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MOSFET相关技术术语
  • [ MOSFET]  Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 金属氧化半导体场效应管
  • [ MOSFET]  metal-oxide-semiconductor field effect transistor 金属氧化物半导体场效应晶体管;金氧半场效电晶体
共搜索到1136篇文章 按相关度排序 按时间排序
2012-02-08 ST提供业界首款集成电动车窗控制功能的车门控制芯片
ST日前推出了市场上首款集成电动车窗控制功能的多功能车门驱动芯片。这款创新产品可降低制造成本,并把乘座舒适性提高到新的水平。
2012-02-03 IR车用AUIR0815S栅极驱动IC出炉
IR近日推出车用IC——AUIR0815S,具备超过10 A的高输出电流,能够驱动逆变器级的大型IGBT和MOSFET,适用于混合动力汽车和电动汽车中的动力系统。
2012-02-03 英飞凌为汽车电子功率MOSFET提供创新型H-PSOF封装
英飞凌为汽车电子功率MOSFET提供创新型H-PSOF封装
2012-01-31 Linear提供新款高达95%的效率同步降压型DC/DC控制器
Linear推出接通时间由高频信号控制的单输出两相同步降压型DC/DC控制器LTC3839,该器件在2MHz频率工作时,能以25A输出电流实现高达95%的效率。其工作频率可在200kHz至2MHz范围选择,或者可同步至一个外部时钟。
2012-01-12 Diodes发布最新MOSFET控制器,可取代肖特基二极管
Diodes发布最新MOSFET控制器,可取代肖特基二极管
2012-01-10 TI三款全新MOSFET驱动器问市,可提供100 V的浪涌保护
TI三款全新MOSFET驱动器问市,可提供100 V的浪涌保护
2012-01-07 借助新一代SenseFET实现精确的电流感测
测量、控制及优化功率是电子系统的基础需求,它们取决于精确地感测负载电流,以达到提升能效、延长电池使用时间,以及在故障事件中保护系统元件等目标。随着提升能效、精确度及降低成本的需求增多,基于电流感测MOSFET的新一代方案逐步替代了传统的分流电阻或类似无源电路。不同于前代器件,新一代SenseFET拥有紧密的感测电流容限,可实现精确电流感测。
2011-12-31 Diodes首款DFN1212-3封装MOSFET助力实现低温操作
Diodes首款DFN1212-3封装MOSFET助力实现低温操作
2011-12-28 ST MDmesh V功率MOSFET新增成员STW88N65M5
ST MDmesh V功率MOSFET新增成员STW88N65M5
2011-12-22 Linear发布DC/DC转换器LTC3613,具差分输出采样和时钟同步
Linear推出高频、接通时间受控的同步降压型DC/DC转换器LTC3613,该器件具差分输出电压采样和时钟同步。受控的接通时间和谷值电流模式架构在瞬态事件时可通过提高工作频率以实现非常快速的瞬态响应。
2011-12-22 单通道,双通道亦或是四通道?
在需要多个运算放大器的设计中,设计师的第一反应是使用双通道或四通道运算放大器,然后根据PCB版图设计考虑来分配各个部分。在许多情况下这样做没什么问题,但对某些电路来说,谨慎地选择单通道、双通道或四通道运算放大器,并且进行恰当的划分可以提高电路性能。
2011-12-15 提升电源系统可靠性的有效选择——CoolMOS CFD2
近来, LLC拓扑以其高效,高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐,但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机,动态负载,过载,短路等情况下。Infineon CoolMOS CFD2系列以其高击穿电压,快恢复体二极管,低Qg和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。
2011-12-14 飞兆MOSFET新器件应对更小空间和更高效率的挑战
飞兆MOSFET新器件应对更小空间和更高效率的挑战
2011-12-13 采用多晶锗硅栅减少p沟道功率沟槽MOSFET开关时间
采用多晶锗硅栅减少p沟道功率沟槽MOSFET开关时间
2011-12-09 英飞凌发布40V OptiMOS T2 MOSFET汽车电源
英飞凌发布40V OptiMOS T2 MOSFET汽车电源
2011-12-07 IR发布PowIRstage集成式器件新系列IR3553
