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| 2010-07-12 |
Vishay推出首款TrenchFET功率MOSFET--SiR880DP |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET功率MOSFET --- ThunderFET SiR880DP。 |
| 2010-05-07 |
Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET：Si7625DN |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET——Si7625DN。在这种电压等级和3.3×3.3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。 |
| 2010-05-06 |
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET：Si7625DN |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET——Si7625DN。在这种电压等级和3.3×3.3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。 |
| 2010-04-28 |
Vishay发布首款芯片级P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET：Si8499DB |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET——Si8499DB。在1.5×1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。 |
| 2009-09-05 |
Vishay发布低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET SiE876DF |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用双面冷却、导通电阻最低的60V器件——SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封装，在10V栅极驱动下的最大导通电阻为6.1Ω，比市场上可供比较的最接近器件减小了13%。 |
| 2009-03-12 |
Vishay发布20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET Si7137DP |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技术的首款器件 --- Si7137DP，该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装，具备业内最低的导通电阻。 |
| 2009-03-11 |
Vishay推出20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET Si7137DP |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技术的首款器件 --- Si7137DP，该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装，具备业内最低的导通电阻。 |
| 2009-03-11 |
Vishay发布20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET Si7137DP |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技术的首款器件 --- Si7137DP，该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装，具备业内最低的导通电阻。 |
| 2009-01-22 |
Vishay推出背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB |
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日前，Vishay Intertechnology宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT 芯片级封装的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。 |
| 2008-12-25 |
Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。 |
| 2008-12-08 |
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术 |
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日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。 |
| 2008-12-08 |
Vishay发布采用TurboFET技术的第三代TrenchFET功率MOSFET |
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日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。 |
| 2008-11-24 |
Vishay新型20V通道器件，具有业界最低导通电阻 |
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日前，Vishay Intertechnology推出一款新型 20V n 通道器件---SiR440DP，扩展了其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。该器件采用PowerPAK SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。 |
| 2008-06-20 |
Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8445DB |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20V p通道TrenchFET功率MOSFET——Vishay Siliconix Si8445DB，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1.2V时业界最低的导通电阻。 |
| 2008-04-11 |
Vishay推出超薄20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8441DB/8451DB |
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Vishay推出了旨在满足对便携式设备中更小元件的需求的 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET--Si8441DB与Si8451DB，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有此类器件中最薄厚度及最低导通电阻。 |
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