什么是NAND?
| 非易失闪存，具较高的单元密度，可以达到高存储密度，写入和擦除速度较快。 | |
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| 2012-01-09 | 东芝推出BENAND产品,在NAND闪存中嵌入ECC 东芝推出BENAND产品,在NAND闪存中嵌入ECC |
| 2011-12-29 | IMEC研究10nm级超小型RRAM存储单元 欧洲研究机构IMEC在国际电子元件大会上，提出了尺寸仅10nm x 10nm的电阻式RAM存储单元。据IMEC称这种超小型的存储器具有取代NAND闪存的潜力。 |
| 2011-12-27 | 版权保护or别有居心？五大存储器厂商发起“安全存储倡议” 几天前五家主要的存储器厂商，宣布将针对SD卡和“嵌入式闪存”上的数字版权保护，共同催生下一代标准。这项工作目前暂命名为“下一代安全存储器倡议”。直到技术细节揭露以前，新标准会带来多大影响仍不得而知。 |
| 2011-12-20 | 英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存 英特尔和美光科技日前宣布，已开发出128Gb的NAND闪存，新元件采用了针对闪存改良的20nm工艺制程，将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。 |
| 2011-12-16 | 苹果与闪存控制器开发商Anobit商谈收购事宜 据报导，苹果正在洽谈收购以色列新创公司Anobit Technologies，价格在4亿至5亿美元之间；Anobit是NAND闪存控制器开发商，号称可提升闪存的耐久度(最大读写次数)。 |
| 2011-12-05 | 2011年半导体厂商Top 20出炉 英特尔收回三星侵蚀份额 英特尔即将成为市值500亿美元的公司，在2011年涨幅高达23%，在市场分析公司IHS的20大芯片厂商排名中稳居榜首。收购和2011年当红领域微处理器、NAND闪存为相关厂商都带来了增长。 |
| 2011-10-26 | 3D闪存将优先于RRAM技术进入市场 基于金属氧化物的非挥发性存储器──电阻式RAM(RRAM)，在11nm节点前不可能进入市场；在此之前，堆叠式浮闸NAND闪存相对较具潜力，而且很可能会朝向2~4Tbit的独立型整合芯片发展。 |
| 2011-08-12 | EUV光刻技术姗姗来迟，NAND或受抑制 EUV光刻技术姗姗来迟，NAND或受抑制 |
| 2011-07-26 | 游戏硬件中NAND闪存使用继续呈上升趋势 游戏硬件中NAND闪存使用继续呈上升趋势 |
| 2011-07-26 | LSI发布MegaRAID CacheVault技术，提供高速缓存保护功能 LSI公司日前宣布推出一款MegaRAID CacheVault技术，用于为LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID控制卡提供基于闪存的高速缓存保护功能。MegaRAID CacheVault采用固态NAND闪存，能够在电源发生故障的时候自动将高速缓存中的数据转移到闪存中，从而为存储在RAID控制器缓存中的数据提供强大的保护。 |
| 2011-07-20 | NAND闪存将受其最大买家苹果iCloud存储服务冲击 NAND闪存将受其最大买家苹果iCloud存储服务冲击 |
| 2011-07-14 | 东芝与Sandisk共同投资300mm晶圆NAND工厂Fab 5投产 东芝与Sandisk共同投资300mm晶圆NAND工厂Fab 5投产 |
| 2011-07-08 | NAND闪存三星东芝上演宝座争夺战，市占率几乎持平 NAND闪存三星东芝上演宝座争夺战，市占率几乎持平 |
| 2011-06-27 | MLU技术开启磁性存储器中实现类NAND存储器可能 MLU技术开启磁性存储器中实现类NAND存储器可能 |
| 2011-04-27 | SANDISK即将推出19纳米64Gb X2存储芯片 闪存卡供应商SanDisk Corporation近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell (X2) 技术的64-gigabit(Gb)单块芯片。此项技术将令SanDisk制造出适用于手机、平板电脑和其他设备的高性能、小尺寸嵌入式和可移动存储设备。 |
| 2011-04-06 | 海量嵌入式应用为NOR闪存带来机会 高调宣布走出破产保护阴影的Spansion公司日前公布了其2010财年第四季度财报。Spansion是否能够卷土重来？业界一直存在颇多争议之声。日前，该公司战略与产品市场部副总裁Avo Kanadjian就公司发展策略、核心业务、技术趋势等话题接受了电子工程专辑记者的专访。 |
| 2011-04-06 | 东芝发布24纳米工艺的新型嵌入式NAND闪存 东芝发布24纳米工艺的新型嵌入式NAND闪存 |
