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| 2010-07-22 |
CISSOID发布CHT-74132高温施密特触发器 |
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CISSOID, 在高温半导体方案的领导者，推出了4X 2输入NAND施密特触发器产品，保证运行温度从-55 °C~225 °C. 此CHT-74132 为Cissoid的Galaxy逻辑组件行列中增加了一个新成员。 |
| 2010-06-29 |
2010年eMMC NAND闪存出货量预计暴增224%，SSD进一步受威胁 |
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据iSuppli公司，2010年用于手机的嵌入式多媒体卡(eMMC)NAND闪存将出现爆炸性增长，预计出货量增长224%。2007年eMMC面世的时候增长缓慢，但三年后的2010年，其出货量将增长到7,000万个，占总体NAND闪存出货量的10%。未来五年将继续强劲增长，保持86.4%的复合年度增长率。 |
| 2010-06-21 |
硅谷Grandis新一代MARM将取代DRAM甚至NAND闪存？ |
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今日主流内存技术的末日即将来临？一家专精“自旋转移力矩随机存取内存(spin transfer torque random access memory， STT-RAM)的美国硅谷新创公司Grandis日前发表了更新的产品蓝图，并宣示以这种新一代MARM取代DRAM甚至NAND闪存的雄心。 |
| 2010-06-08 |
采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略 |
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NAND闪存是一种非易失性存储器，主要用于存储卡、MP3播放器、手机、固态驱动器(SSD)等产品中。除了存储单元阵列以外，它还有大量电荷泵、调节器、VDC、电压检测器、逻辑块等模拟块和大型控制逻辑电路。因此它面临的最大问题是，如何在一个可接受的时间范围内随着所有打开的内部模拟电路运行全芯片级仿真。本文介绍了一种采用Magma Finesim 的NAND闪存仿真战略，它可通过适当分区和Finesim功能来平衡仿真精度和仿真时间。 |
| 2010-06-08 |
IMFT 25nm MLC NAND：突破工艺技术缩放瓶颈 |
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IMFT公司强大的工艺技术与制造能力随着25nm 8GB(64Gb)、2位/单元MLC(多层单元)NAND闪存的推出得到了再次验证。虽然大多数专家推测NAND技术已经到了发展极限，但IMFT仍在继续NAND工艺技术缩放之旅，并且或将在18nm节点实现另一个突破。在工艺技术缩放前沿，IMFT遵循着每12至15个月缩放0.7倍的规律，几乎相当于逻辑技术时间尺度下的0.97倍。 |
| 2010-06-08 |
PCM能否在存储器领域一枝独秀？ |
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恒亿(Numonyx)公司最近宣布为嵌入式应用相变存储器(PCM)创建新品牌Numonyx Omneo，并高调推出已量产的全新PCM系列，距行业专家预言的“PCM产品商业化要到2012年前后”提早了两年。事实上，行业内不断增加的对尺寸、重量、功耗、性能、上市时间的紧迫要求(业界戏称为SWEPT要求)，以及NOR、NAND、易失性DRAM等存储器未来可预见的发展瓶颈，都在加快新一代存储器的前进步伐。 |
| 2010-06-01 |
2010年Q1半导体公司全球20强排名大变动 |
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根据市场分析机构IC Insights的报告显示，2010年第一季度，在全球排名前20位的半导体供应商之中，有10家公司的排名发生了变化，其中很大一部分原因是由于受到动荡的DRAM及NAND Flash内存市场的冲击。 |
| 2010-05-18 |
三星电子推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器 |
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近日，三星电子(SAMSUNG)有限公司宣布推出业界首个20纳米级(nm)NAND芯片，用于安全数字存储器卡(SD卡)和嵌入式存储解决方案中。32 Gb MLC NAND产品采用尖端技术，扩展SAMSUNG公司的存储器卡解决方案,用于智能手机、高端IT应用和高性能存储器卡。 |
| 2010-04-08 |
2009年全球前十大NAND供货商排行榜 |
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市场研究机构Web-Feet Research公布2009年全球NAND闪存供货商排行榜，三星电子仍稳居市占率第一名位置，其后则是东芝与SanDisk；SanDisk的表现意外亮眼，领先美光、海力士与英特尔。 |
| 2010-02-23 |
英特尔：不屑NAND竞争，力夺SSD龙头 |
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芯片龙头英特尔(Intel)的NAND闪存事业群新主管透露，该公司立志成为固态储存(SSD)领域的一哥，但令人惊讶的是，他们没兴趣在NAND市场称王。 |
| 2010-02-09 |
英特尔：不屑NAND竞争，力夺SSD龙头 |
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芯片龙头英特尔(Intel)的NAND闪存事业群新主管透露，该公司立志成为固态储存(SSD)领域的一哥，但令人惊讶的是，他们没兴趣在NAND市场称王。 |
| 2010-02-02 |
震撼存储产业，IMFT发布25nm SSD |
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IMFT此次再次推动了SSD，展示了two-bits-per-cell 25nm NAND，并宣布第二季开始量产，第四季时将会有产品上市。 |
| 2010-01-15 |
PCM将成为2010年闪存市场的技术亮点 |
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2009年对于半导体行业来说似乎笼罩在“金融危机”的愁云下，然而下半年市场需求渐旺给这片半导体天空带来一丝阳光。据统计，09年前3个季度，NAND芯片出货量已经达到2008年全年的水平，而其平均售价与年初相比更是已经翻了一倍。不过随着各个闪存厂商相继提高产能，芯片的售价必将趋稳，但是伴随着整体经济形势的好转，需求量仍将稳步提高。因此，可以预期2010年闪存市场的收益将有所保持，而此后随着消费需求的彻底复苏，闪存市场可将迎来新一轮快速增长。 |
| 2010-01-04 |
英特尔、Micron联手，志重夺NAND工艺领先地位 |
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英特尔和Micron正在NAND工艺技术之战中争取领先地位。在近期的电话会议上，Micron宣布自己的20纳米级别NAND产品将在很短时间内出样。Micron没有指明具体的工艺，很多人预期他们将在2010年年初公布更多细节。 |
| 2009-12-17 |
东芝推出业界最高容量(64GB)的嵌入式NAND闪存模块 |
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东芝近日宣布推出64GB嵌入式NAND闪存模块，该容量是目前业内的最高容量。 |
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