|
|
| 2010-02-09 |
英特尔：不屑NAND竞争，力夺SSD龙头 |
| |
芯片龙头英特尔(Intel)的NAND闪存事业群新主管透露，该公司立志成为固态储存(SSD)领域的一哥，但令人惊讶的是，他们没兴趣在NAND市场称王。 |
| 2010-02-02 |
震撼存储产业，IMFT发布25nm SSD |
| |
IMFT此次再次推动了SSD，展示了two-bits-per-cell 25nm NAND，并宣布第二季开始量产，第四季时将会有产品上市。 |
| 2010-01-15 |
PCM将成为2010年闪存市场的技术亮点 |
| |
2009年对于半导体行业来说似乎笼罩在“金融危机”的愁云下，然而下半年市场需求渐旺给这片半导体天空带来一丝阳光。据统计，09年前3个季度，NAND芯片出货量已经达到2008年全年的水平，而其平均售价与年初相比更是已经翻了一倍。不过随着各个闪存厂商相继提高产能，芯片的售价必将趋稳，但是伴随着整体经济形势的好转，需求量仍将稳步提高。因此，可以预期2010年闪存市场的收益将有所保持，而此后随着消费需求的彻底复苏，闪存市场可将迎来新一轮快速增长。 |
| 2010-01-04 |
英特尔、Micron联手，志重夺NAND工艺领先地位 |
| |
英特尔和Micron正在NAND工艺技术之战中争取领先地位。在近期的电话会议上，Micron宣布自己的20纳米级别NAND产品将在很短时间内出样。Micron没有指明具体的工艺，很多人预期他们将在2010年年初公布更多细节。 |
| 2009-12-17 |
东芝推出业界最高容量(64GB)的嵌入式NAND闪存模块 |
| |
东芝近日宣布推出64GB嵌入式NAND闪存模块，该容量是目前业内的最高容量。 |
| 2009-12-08 |
相变存储器改变我们对非易失性存储器技术的看法 |
| |
把相变存储器(PCM)变成一个介于RAM和SSD之间的系统是否有价值？恒忆半导体首席技术官Ed Doller认为,不管是用作RAM还是NAND的补充，只要使用适量的PCM，就能大幅提升性能。一旦PCM技术被高端设备采用，其普及率就会逐渐提高。 |
| 2009-12-07 |
NAND的替代技术——3D闪存 |
| |
随着NAND Flash制造工艺发展速度的放缓，3D Flash单元堆正被宣传为传统NAND的替代技术。本文探讨了文献中叙述的多种3D技术以及每种技术在转化为产品过程中所面临的挑战。3D技术的日益流行是因为它们与2D NAND相比具有显着的成本优势。本文对这种成本影响进行了详细介绍。最后，本文还对首款3D Flash产品的问世时间进行了预测。 |
| 2009-12-04 |
孕龙科技发布全新开发总线：SCCB和SS_K9 |
| |
日前，孕龙科技发布两组全新总线。SS_K9(NAND)主要是应用于SAMSUNG 所生产的K9系列NAND FLASH中，K9W8G08U1M、K9K4G08QA0M等。SCCB(Serial Camera Control Bus)是由Omni Vision所制定的一种总线，用于摄影镜头缓存器控制上，透过SCCB可传输镜头撷取的画面图片。 |
| 2009-09-10 |
受厂商减产效应影响，NAND闪存价格恐上扬 |
| |
市场研究机构IC Insights最近发布的McClean Report年中更新数字指出，闪存产业将在接下来几年由原本的买方市场转变为卖方市场。 |
| 2009-08-25 |
业界高层预言NAND市场8大趋势 |
| |
在近日于美国举行的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上，一位业界高层对NAND市场做出了大胆的预测。在专题演说中，SanDisk创办人暨总裁、执行长Eli Harari警告，NAND产业正处于“十字路口”，主要是因为市场产能供应与需求之间存在“隔阂”。 |
| 2009-08-20 |
美光：NAND尺寸持续微缩，挺进10纳米级有望 |
| |
有人说，NAND供货商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为，新的应用如固态硬盘(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然，还包括了一个普遍的认知：NAND的芯片尺寸微缩已接近尾声。 |
| 2009-08-13 |
英特尔、美光合力3bps技术，推出业界最高效NAND产品 |
| |
英特尔公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）近日宣布，双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺，推出每单元储存3比特（3-bit-per-cell，简称3bps）的多层单元（MLC）NAND技术试用产品。这些芯片最适合用于闪存卡和USB驱动器等消费存储设备，在这类应用场合中，高密度和性价比是首要考虑的问题。 |
| 2009-07-08 |
美光推出新型34纳米高密度NAND产品 |
| |
美光科技有限公司(Micron)日前宣布使用其34纳米工艺技术大规模生产新型NAND闪存产品。新设计的32Gb多层单元(MLC)NAND闪存芯片比美光的第一代32Gb芯片小17%。其16Gb的MLC NAND芯片仅仅占用84mm2的面积，以超小型封装提供高容量。 |
| 2009-06-22 |
闪存价格上涨威胁SSD技术的普及，采用SSD的上网本与笔记本电脑面临困境 |
| |
今年前两个季度NAND闪存的平均销售价格(ASP)反弹，令供应商非常高兴，使其在2008年经受惨重损失之后又获得了希望。 |
| 2009-05-25 |
爱特梅尔推出具有高速通信功能的全新AVR32微控制器，用于数字音频解决方案 |
| |
爱特梅尔公司 (Atmel Corporation) 宣布推出具有高速通信功能的全新AVR 32微控制器AT32UC3A3，其核心是爱特梅尔的91 DMIPS AVR32 CPU，包含带On-The-Go 功能的高速USB接口、双高速SD/MMC卡接口，以及支持单层单元 (SLC) 和多层单元 (MLC)、纠错码 (ECC) 的SDRAM 和 NAND闪存接口。 |
|
|
搜集工程师们最关心的话题，发表您的真知灼见。
|