MOSFET相关技术术语
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| 2011-09-16 | IR提供新系列40V至200V车用MOSFET IR提供新系列40V至200V车用MOSFET |
| 2011-09-16 | PI发布全新HiperLCS系列高频LLC转换器IC Power Integrations日前推出全新的HiperLCS系列高压LLC电源IC，新器件将控制器、高压端和低压端驱动器以及两个MOSFET同时集成到了一个低成本封装中。 |
| 2011-09-14 | Intersil全球首款双通道6A MOSFET驱动器问市 Intersil全球首款双通道6A MOSFET驱动器问市 |
| 2011-09-13 | 英飞凌全新P沟道40V汽车电源MOSFET系列问世 英飞凌全新P沟道40V汽车电源MOSFET系列问世 |
| 2011-09-08 | 利用半导体特性分析仪和脉冲发生器测量电荷泵 电荷充放电测量广泛用于测试MOSFET器件的接口状态密度特性。本文将讨论如何采用吉时利4200-SCS型半导体特性测试系统和3400系列脉冲/码型发生器来简化电荷充放电测量及其数据分析。 |
| 2011-09-06 | MOSFET新工艺加快电子产品绿化脚步 MOSFET新工艺加快电子产品绿化脚步 |
| 2011-08-30 | 驱动LED的理想方法:反相升降压拓朴调节 若需控制LED亮度，就必须具备能够提供恒定、稳压电流的驱动器。而要达到此目标，驱动器拓朴必须能产生足够的输出电压来顺向偏置LED。那么当输入和输出电压范围重叠时，设计人员又该如何选择呢？ |
| 2011-08-25 | 安森美汽车级非同步升压控制器NCV8871问市 安森美推出用于汽车系统自安崭新的可调节输出非同步升压控制器，其输入电压范围为3.2伏(V)至44 V的宽输入电压器件，能用于驱动外部N沟道MOSFET。 |
| 2011-08-22 | 安森美提供基于电流镜CAT2300的系统级电源管理方案 安森美推出带开关控制器的电流镜CAT2300，将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NS SENSEFET功率MOSFET器件结合使用，能提供紧凑、高能效的电流监控方案。 |
| 2011-08-18 | Vishay发布新款8V功率MOSFET，可在1.2V下导通 Vishay发布新款8V功率MOSFET，可在1.2V下导通 |
| 2011-08-16 | NXP发布最新电源管理方案，集成低VCEsat晶体管和Trench MOSFET NXP发布最新电源管理方案，集成低VCEsat晶体管和Trench MOSFET |
| 2011-08-15 | Allegro新增汽车级三相MOSFET预驱动器IC A4933 Allegro新增汽车级三相MOSFET预驱动器IC A4933 |
| 2011-08-15 | Linear新DC/DC控制器实现严紧的输出电压调节 Linear推出具备非线性控制、差分输出电压检测和时钟同步功能的固定频率同步降压型DC/DC控制器LTC3867。非线性控制通过提高工作频率最大限度地减小了负载瞬变过程中的输出电压摆幅，因而使得LTC3867仅在几个周期内就能从大负载阶跃中恢复。 |
| 2011-08-08 | TI最新SWIFT降压稳压器TPS54062简化工业电源设计 日前，德州仪器(TI)宣布推出一款50 mA、60 V同步SWIFT降压稳压器，可在尺寸仅为125平方毫米的解决方案中提供高效率与低噪声的性能。该TPS54062集成高侧与低侧功率MOSFET，可为噪声敏感型工业自动化与传感器控制、智能仪表、电信、计算以及消费类设计提供高效率电源转换与瞬态保护。 |
| 2011-08-01 | 瑞萨功率MOSFET新增N0413N和N0601N 瑞萨功率MOSFET新增N0413N和N0601N |
| 2011-07-27 | IR微电子继电器设计师手册助力选择和设计MER产品 国际整流器公司推出光盘版微电子继电器(MER)设计师手册，内容包括IR公司MER产品系列的选型指南、应用手册、数据资料和设计技巧等。 |
