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| 2009-10-16 |
点评闪存市场，Numonyx第二季度NOR领域称王 |
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在过去五年，Spansion 和恒忆一直在拼命争抢NOR 闪存市场的头把交椅，曾数次轮流坐庄。虽然经历了并购、扩张和剥离，但它们之间的竞争并没有减弱，都想抓住任何机会来压倒对方。据iSuppli 公司，第二季度轮到恒忆领先，成为NOR 市场的老大。然而，它的优势非常微弱，只领先1.1 个百分点。 |
| 2009-09-02 |
恒忆深耕存储市场，研发中心落户上海外高桥保税区 |
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全球最大NOR闪存芯片供应商之一恒忆（Numonyx）宣布，该公司已于7月12日与上海外高桥保税区签署厂房租赁合同，正式投资落户上海。 |
| 2009-07-23 |
恒忆为串行闪存产品线推出统一新品牌Numonyx Forté |
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为了准备在今年后半年针对嵌入式系统设计发布领先的新一代串行NOR闪存产品，恒忆（Numonyx）公司近日宣布为旗下整个串行产品线启用全新品牌：Numonyx Forté串行闪存。 |
| 2009-04-14 |
恒忆针对汽车和嵌入式市场推出新款闪存Numonyx Axcell M29F |
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恒忆公司近日宣布其NOR闪存系列产品之扩展计划。该公司计划推出针对汽车和嵌入式产品市场的新款闪存——Numonyx Axcell M29F。该闪存的工作电压为5伏，存储容量规格分别为16 MB、 8M、4M和2M。该新系列闪存的推出不仅将加快存储的执行速度，同时也使得汽车、军事、工厂自动化和航空电子应用领域拥有了灵活而稳定的NOR闪存供应货源。 |
| 2009-04-07 |
满足汽车应用需求，Numonyx宣布NOR闪存扩展计划 |
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Numonyx BV公司今日宣布其NOR闪存系列产品之扩展计划。该公司计划推出针对汽车和嵌入式产品市场的新款闪存---Numonyx Axcell M29F。 |
| 2009-02-16 |
恒忆取得重大设计突破，推出业内首款45nm NOR闪存芯片 |
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恒忆（Numonyx）发布业内首款采用45纳米工艺技术的多级单元（MLC）NOR闪存样片。在为客户提供高度的产品连续性和可靠性的同时，新产品发布还使恒忆能够大幅度提高存储产品的性能。新产品遥遥领先上一代65nm产品，是当前市场上最先进的NOR闪存。恒忆NOR闪存芯片广泛用于手机，运行关键的手机操作系统，管理个人数据，存储相片、音乐和视频。 |
| 2008-12-31 |
Spansion扩增300mm/65nm NOR生产 |
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Spansion的300mm SP1晶圆厂正在量产其首款针对消费及工业应用的65nm 3V MirrorBit NOR快闪存储器，而此举是为了该公司下一代MirrorBit Eclipse的推出打下基础。 |
| 2008-12-16 |
Spansion推出针对消费类及工业应用的65nm 3V MirrorBit NOR产品 |
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Spansion日前宣布其65nm 3V 512Mb及1Gb高容量MirrorBit NOR解决方案现已在该公司旗舰级300mm SP1晶圆厂进行量产，首批器件已于本季度初向客户发货。MirrorBit NOR GL产品系列是用于可靠的代码执行和数据存储的领先解决方案之一，可用于广泛的高容量消费类及工业应用领域，包括汽车导航系统、通讯基础设施设备、游戏及工业控制等。 |
| 2008-12-11 |
美光推出串行NAND闪存技术，面向嵌入式应用 |
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美光科技有限公司日前推出了一项串行NAND闪存技术，使嵌入式应用产品能够灵活方便地升级存储容量。美光串行NAND闪存的最低芯片密度为1Gb，这样一来，客户就能够轻松地在串行NOR闪存现有存储能力之外，以高性价比扩展存储容量；此外，美光的这款闪存还具有显著的每数据位成本优势。 |
| 2008-11-05 |
恒忆新型高密度M29闪存面试，适合嵌入式应用 |
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恒忆（Numonyx B.V）公司近日推出了安全性更高的新型高密度存储器系列产品，可为机顶盒、电信设备和其他嵌入式产品制造商提供快速可编程功能。Numonyx Axcell M29EW闪存扩展了恒忆产品的密度范围，密度可高达2GB*，并支持流行的M29行业标准，帮助公司大举进军高密度嵌入式NOR闪存市场。 |
| 2008-10-10 |
拆解夏普922SH手机，感受先进的多芯片封装技术 |
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本文对夏普922SH手机进行了深入剖析。其中ST公司的M39PNRA2A采用了令人印象深刻的多芯片封装形式，在单个封装中集成了两个Elpida的SDRAM裸片、两个ST的NOR闪存裸片和一个海力士的SLC NAND闪存。从整个手机的技术可以看出，日本设计师依然是前沿技术的领导者。但是也不能忽视北美和欧洲的设计师们，特别是像苹果和诺基亚这样的公司在iPhone和N95上所展现出来的创新成果。 |
| 2008-10-08 |
多位接口提升串行闪存的性能 |
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采用串行闪存替代并行NOR闪存作为代码执行装置，这种方案日益受到数字电视、DVD、PC、调制解调器、打印机及移动消费电子设备设计者的青睐，使得市场对串行闪存的需求继续飙升。推动这类需求迅速增长的原因，要归功于此类存储器所具有的引脚数量少、板面积小、功率低和系统成本低等多方面优势。 |
| 2008-08-25 |
Spansion与中芯国际的合作协议新添43nm制程MirrorBit ORNAND2技术 |
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全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion日前宣布扩大与中芯国际 (SMIC) 目前的合作协议，在生产65nm MirrorBit NOR产品的基础上，增加基于300mm晶圆的43nm Spansion MirrorBit ORNAND2闪存产品。 |
| 2008-06-24 |
手机拆机分析揭示移动存储的未来 |
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在相对较短的时间内，随着手机从商用工具发展成随处可见的大众通信工具，手机所使用的内存一直基于NOR闪存与SRAM的组合，最近是NOR闪存与pSRAM的组合。但是，这种内存配置正在面临使用移动DRAM(mDRAM)和/或NAND闪存组合的方案的挑战。 |
| 2008-06-19 |
揭示16Gb MLC NAND闪存表象下的技术细节 |
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2006年初，美光科技公司与英特尔公司的合作企业IM Flash Technologies公司(IMFT)在市场上闪亮登场。通过整合Intel公司的NOR多层单元(MLC)闪存技术与美光的DRAM和NAND闪存的制造效率和创新性，并且在两个母公司强大的IP库支持下，IMFT在同一年推出的第一个产品就让市场深受震动。 |
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