SOI相关技术术语
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| 2012-04-20 | ST、IBM SoI技术获突破 努力赶超英特尔3D IC工艺水平 ST、IBM SoI技术获突破 努力赶超英特尔3D IC工艺水平 |
| 2012-03-08 | 基于SOI技术的下一代三相栅级驱动器 基于SOI技术的下一代三相栅级驱动器 |
| 2011-12-29 | Skyworks推出WLAN用全新SOI单刀三掷开关 Skyworks推出WLAN用全新SOI单刀三掷开关 |
| 2011-12-14 | SOI联盟开发出简单低风险FDSOI工艺，性能堪比FinFET SOI联盟开发出简单低风险FDSOI工艺，性能堪比FinFET |
| 2011-07-26 | 何种晶体管技术将领跑22nm时代？ 在22nm，或许是16nm节点，我们将需要全新的晶体管，其中最大的一个原因是晶体管的短沟道效应。而在这其中，争论的焦点在于究竟该采用哪一种技术，planar、fins还是SoI？ |
| 2011-02-09 | 借助200V SOI工艺有效降低LED TV背光方案成本 借助200V SOI工艺有效降低LED TV背光方案成本 |
| 2010-06-04 | 新兴公司SuVolta发布新型低功耗晶体管SOI JFET技术 新兴公司SuVolta发布新型低功耗晶体管SOI JFET技术 |
| 2009-07-27 | 卓锐微技术推出ACT2100系列高精度MEMS加速度传感器 北京卓锐微技术有限公司（Acuti Microsystems Co., Ltd.)推出ACT2100系列高精度MEMS加速度传感器。该系列加速度传感器采用先进的SOI体硅工艺制造，并基于卓锐微技术第二代Cery2000高精度MEMS加速度传感器专用接口芯片进行信号调理。 |
| 2009-07-24 | 卓锐微技术发布ACT2100系列高精度MEMS加速度传感器 北京卓锐微技术有限公司（Acuti Microsystems Co., Ltd.)推出ACT2100系列高精度MEMS加速度传感器。该系列加速度传感器采用先进的SOI体硅工艺制造，并基于卓锐微技术第二代Cery2000高精度MEMS加速度传感器专用接口芯片进行信号调理。 |
| 2009-03-05 | NXP创“芯”绿色技术闪亮IIC-China 2009深圳会场 现今，半导体已于人们的生活中无所不在。因此节能已不是半导体公司品牌推广的口号，已经成为半导体公司需要切实履行的义务！在日前于深圳会展中心举办的第十四届国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China 2009)上，电子工程专辑采访了NXP多种市场半导体事业部助理产品市场经理杨杰锋先生，他为我们介绍了此次NXP展台上的3款创“芯”绿色电源产品及未来技术趋势。 |
| 2008-05-21 | Atmel发布BCD-on-SOI技术的高温驱动器集成电路ATA6837和ATA6839 Atmel发布BCD-on-SOI技术的高温驱动器集成电路ATA6837和ATA6839 |
| 2007-10-09 | IBM发布CMOS 7RF SOI技术，集成7个RF前端功能到单CMOS芯片 IBM发布CMOS 7RF SOI技术，集成7个RF前端功能到单CMOS芯片 |
| 2007-09-29 | IBM发布CMOS 7RF SOI技术，可将7个RF前端功能集成到单CMOS芯片上 IBM发布CMOS 7RF SOI技术，可将7个RF前端功能集成到单CMOS芯片上 |
| 2007-09-28 | 力捧单芯片手机，IBM推出CMOS 7RF SOI技术 力捧单芯片手机，IBM推出CMOS 7RF SOI技术 |
| 2007-09-13 | Atmel H桥驱动IC ATA6823能够满足严格的汽车条件要求 Atmel Corporation日前宣布推出新型采用Atmel尖端0.8微米BCD-on-SOI技术(SMARTIS)的ATA6823 H桥驱动器集成电路(IC)。ATA6823提供业界最高的集成水平，并包含H桥结构中完整的微控制器控制的直流电机系统所需要的所有功能块。 |
| 2007-09-12 | Atmel独特的汽车直流电机系统IC提升集成水平 Atmel Corporation日前宣布推出新型采用Atmel尖端0.8微米BCD-on-SOI技术(SMARTIS)的ATA6823 H桥驱动器集成电路(IC)。ATA6823提供业界最高的集成水平，并包含H桥结构中完整的微控制器控制的直流电机系统所需要的所有功能块。 |
