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MOSFET是什么?

MOSFET是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
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2010-03-16 Fairchild推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ/FDZ372NZ
  飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用先进的PowerTrench工艺技术，具有更低的RDS(ON)，更高的效率，并可延长电池寿命。
2010-03-15 IR推出采用PQFN封装的MOSFET系列，适用于ORing和电机驱动应用
  国际整流器公司(简称IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
2010-03-09 专注电源转换器市场，无锡芯朋微电子IIC-China展示最新700V高压ADC产品
  2010年IIC-China深圳站，无锡芯朋(Chipown)微电子有限公司带来了最新推出的AC-DC芯片——PN8117。据该公司副总经理陈健介绍，该芯片有两大亮点。首先，内部集成智能化高压MOSFET，不仅可承受高达730V的电压，还可以提供多种检测信息。
2010-03-05 Power Integrations新推出的TOPSwitch-JX电源转换IC
  Power Integrations公司宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新产品系列共由16款高度集成的功率转换IC组成，其内部均集成有一个725 V功率MOSFET，适用于设计反激式电源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法，可提高整个负载范围内的功率效率。
2010-03-05 飞兆半导体推出MOSFET器件FDMC7570S，具有业界最低RDS(ON)
  飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色热性能，并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列，可应对工业、计算和电信系统对更高效率和功率密度的设计挑战。
2010-03-01 TI推出具有同步MOSFET控制输出的全新环保型相移全桥控制器UCC28950
  日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具备同步 MOSFET 控制输出与轻负载电源管理功能的相移全桥 PWM 控制器 UCC28950。该解决方案从轻负载到满负载的效率均高达 90% 以上，从而使其能够满足超过 90 种 Climate Savers 效率标准的要求。
2010-02-24 安森美推出高压MOSFET系列，扩充功率开关产品阵容
  安森美半导体(ON Semiconductor)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列。
2010-02-09 Maxim推出电池反接及过压保护控制器MAX16914/MAX16915
  Maxim推出过压保护控制器MAX16914/MAX16915，适用于汽车和工业系统等必须能够承受较高瞬态电压及故障状态的应用。这两款器件采用独特的架构，通过检测2个背靠背p沟道MOSFET的输入和输出电压，提供具有理想二极管特性的过压保护。
2010-02-09 IIC-China 2010参展商展前专访：光宇睿芯微电子
  上海光宇睿芯微电子有限公司座落于上海浦东张江高科技园区， 是专业从事半导体过电压保护器件、集成电路的设计与销售的高新技术企业，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一。公司产品主要有：通讯系统的接口保护、便携产品接口保护、锂电池的过充过放保护、电源系统的过压保护和LED过压保护器件；以及稳压管、功率MOSFET器件、肖特基器件和LED驱动电路等。
2010-02-05 安森美新增100V N沟道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x
  应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor) 扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。
2010-02-04 凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4449
  凌力尔特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。
2010-02-04 Maxim推出业内首款2串HB LED驱动器
  Maxim推出业内仅有的2串HB (高亮度) LED驱动器MAX16838，理想用于汽车电子。器件集成一路升压或SEPIC开关转换器、2路线性吸电流调节器以及所有必要的功率MOSFET。MAX16838能够优化转换效率，提供完备的故障保护，实现5,000:1的亮度调节范围，且无需任何外部元件。
2010-02-01 Maxim推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054
  Maxim不久前推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054。该器件能够为需要采用降压或升降压拓扑结构、但不带必需的高边MOSFET驱动器的HB (高亮度) LED设计提供低成本方案。
2010-01-28 英飞凌发布200V和250V OptiMOSTM系列器件，壮大MOSFET阵容
  英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源（UPS）和直流电机驱动。
2010-01-28 IR推出AUIRF7739L2/AUIRF7665S2两款汽车用DirectFET 2功率MOSFET
  国际整流器公司 (IR) 近日推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET 2功率MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。



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