮流坐庄闪存市场
2006-08-16 首次公开发行以低价收场,奇梦达未来发展蒙上阴影?
从英飞凌DRAM部门“脱胎换骨”的奇梦达(Qimonda)日前终于在纽约实现了首次公开发行(IPO),其进一步细节也正式宣布——IPO价格为每份美国存托股(ADS)13美元。每份ADS对应一股奇梦达公司普通股,已于8月9日开始在纽约证交所(NYSE)出售,股票代码为QI。
2006-08-11 库存清理“大甩卖”,闪存价格暴跌另有“隐情”?
市场调研公司Gartner日前的报告指出,最近一段时间来,全球内存市场和闪存市场呈现出“悲喜两重天”的格局。内存价格持续上涨,闪存的价格则继续大幅下滑。
2006-08-10 库存产品急需清仓,闪存价格下滑是人为操纵?
据市场调研公司Gartner的报告报道,近期以来,全球闪存市场和内存市场呈现“悲喜两重天”的局面。内存价格持续坚挺,闪存价格继续下跌。
2006-08-09 清库存给新产品让位,闪存价格暴跌纯属人为?
市场调研公司Gartner日前的报告指出,最近一段时间来,全球内存市场和闪存市场呈现出“悲喜两重天”的格局。内存价格持续上涨,闪存的价格则继续大幅下滑。
2006-08-08 SiS发布CDFN封装方式有效减小消费电子芯片尺寸
有别于DRAM产业普遍采用的TSOP或BGA封装方式,SiS日前表示,成功开发出速度与性能并举的CDFN封装方式。该封装能极大地缩短数据传输的延迟时间,满足芯片I/O引脚数不断增加的需求,并符合欧洲RoHS规范。
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