| 2007-08-14 | SOI+应变硅技术，维持Moore定律走势的两大利器！ SOI+应变硅技术，维持Moore定律走势的两大利器！ |
| 2007-08-03 | 提高微处理器性能，ARM选用Intrnisity“Fast14 1-of-N”逻辑工艺 对于范围广阔的主流消费电子应用来说，为了尽可能以最低的功耗压榨出尽可能多的性能，微处理器供应商已经开始重新考虑过去被标为不切实际、成本太贵和难以制造的种种选项。这些选项包括绝缘体上硅(SOI)、蓝宝石上硅、异步自定时逻辑、动态CMOS逻辑及其变量、多米诺逻辑。 |
| 2007-07-27 | Atmel新型半桥驱动器采用BCD-on-SOI技术，可降低汽车舒适度应用成本 Atmel新型半桥驱动器采用BCD-on-SOI技术，可降低汽车舒适度应用成本 |
| 2007-07-27 | Atmel推出采用BCD-on-SOI技术的新型六边形半桥驱动器IC Atmel推出采用BCD-on-SOI技术的新型六边形半桥驱动器IC |
| 2007-07-20 | Atmel采用BCD-on-SOI技术的新型半桥驱动器可降低汽车舒适度应用领域的成本 Atmel采用BCD-on-SOI技术的新型半桥驱动器可降低汽车舒适度应用领域的成本 |
| 2007-07-05 | 瑞萨开发出可实现32纳米及以上工艺片上SOI SRAM的前瞻技术 瑞萨开发出可实现32纳米及以上工艺片上SOI SRAM的前瞻技术 |
| 2007-06-25 | 采用硅绝缘体晶圆，Renesas有望采用32nm工艺实现SRAM Renesas Technology公司日前宣布，该公司拥有利用硅绝缘体(SOI)晶圆、采用32nm及以上工艺实现SRAM的技术。Renesas表示，该技术可以控制各个晶体管的底层电压，提高了工作极限。 |
| 2007-04-29 | OKI发布紫外线传感器IC，内建运算放大器 冲电气推出内建运算放大器的紫外线(UV)传感器IC——ML8511。该产品运用绝缘上覆硅(SOI)-CMOS，为该公司首款模拟电压输出、无滤光器的UV传感器。OKI将从6月份开始陆续针对可携式等用途产品，提供新款UV传感器样品。 |
| 2007-04-26 | OKI新型UV传感器ML8511无需广电转换电路 冲电气推出内建运算放大器的紫外线(UV)传感器IC——ML8511。该产品运用绝缘上覆硅(SOI)-CMOS，为该公司首款模拟电压输出、无滤光器的UV传感器。OKI将从6月份开始陆续针对可携式等用途产品，提供新款UV传感器样品。 |
| 2007-04-26 | OKI推出内建运算放大器的UV传感器ML8511 冲电气推出内建运算放大器的紫外线(UV)传感器IC——ML8511。OKI的UV传感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技术，适合于数字及模拟电路。 |
| 2007-04-25 | OKI最新UV传感器ML8511无需光电转换电路 冲电气推出内建运算放大器的紫外线(UV)传感器IC——ML8511。该产品运用绝缘上覆硅(SOI)-CMOS，为该公司首款模拟电压输出、无滤光器的UV传感器。OKI将从6月份开始陆续针对可携式等用途产品，提供新款UV传感器样品。 |
| 2007-04-23 | 从工艺技术角度解读AMD的65nm Athlon 6? X2双核CPU AMD在其Athlon 6? X2双核台式机处理器中首次采用了其65nm工艺技术。该处理器包含9层铜金属、1层凸点下锃金属、低k金属间介电质层和绝缘硅(SOI)衬底，以及其它新增的移动特性。有趣的是，其65nm技术首次应用的初衷并非是增强前一代90nm Athlon的性能，而是降低其功耗。AMD声称，该公司已将其90nm版本2.6GHz处理器的热功耗从8?W降至65W。 |
| 2007-03-26 | 将光电检测器集成到SOI上，单芯片CMOS接收器研制成功 将光电检测器集成到SOI上，单芯片CMOS接收器研制成功 |
| 2007-03-27 | 65纳米节点工艺技术竞争格局为何大变？ 在65纳米节点，工艺技术的竞争局势已大为改变，其中一个竞争者明显领先于其对手，从而开拓出一个广阔的领地。真正的赢家将是那些在业务模式上做出正确选择的公司。 |
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