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| 2012-01-12 | Vishay新推12款45V Trench MOS势垒肖特基整流器 Vishay新推12款45V Trench MOS势垒肖特基整流器 |
| 2011-08-16 | NXP发布最新电源管理方案，集成低VCEsat晶体管和Trench MOSFET NXP发布最新电源管理方案，集成低VCEsat晶体管和Trench MOSFET |
| 2011-06-17 | Vishay新款TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器出炉 Vishay新款TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器出炉 |
| 2011-01-26 | Vishay针对太阳能应用发布4款肖特基整流器 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款提供eSMP?表面贴装和轴向引线封装选项的新器件---10A V10P45S、15A V15P45S以及15A VSB1545和20A VSB2045，扩大其用于太阳能电池旁路应用的TMBS? Trench MOS势垒肖特基整流器。 |
| 2009-10-30 | 安森美半导体扩充计算机和游戏机应用的电源管理产品系列 全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。 |
| 2009-10-30 | 安森美推出24款MOSFET，适合计算机和游戏机应用 安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET 采用DPAK、SO-8FL、μ8FL及SOIC-8封装， 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。 |
| 2009-07-15 | 恩智浦推出全球首款低于1毫欧的MOSFET PSMN1R2-25YL 恩智浦半导体宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。 |
| 2009-07-15 | NXP推出全球首款低于1毫欧的25V MOSFET PSMN1R2-25YL 恩智浦半导体宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。 |
| 2009-07-15 | 恩智浦发布全球首款低于1毫欧、采用Power SO8封装的MOSFET 恩智浦半导体宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。 |
| 2009-07-14 | 恩智浦推出全球首款低于1毫欧、采用Power SO8封装的MOSFET 恩智浦半导体宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。 |
| 2008-04-08 | 飞兆全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件问世 飞兆全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件问世 |
| 2008-03-24 | 飞兆推出两款1200V Field Stop Trench IGBT系列器件 飞兆推出两款1200V Field Stop Trench IGBT系列器件 |
| 2008-03-07 | AOS在IIC上展出业界导通电阻最低的60伏MOSFET 伴随着全球能源需求的不断增长及环保意识的逐步提升使得高效、节能产品成为市场发展的新趋势，而性能优良的功率器件再加上完整杰出的电源管理解决方案则成为提高能效、降低损耗的最佳途径。 |
| 2008-03-07 | AOS带来先进电源管理解决方案，适用于多媒体市场 伴随着全球能源需求的不断增长及环保意识的逐步提升使得高效、节能产品成为市场发展的新趋势，而性能优良的功率器件再加上完整杰出的电源管理解决方案则成为提高能效、降低损耗的最佳途径。 |
| 2008-03-07 | AOS展出业界导通电阻最低的60伏MOSFET——AOT460 伴随着全球能源需求的不断增长及环保意识的逐步提升使得高效、节能产品成为市场发展的新趋势，而性能优良的功率器件再加上完整杰出的电源管理解决方案则成为提高能效、降低损耗的最佳途径。 |
| 2008-01-09 | Vishay推出首款200V、30A双高压TMBS Trench肖特基整流器 Vishay推出首款200V、30A双高压TMBS Trench肖特基整流器 |
| 2007-12-28 | Vishay发布新款肖特基整流器V30200C，采用TMBS结构 Vishay宣布推出首款200V、30A双高压TMBS Trench肖特基整流器。V30200C具有比平面肖特基整流器更出色的多种优势。当工作电压转向100V及更高时，平面肖特基整流器的高转换速度及低正向压降优势往往会大大折扣。但已获专利的TMBS结构可消除到漂移区的少数载流子注入，从而最大程度地减少存储的电荷，以及提高转换速度。 |