| 2011-03-17 | 多国语言显示插卡式音乐播放器为MP3注入新能量 MP3市场已经饱和？没啥玩头？这些说法说对也不对。对于随身听MP3设备而言，随着手机将音视频媒体播放功能整合进去之后，个人MP3/PMP设备市场逐步萎缩，CCID的研究报告称，该市场2010-2013的年复合增长率为-4.9%。但MP3设备市场的一股新生势力正悄然而快速地成长，并将在2011年爆发，这就是家用HOST MP3和Mini音响设备及其各种变化版本。 |
| 2011-03-17 | 311后元器件短缺及价格上涨可能持续到Q3 日本地震与海啸可能导致某些电子元件严重短缺，进而推动这些元件的价格大幅上涨。虽然目前几乎没有关于电子工厂实际损失的报道，但运输与电力设施受到破坏将导致供应中断，造成元件供应短缺和价格上涨。 |
| 2011-03-16 | 触摸屏制造良率低下导致iPad 2成本估值偏高 IHS iSuppli最近针对苹果公司(Apple)的iPad 2进行了拆解分析，结果显示配备32GB NAND闪存的GSM/HSPA版本iPad 2材料清单(BOM)为326.6美元。而配备32GB闪存的CDMA版本产品BOM则为323.25美元。与2010年4月发布、成本320美元的第一代32GB 3G iPad相差不多。 |
| 2011-03-01 | Infinite Memory：以OTP NAND拳头产品亮相IIC Infinite Memory：以OTP NAND拳头产品亮相IIC |
| 2011-01-27 | 2011年NAND闪存市场七个故事 2011年NAND闪存市场七个故事 |
| 2010-12-22 | 分析：当100GB的SSD实现50美元价格点 还记得业界曾经对固态硬盘(SSD)寄予厚望，看好它成为NAND闪存下一个巨大的市场推动力量？然而，随后在全球遭遇经济危机的冲击，NAND芯片供应商仓促调整产能以维持获利后，SSD的价格无奈地又回到了2000年后几乎每年下降50%的惯例。随着制造SSD的关键芯片价格飞涨，SSD在成本几何曲线方面已远落后于硬盘。尽管近来NAND价格突然开始下跌，但跌幅过小，对于觊觎硬盘市场占有率已久的SDD供应商来说仍然太迟。 |
| 2010-12-21 | IIC-China 2011展前专访：科统科技股份有限公司 科统科技为无晶圆厂之专业内存IC设计公司，主要业务为多芯片封装(NOR Flash MCP)之设计开发及制造，并以低消耗功率内存IC之创新研发为核心竞争力，为世界第一流低耗电内存IC供货商及技术合作伙伴。科统科技与基频芯片商，NAND闪存控制器芯片商和后段的协力伙伴紧密合作，领先使用最先进低耗电DRAM制程，推出市场最低耗电之Pseudo SRAM。并推出内含NOR Flash之MCP (Multi-Chip Package) 多芯片封装产品，以符合移动装置轻薄短小趋势。 |
| 2010-12-10 | 东芝选择微捷码FineSim平台进行先进闪存签核仿真 芯片设计解决方案供应商微捷码(Magma)设计自动化有限公司日前宣布，闪存产品提供商东芝公司(Toshiba Corporation)选用FineSim仿真平台进行签核仿真。东芝采用了具有自带多CPU技术的FineSim Pro进行其NAND闪存的开发。 |
| 2010-12-09 | Micron创新闪存装置，可延长NAND闪存生命周期 Micron创新闪存装置，可延长NAND闪存生命周期 |
| 2010-12-08 | Micron创新闪存装置可延长NAND闪存生命周期 Micron创新闪存装置可延长NAND闪存生命周期 |
| 2010-12-08 | 美光科技推出高容量ClearNAND闪存产品组合 美光科技 (Micron Technology Inc.) 近日宣布推出高容量闪存产品组合，其将在未来延长数年NAND产品的生命周期。通过在同一个 NAND 封装内整合错误管理技术， 新的 Micron ClearNAND 装置解决了 NAND 在传统上面临的由工艺微缩方面所带来的问题。 |
| 2010-12-08 | 美光科技推出高容量ClearNAND闪存产品组合 美光科技 (Micron Technology Inc.) 近日宣布推出高容量闪存产品组合，其将在未来延长数年NAND产品的生命周期。通过在同一个 NAND 封装内整合错误管理技术， 新的 Micron ClearNAND 装置解决了 NAND 在传统上面临的由工艺微缩方面所带来的问题。 |
| 2010-11-26 | 科统宣布KIX6432AT通过联发科技新一代平台MCP相容认证 低耗电多芯片封装内存MCP (Multi-Chip Package)专业设计及生产厂商科统科技(MemoCom Corp.)宣布，支持ADMUX数据与地址混合技术之手机用MCP KIX6432AT已通过联发科新一代GSM/GPRS手机单芯片兼容认证，并已正式量产。 |
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