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共搜索到 146 篇文章
2010-07-30 赛灵思ISE12.2设计套件强化部分可重配置FPGA技术
  赛灵思公司(Xilinx, Inc.)近日宣布推出其第四代部分可重配置设计流程,以及智能时钟门控技术的多项全新强化方案,可针对Virtex-6 FPGA设计中BRAM(block-RAM)降低24%的动态功耗。
2010-06-22 Microchip推出8款PIC24FJ256DA单片机系列器件
  Microchip推出8款PIC24FJ256DA单片机系列器件。该系列器件集成了3个图形加速单元和1个显示控制器,以及96 KB的RAM。这种集成因不需要外部RAM和现实控制器,既降低了系统成本,实际上又为范围广泛的嵌入式应用增加了先进图形显示功能。
2010-06-21 硅谷Grandis新一代MARM将取代DRAM甚至NAND闪存?
  今日主流内存技术的末日即将来临?一家专精“自旋转移力矩随机存取内存(spin transfer torque random access memory, STT-RAM)的美国硅谷新创公司Grandis日前发表了更新的产品蓝图,并宣示以这种新一代MARM取代DRAM甚至NAND闪存的雄心。
2010-05-13 Ramtron展示MaxArias无线存储器
  Ramtron International Corporation日前宣布,在硅谷嵌入式系统大会(ESC)上展示MaxArias无线存储器。Ramtron的MaxArias系列无线存储器将行业标准Gen2 RFID无线存取功能与其非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性特性相结合,可扩大其系统的通信范围和存储器容量。
2010-03-31 盛群开发最新8位电话通讯产品微控制器HT95R5x/HT95R6x
  盛群半导体(Holtek)新开发8位电话通讯产品微控制器(MCU) HT95R5x/HT95R6x系列,具有8K或16K Words ROM、2112 bytes RAM、40埠I/O、8-level Stack、内建三个16位定时器、一个RTC定时器及四个外部中断触发等功能。
2009-12-08 相变存储器改变我们对非易失性存储器技术的看法
  把相变存储器(PCM)变成一个介于RAM和SSD之间的系统是否有价值?恒忆半导体首席技术官Ed Doller认为,不管是用作RAM还是NAND的补充,只要使用适量的PCM,就能大幅提升性能。一旦PCM技术被高端设备采用,其普及率就会逐渐提高。
2009-09-16 Ramtron提升16Kb串口F-RAM存储器,满足AEC-Q100 Grade 1汽车标准要求
  Ramtron International Corporation宣布推出串口F-RAM存储器FM25L16-GA,进一步扩大其符合AEC-Q100汽车标准要求的F-RAM存储器系列阵容。
2009-09-08 Ramtron发布平行F-RAM内存组件
  Ramtron International公司宣布推出新款的平行F-RAM内存FM14C88,它可满足磁盘阵列(RAID)储存服务器及主机总线适配卡(HBA card)等应用需求。
2009-09-02 Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口储存器
  非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存储器FM14C88,适合RAID(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡(HBA card)等应用。
2009-08-19 Ramtron推出V系列256Kb平行F-RAM组件
  Ramtron International宣布推出新型V系列串行和平行F-RAM产品的第二款平行组件FM28V020,具备较高的读写速度和较低的工作电压,是一款采用28接脚SOIC封装、容量为256Kb、工作电压为2.0至3.6V的平行非挥发性RAM,并具有快速存取、无延迟写入、几乎无限的读写次数及低功耗等特点。
2009-08-18 Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件FM28V020
  世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。
2009-08-11 RAMTRON创意征文推动国内科技博客交流
  全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation,宣布其主办之“Ramtron创意征文” 活动 (www.ramtron-online.cn/activity/ramtronblog/) 反应热烈,将可推动国内电子工程社群对话交流,进一步带动国内相关创意水平。
2009-07-23 Ramtron发布8-Mb并口非易失性F-RAM存储器FM23MLD16
  Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM,具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。
2009-07-22 Ramtron宣布推出8-Mb并口非易失性F-RAM存储器FM23MLD16
  Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM,具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。
2009-07-22 IIC-China 2009秋季参展商介绍:北京北方科讯电子技术有限公司深圳分公司
  北京北方科讯电子技术有限公司深圳分公司将在IIC-China 2009秋季展上展示FM25V10——Ramtron的 1Mb 串行外设接口(SPI)非易失性F-RAM, 具有高速、低电压的特点,采用8引脚SOIC 封装。FM25V10是V系列F-RAM产品的首款器件,低操作电压(2.0V~3.6V)和集成功能,可有效地减少电路板面积、组装和器件成本。



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