| 2007-12-27 | Vishay推出首款200V双高压TMBS Trench肖特基整流器 Vishay推出首款200V双高压TMBS Trench肖特基整流器 |
| 2007-12-25 | Vishay推出200V双高压TMBS Trench肖特基整流器V30200C Vishay推出200V双高压TMBS Trench肖特基整流器V30200C |
| 2007-03-08 | 安森美推出新款功率MOSFET，面向便携式应用 安森美半导体(ON Semiconductor)日前推出采用小型SOT-723封装，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代功率MOSFET，这些新低临界值功率MOSFET采用安森美半导体领先业内的Trench技术来取得能够和SC-8?或SC-75等大上许多封装MOSFET器件匹敌的电气和功率性能表现。 |
| 2007-02-27 | 安森美为便携式应用推出SOT-723封装的功率MOSFET 安森美半导体(ON Semiconductor)日前推出采用小型SOT-723封装，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代功率MOSFET，这些新低临界值功率MOSFET采用安森美半导体领先业内的Trench技术。 |
| 2006-12-07 | VISHAY发布TMBS及平面肖特基整流器，采用新式微型封装 日前，Vishay Intertechnology Inc.推出采用新式微型封装的槽沟式金氧肖特基(Trench MOS Barrier Schottky, 简称TMBS)与平面肖特基整流器，这些器件凭借较小的尺寸以及处理100V、12A 电流的能力，可实现高电流密度的电源设计。 |
| 2006-12-07 | VISHAY推出三款SMPC微型电源封装的TMBS及平面肖特基整流器 日前，Vishay Intertechnology Inc.推出采用新式微型封装的槽沟式金氧肖特基(Trench MOS Barrier Schottky, 简称TMBS)与平面肖特基整流器，这些器件凭借较小的尺寸以及处理100V、12A 电流的能力，可实现高电流密度的电源设计。 |
| 2006-12-06 | VISHAY发布SMPC微型电源封装的TMBS及平面肖特基整流器 日前，Vishay Intertechnology Inc.推出采用新式微型封装的槽沟式金氧肖特基(Trench MOS Barrier Schottky, 简称TMBS)与平面肖特基整流器，这些器件凭借较小的尺寸以及处理100V、12A 电流的能力，可实现高电流密度的电源设计。 |
| 2006-12-06 | VISHAY推出SMPC微型电源封装的TMBS及平面肖特基整流器 日前，Vishay Intertechnology Inc.推出采用新式微型封装的槽沟式金氧肖特基(Trench MOS Barrier Schottky, 简称TMBS)与平面肖特基整流器，这些器件凭借较小的尺寸以及处理100V、12A 电流的能力，可实现高电流密度的电源设计。 |
| 2006-10-11 | 奇梦达联手南亚科技，共同打造75纳米DRAM技术平台 奇梦达公司和南亚科技公司日前共同宣布已成功获得75纳米DRAM沟槽式(Trench)技术验证，第一个75纳米产品为512Mb DDR2内存芯片。该新技术平台和产品是双方共同在德国德累斯顿(Dresden)和慕尼黑(Munich)的奇梦达开发中心所开发的。目前已在奇梦达的德累斯顿十二吋厂生产线开始试产。 |
| 2006-07-11 | 飞兆发布新款NPT-Trench IGBT可负荷300mJ雪崩能量 飞兆发布新款NPT-Trench IGBT可负荷300mJ雪崩能量 |
| 2006-05-30 | Vishay推出新型Trench MOS肖特基势垒整流器 Vishay推出新型Trench MOS肖特基势垒整流器 |
| 2006-01-23 | Vishay推出具有0.375V正向压降的肖特基势垒整流器 Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出业界首款基于Trench MOS技术的肖特基势垒整流器。这五款新型 TMBS器件可在开关模式电源中作为整流电路或OR-ing二极管，或可替代同步整流解决方案，它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。 |
| 2005-06-20 | 中芯北京300mm晶圆厂下半年将开始生产90纳米逻辑晶圆 中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)近日表示，其北京300mm晶圆厂正在克服向更先进纳米工艺升级过程中遇到的困难。 |
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