| 2011-07-21 | IR推出PQFN封装新系列功率MOSFETs IR扩展其PQFN封装系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET MOSFET，为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案。 |
| 2011-07-14 | iWatt LED背光驱动系列又增新品iW7032，用于超薄LED电视 电源供应商iWatt日前宣布其DC/DC LED背光驱动产品家族又增加了一颗新星——iW7032，它可同时驱动32列LED。与iW7040(可驱动64列LED)类似， iW7032是一颗混合模式IC，运用iWatt数字自适应开关技术，并且集成了功率MOSFET。 |
| 2011-07-13 | 飞兆提供不同功率范围的LED照明解决方案 随着LED照明应用日益普及，设计人员面临一系列的挑战，包括设计复杂性、系统高效率要求、有限的PCB空间，以及管理多个供应商，以满足所有的设计需求。为了应对这些挑战，飞兆为大、中、小功率范围LED照明应用提供广泛的LED照明解决方案。 |
| 2011-07-12 | IR新推40V至75V车用MOSFET，适于低导通电阻应用 IR新推40V至75V车用MOSFET，适于低导通电阻应用 |
| 2011-07-06 | Diodes闸极驱动器ZXGD3006E6降低IGBT开关损耗 Diodes公司推出专为开关高功率IGBT设计的ZXGD3006E6闸极驱动器，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。 |
| 2011-07-06 | 美高森美发布DRF混合模块设计指南 美高森美日前发布用于开发下一代高电压大功率系统的设计指南，这些系统以公司独有的数字射频(digital radio frequency, DRF)系列混合模块为基础。 |
| 2011-07-05 | 研诺智能开关AAT4616具备超高精度限流能力 研诺日前宣布推出AAT4616智能开关(SmartSwitch)系列，该系列为专门针对高端负载开关应用而设计的完全可调、低导通阻抗(RDS(ON))、超高精度限流P沟道MOSFET电源开关。 |
| 2011-06-30 | Atmel提供用于照明市场的全新多通道LED驱动器系列 Atmel宣布推出用于背光照明和固态照明市场的全新智能多通道LED驱动器系列。全面的爱特梅尔LED驱动器产品系列为设计工程师提供了经过业界验证的效率优化器(efficiency optimizer, EO)技术、灵活的调光功能、用于超宽功率范围的调整能力、用户可编程能力和较低的材料成本。 |
| 2011-06-24 | Diodes推出互补性双MOSFET组合DMC4040SS Diodes推出一对互补性双MOSFET组合DMC4040SSD，可用于低压单相/三相无刷直流电机控制应用。该组合具有互相匹配的N通道及P通道导通电阻性能，以确保平衡分配电机负载的直流损耗并将其减少到最小。 |
| 2011-06-23 | 通嘉发布集成700V MOSFET的节能PWM IC 通嘉发布集成700V MOSFET的节能PWM IC |
| 2011-06-21 | ST发布采用第六代STripFET技术的功率MOSFET最新产品 ST发布采用第六代STripFET技术的功率MOSFET最新产品 |
| 2011-06-16 | ST发布其首款航天级抗辐射功率MOSFET系列 ST发布其首款航天级抗辐射功率MOSFET系列 |
| 2011-06-16 | IR发布新款PQFN2x2器件，采用PQFN 2mm x 2mm封装 IR扩展其封装系列，推出新款的PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备，提供超小型、高密度和高效率的解决方案。 |
| 2011-06-15 | 飞兆开发出功率级非对称双MOSFET模块FDMS36xxS 电源工程师一直面对减小应用空间和提高功率密度的两个主要挑战，而在笔记本电脑、负载点、服务器、游戏和电信应用中，上述两点尤为重要。为了帮助设计人员应对这些挑战，飞兆半导体公司开发出FDMS36xxS系列功率级非对称双MOSFET模块。 |
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