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| 2010-08-26 |
IR推出为D类应用优化的汽车用DirectFET2功率MOSFET |
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国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天宣布推出汽车用 DirectFET2 功率 MOSFET 系列，适合D 类音频系统输出级等高频开关应用。 |
| 2010-08-19 |
Diodes推出超小型SOT963封装器件 |
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Diodes公司推出采用超小型SOT963封装的双极晶体管 (BJT)、MOSFET和瞬态抑制二极管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超过采用更大封装的器件。 |
| 2010-08-16 |
飞兆结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的FDZ3N513ZT |
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为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT，占位面积仅为1mm x 1mm。 |
| 2010-08-10 |
IR低导通电阻的汽车用功率MOSFET专用系列 |
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国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 日前宣布拓展了针对低导通电阻（RDS(on)）应用的汽车用功率 MOSFET 专用系列，包括车载电源及内燃机 (ICE) 、微型混合动力和全混合动力平台上的重载应用。 |
| 2010-08-09 |
英飞凌30V车用MOSFET，具备全球最低通态电阻 |
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英飞凌推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET。全新的OptiMOS-T2 30V MOSFET是一款N沟道器件，在10V栅源电压条件下，漏极电流为180A，而通态电阻仅为0.9毫欧。采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0，可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。 |
| 2010-08-02 |
Vishay推出业界最小的N沟道芯片级功率MOSFET Si8800EDB |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET --- Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOT Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可减少在便携式电子产品中占用的空间。 |
| 2010-07-29 |
凌力尔特发布6A DC/DC μModule稳压器LTM4618 |
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凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 6A DC/DC 微型模块 (uModule) 稳压器 LTM4618，该器件采用 9mm x 15mm x 4.32mm LGA 封装，含有电感器、MOSFET、DC/DC 稳压器、输入和输出旁路电容器以及支持电路，重量为 2.3g。 |
| 2010-07-26 |
飞兆用于隔离DC-DC的150V MOSFET器件FDMS86200 |
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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCo)的150V MOSFET器件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较低开关损耗、较低噪声和紧凑占位面积之MOSFET产品的需求。 |
| 2010-07-19 |
瑞萨电子发布7款面向小型汽车电子单元的功率MOSFET |
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瑞萨电子株式会社正式宣布：推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在内的7款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品。新产品主要面向汽车电子控制单元（如引擎控制单元和泵电机控制单元）的应用，采用了8引脚HSON封装。 |
| 2010-07-15 |
Vishay三款新型500V N沟道功率MOSFET |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的 0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。 |
| 2010-07-12 |
Vishay推出首款TrenchFET功率MOSFET--SiR880DP |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET功率MOSFET --- ThunderFET SiR880DP。 |
| 2010-07-05 |
IR推出采用PQFN封装和铜夹技术的中压器件系列 |
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国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。 |
| 2010-07-05 |
英飞凌推出全新650V CoolMOS C6/E6高压功率MOSFET |
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英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器件的优势（如低导通电阻和低容性开关损耗）与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台，C6器件针对易用性进行了优化，而E6器件则旨在提供最高效率。 |
| 2010-07-01 |
如何设计高效率的降压转换器 |
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使用开关稳压器的降压转换器具有所有转换器当中最高的效率。高效率意味着转换过程中的能量损耗更少，而且能简化热管理。“同步降压”指的是MOSFET用作低边开关。相对应的，标准降压稳压器要使用一个肖特基二极管作为低边开关。与标准降压稳压器相比，同步降压稳压器的主要好处是效率更高，因为MOSFET的电压降比二极管的电压降要低。 |
| 2010-06-13 |
Vishay流媒体视频展示SiZ700DT PowerPAIR双芯片不对称功率MOSFET解决方案 |
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日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，为帮助客户了解在一个小尺寸器件内组合封装的高边和低边MOSFET如何节省DC/DC转换器的空间和成本，该公司在其网站上新增了一个流媒体视频，展示SiZ700DT PowerPAIR双芯片不对称功率MOSFET解决方案。 |
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