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| 2011-11-17 | IR再次扩充600V IGBT系列 IR再次扩充600V IGBT系列 |
| 2011-11-15 | IGBT器件选型指南 IGBT器件选型指南 |
| 2011-03-31 | Linear推出超低功耗12位/14位模数转换器LTC2145 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出超低功率 14 位和 12 位、25Msps 至 125Msps 模数转换器 (ADC) 系列 LTC2145，该系列的器件在采用单 1.8V 电源时每 Msps 的功率消耗低于 1mW，从而使其成为市场上功耗最低的高速 ADC。 |
| 2011-03-15 | 世强电讯继续向三大市场发力，IIC展示多款创新应用 在刚刚结束的IIC国际集成电路展上，世强电讯面向工业、通信和消费市场展出了丰富的器件产品及设计方案，受到现场观众的极大关注，其中不乏部分新品首次亮相在公众视野。 |
| 2010-11-19 | 新一代逆变器优化光伏系统设计 近年来光伏发电在各国的普及和应用取得可观的进展。作为电能转换的关键环节，电力电子变换器对于光伏系统的整体性能与可靠性占有举足轻重的地位。本文在简要回顾了太阳能市场近年来的发展之后，着重分析了太阳能逆变器的设计需要并由此阐述了功率半导体器件与电路拓扑方面的优选原则。 |
| 2010-11-19 | 飞兆半导体推出改进型栅极驱动光耦合器FOD3184 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为此开发出一款输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器产品FOD3184。该器件适用于工作频率高达250kHz的功率MOSFET和IGBT的高频驱动，相比常用的FOD3120栅极驱动器，新器件的传输迟延时间缩短了50%，功耗降低了13%。 |
| 2010-11-16 | 车用半导体器件可靠性成电动车发展关键 车用半导体器件可靠性成电动车发展关键 |
| 2010-11-15 | 电动车呼声劲扬，车用半导体器件可靠性成关键 电动车呼声劲扬，车用半导体器件可靠性成关键 |
| 2010-06-01 | 集成全新650V IGBT和发射极控制二极管芯片技术的三电平IGBT功率模块 集成全新650V IGBT和发射极控制二极管芯片技术的三电平IGBT功率模块 |
| 2010-03-01 | Microsemi在APEC 2010展示它的全部功率半导体器件产品 Microsemi在APEC 2010展示它的全部功率半导体器件产品 |
| 2010-01-26 | 英飞凌推出RC IGBT驱动系列，适用于节能家电 英飞凌推出RC IGBT驱动系列，适用于节能家电 |
| 2010-01-25 | 英飞凌推出适用于节能家电的创新功率转换器件 英飞凌推出适用于节能家电的创新功率转换器件 |
| 2009-02-20 | IIC-China 2009参展商介绍：天津环鑫科技发展有限公司 天津环鑫科技发展有限公司是一家专业从事半导体器件、半导体材料研发、制造、销售的高科技企业。公司主要业务为功率半导体器件（VDMOS、TDMOS、IGBT、SBD、FRD 等）、功率半导体集成电路、半导体功率器件用扩散片等产品设计、研发、测试、销售。 |
| 2008-12-03 | 飞兆指控英飞凌专利侵权，CoolMOS、OptiMOS等涉及其中 美国飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)在美国对英飞凌(Infineon)提起诉讼，控告这家德国公司的CoolMOS和OptiMOS电源管理器件，以及Infineon IGBT和CanPak侵犯了飞兆半导体的专利。 |
| 2008-06-23 | Microsemi发布新款IGBT和低VF超软恢复二极管 Microsemi发布新款IGBT和低VF超软恢复二极管 |
| 2008-06-03 | Microsemi宣布新的Power MOS 8穿通型IGBT系列 Microsemi宣布新的Power MOS 8穿通型IGBT系列 |
| 2008-05-19 | Maxim推出MAX8685系列快速充电氙闪光灯电容充电器 Maxim推出MAX8685系列快速充电氙闪光灯电容充电器，具有集成开关FET、IGBT驱动器，以及输出短路和开路保护。在该系列器件中，MAX8685F具有最快的充电时间，并集成了一个电压监视器。MAX8685C/MAX8685D是最小的氙闪光灯电容充电器，带有集成的开关FET和IGBT驱动器。 |
| 2008-05-05 | 1200V IGBT4―性能优化的新一代功率半导体器件 1200V IGBT4―性能优化的新一代功率半导体器件 |
| 2008-04-09 | Vishay新系列半桥600V及1200V IGBT模块出炉 Vishay新系列半桥600V及1200V IGBT模块出炉 |
| 2008-04-08 | 飞兆全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件问世 飞兆全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件问世 |
| 2008-03-24 | Vishay推出新系列半桥600V及1200V IGBT模块 Vishay推出新系列半桥600V及1200V IGBT模块 |
| 2008-03-24 | 飞兆推出两款1200V Field Stop Trench IGBT系列器件 飞兆推出两款1200V Field Stop Trench IGBT系列器件 |
| 2007-10-10 | 飞兆推出业界首颗电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS，可将功耗降低30 飞兆推出业界首颗电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS，可将功耗降低30 |
| 2007-10-08 | 飞兆推出首款电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS 飞兆推出首款电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS |
| 2007-06-12 | 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较 在SMPS应用中选择IGBT和MOSFET的比较 |
| 2007-06-02 | 主流功率器件及模块的技术趋势 高可靠性、节能(能耗更低、能效更高)、高性能、小尺寸、符合RoHS指令应是大功率器件的未来发展趋势。 |
| 2007-03-06 | 引领节能降耗趋势，IGBT驱动市场迎来新一轮热潮 引领节能降耗趋势，IGBT驱动市场迎来新一轮热潮 |
| 2007-01-30 | 节能唱主角，大型功率模块“争奇斗艳” 在即将于上海举行的2007年慕尼黑电子展上，当今最领先的IGBT器件供应商，如三菱电机、塞米控、富士电机和英飞凌半导体等领先企业将为广大的中国机电产品设计师带来他们开发的最新IGBT产品。 |
| 2006-11-30 | 以创新的IGBT技术、合理的器件选型和有效的系统手段优化变频器设计 以创新的IGBT技术、合理的器件选型和有效的系统手段优化变频器设计 |
| 2006-07-12 | Vishay新推MOSFET/IGBT驱动器，最大低电平输出电压为1V Vishay新推MOSFET/IGBT驱动器，最大低电平输出电压为1V |
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