IR日前宣布扩充其PowIRstage集成式器件系列,推出专为下一代服务器、消费者及通信系统优化的40A IR3553。
2011-11-29 Diodes新推强化型MOSFET——DMP1245UFCL
Diodes新推强化型MOSFET——DMP1245UFCL
2011-11-21 AOS发布超低RDS(ON)的超薄功率MOSFET
AOS发布超低RDS(ON)的超薄功率MOSFET
2011-11-15 IGBT器件选型指南
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是总线电压几百至上千伏的应用的理想之选,作为少数载流子器件,IGBT在该电压范围内具备优于MOSFET的导通特性。众多的IGBT产品使得在选型时采用严格的流程变得十分重要,因为这可对电气性能和成本产生重大影响。本文介绍了IR最新的在线选型工具以协助工程师简化IGBT选型过程。
2011-11-15 Vishay新款不对称功率MOSFET简化DC/DC转换器的设计
Vishay新款不对称功率MOSFET简化DC/DC转换器的设计
2011-11-01 Vishay新增通过JAN认证的n沟道功率MOSFET
Vishay新增通过JAN认证的n沟道功率MOSFET
2011-10-21 Vishay最新功率MOSFET再次刷新业内最小尺寸记录
Vishay最新功率MOSFET再次刷新业内最小尺寸记录
2011-10-20 LTC4365控制器为敏感电路提供过压及电源反接保护
通过采用背对背MOSFET (而并未使用二极管),LTC4365控制器为敏感电路提供了过压、欠压和电源反接的保护作用。电源电压只有在合格通过可由用户调节的UV和OV跳变门限时才能传送至输出端。任何超出该窗口的电压都被隔离,保护范围可高达60V和低至–40V。
2011-11-01 电动汽车动力总成控制方法
长期以来,诸如永磁同步电机(PMSM)和感应电机等三相交流电机,被广泛地应用于工业控制系统。在汽车应用领域,这些电机还是相对时新的装置,目前正被逐渐用作传统内燃机的补充品或替代品。PMSM采用的绕组为三相正弦分布绕组和机械位移绕组。三相正弦波和时间位移电流可以产生旋转磁场。这一旋转磁场使电机转动,通过(逆变器中的)MOSFET切换电机绕组的电流而产生。磁场定向控制(FOC)算法为电机电流控制生成PWM模式。转子的位置和电流持续不断地被检测。基于高性能微控制器的高效FOC系统,为电动汽车和混合动力汽车驱动提供安全高效的解决方案创造了条件。
2011-11-01 面向汽车通孔应用的高性能功率半导体封装
TO-262是汽车应用普遍采用的封装技术之一。但就封装电阻而言,TO-262的性能不尽如人意。为此,业界对标准TO-262进行了一个简单的改善,从而产生了创新的WideLead TO-262封装。
2011-10-03 创新的过功率补偿技术
为了符合安规,必须在完整输入电压范围内限制电源的功率输出能力。一种可能的实施方式称为过功率补偿或保护(OPP)。本文提出了一种新颖的OPP技术,此技术在导通时间期间利用辅助绕组电压来检测输入电压变化。此负电压的一部份内部增加到控制器的最大峰值电流参考中,并降低最大峰值电流设定点。此方法并不会影响待机功率消耗,不会像以前技术那样影响轻载稳压。
2011-09-28 TI降压稳压器系列新增成员TPS53355,效率为90%
日前,德州仪器推出一款支持集成型MOSFET的同步30 A降压稳压器,其采用小型5 毫米 x 6 毫米PowerStack QFN封装,可实现90%的电源效率以及快速瞬态响应。该TPS53355转换器可为需要更高电源密度的低输出电压、大电流应用带来更优异的性能,充分满足笔记本电脑、嵌入式计算机、服务器、存储与电信系统等应用需求。
2011-09-27 英飞凌扩展用于普通照明的LED驱动IC
英飞凌再度扩展其适用于普通照明应用高功率LED的开关模式驱动器产品组合。这些新型驱动器将有助于延长LED使用寿命的热保护特性与灵活的输出电流(350mA至数安)有机结合在一起,成为适用于室内外高效照明设计的经济高效的解决方案。
2011-09-16 IR提供新系列40V至200V车用MOSFET
IR提供新系列40V至200V车用MOSFET
2011-09-16 PI发布全新HiperLCS系列高频LLC转换器IC
Power Integrations日前推出全新的HiperLCS系列高压LLC电源IC,新器件将控制器、高压端和低压端驱动器以及两个MOSFET同时集成到了一个低成本封装中。
问卷调查

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