首页 | 登录 | 现在注册   [2010年02月09日]
Global Sources
电子工程专辑
关键字 NAND 搜索结果 首页 / 高级搜索 / 搜索结果
使用电子工程专辑网站搜索引擎,找您所想的电子行业信息

什么是NAND?

非易失闪存,具较高的单元密度,可以达到高存储密度,写入和擦除速度较快。
共搜索到 173 篇文章
2010-02-09 英特尔:不屑NAND竞争,力夺SSD龙头
  芯片龙头英特尔(Intel)的NAND闪存事业群新主管透露,该公司立志成为固态储存(SSD)领域的一哥,但令人惊讶的是,他们没兴趣在NAND市场称王。
2010-02-02 震撼存储产业,IMFT发布25nm SSD
  IMFT此次再次推动了SSD,展示了two-bits-per-cell 25nm NAND,并宣布第二季开始量产,第四季时将会有产品上市。
2010-01-15 PCM将成为2010年闪存市场的技术亮点
  2009年对于半导体行业来说似乎笼罩在“金融危机”的愁云下,然而下半年市场需求渐旺给这片半导体天空带来一丝阳光。据统计,09年前3个季度,NAND芯片出货量已经达到2008年全年的水平,而其平均售价与年初相比更是已经翻了一倍。不过随着各个闪存厂商相继提高产能,芯片的售价必将趋稳,但是伴随着整体经济形势的好转,需求量仍将稳步提高。因此,可以预期2010年闪存市场的收益将有所保持,而此后随着消费需求的彻底复苏,闪存市场可将迎来新一轮快速增长。
2010-01-04 英特尔、Micron联手,志重夺NAND工艺领先地位
  英特尔和Micron正在NAND工艺技术之战中争取领先地位。在近期的电话会议上,Micron宣布自己的20纳米级别NAND产品将在很短时间内出样。Micron没有指明具体的工艺,很多人预期他们将在2010年年初公布更多细节。
2009-12-17 东芝推出业界最高容量(64GB)的嵌入式NAND闪存模块
  东芝近日宣布推出64GB嵌入式NAND闪存模块,该容量是目前业内的最高容量。
2009-12-08 相变存储器改变我们对非易失性存储器技术的看法
  把相变存储器(PCM)变成一个介于RAM和SSD之间的系统是否有价值?恒忆半导体首席技术官Ed Doller认为,不管是用作RAM还是NAND的补充,只要使用适量的PCM,就能大幅提升性能。一旦PCM技术被高端设备采用,其普及率就会逐渐提高。
2009-12-07 NAND的替代技术——3D闪存
  随着NAND Flash制造工艺发展速度的放缓,3D Flash单元堆正被宣传为传统NAND的替代技术。本文探讨了文献中叙述的多种3D技术以及每种技术在转化为产品过程中所面临的挑战。3D技术的日益流行是因为它们与2D NAND相比具有显着的成本优势。本文对这种成本影响进行了详细介绍。最后,本文还对首款3D Flash产品的问世时间进行了预测。
2009-12-04 孕龙科技发布全新开发总线:SCCB和SS_K9
  日前,孕龙科技发布两组全新总线。SS_K9(NAND)主要是应用于SAMSUNG 所生产的K9系列NAND FLASH中,K9W8G08U1M、K9K4G08QA0M等。SCCB(Serial Camera Control Bus)是由Omni Vision所制定的一种总线,用于摄影镜头缓存器控制上,透过SCCB可传输镜头撷取的画面图片。
2009-09-10 受厂商减产效应影响,NAND闪存价格恐上扬
  市场研究机构IC Insights最近发布的McClean Report年中更新数字指出,闪存产业将在接下来几年由原本的买方市场转变为卖方市场。
2009-08-25 业界高层预言NAND市场8大趋势
  在近日于美国举行的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上,一位业界高层对NAND市场做出了大胆的预测。在专题演说中,SanDisk创办人暨总裁、执行长Eli Harari警告,NAND产业正处于“十字路口”,主要是因为市场产能供应与需求之间存在“隔阂”。
2009-08-20 美光:NAND尺寸持续微缩,挺进10纳米级有望
  有人说,NAND供货商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为,新的应用如固态硬盘(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然,还包括了一个普遍的认知:NAND的芯片尺寸微缩已接近尾声。
2009-08-13 英特尔、美光合力3bps技术,推出业界最高效NAND产品
  英特尔公司(Intel Corporation)和美光科技股份有限公司(Micron Technology Inc.)近日宣布,双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺,推出每单元储存3比特(3-bit-per-cell,简称3bps)的多层单元(MLC)NAND技术试用产品。这些芯片最适合用于闪存卡和USB驱动器等消费存储设备,在这类应用场合中,高密度和性价比是首要考虑的问题。
2009-07-08 美光推出新型34纳米高密度NAND产品
  美光科技有限公司(Micron)日前宣布使用其34纳米工艺技术大规模生产新型NAND闪存产品。新设计的32Gb多层单元(MLC)NAND闪存芯片比美光的第一代32Gb芯片小17%。其16Gb的MLC NAND芯片仅仅占用84mm2的面积,以超小型封装提供高容量。
2009-06-22 闪存价格上涨威胁SSD技术的普及,采用SSD的上网本与笔记本电脑面临困境
  今年前两个季度NAND闪存的平均销售价格(ASP)反弹,令供应商非常高兴,使其在2008年经受惨重损失之后又获得了希望。
2009-05-25 爱特梅尔推出具有高速通信功能的全新AVR32微控制器,用于数字音频解决方案
  爱特梅尔公司 (Atmel Corporation) 宣布推出具有高速通信功能的全新AVR 32微控制器AT32UC3A3,其核心是爱特梅尔的91 DMIPS AVR32 CPU,包含带On-The-Go 功能的高速USB接口、双高速SD/MMC卡接口,以及支持单层单元 (SLC) 和多层单元 (MLC)、纠错码 (ECC) 的SDRAM 和 NAND闪存接口。



在结果中搜索  
关键字: *
必须全有 至少有一个 完全匹配
搜索范围:
  • 搜索标题
  • 搜索全文
  • 搜索作者
  • 搜索来源
IIC-China
2010春季展

深圳 3月4-5日
成都 3月11-12日
上海 3月15-16日
话题PK台

搜集工程师们最关心的话题,发表您的真知灼见。

热门关键词
  •  3G
  •  HDMI
  •  MCU
  •  ADC
  •  ARM
  •  机顶盒
  •  RFID
  •  ZigBee

亲爱的用户:关闭

第十五届国际集成电路研讨会暨展览会春季展即将在于3月初在深圳、上海和成都举行。这是中国最大规模的集成电路技术与应用的盛会,IC类参展商超过200家。

提前注册研讨会,直接获取入场门票,还可赢取8G U盘奖品。了解详细议程,火热注册进行中>>

              

返回页首