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| 2011-08-18 | Vishay发布新款8V功率MOSFET,可在1.2V下导通 日前,Vishay发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET功率MOSFET——SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。 |
| 2011-03-16 | Vishay发布最低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET Vishay发布最低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET |
| 2011-03-10 | Vishay推出TrenchFET功率MOSFET--SiR870DP和Si4190DY Vishay推出TrenchFET功率MOSFET--SiR870DP和Si4190DY |
| 2011-01-27 | Vishay推出8V P沟道功率MOSFET--SiA427DJ 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。 |
| 2010-11-25 | Vishay推出业内导通电阻最低的MOSFET器件SiZ710DT 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET --- SiZ710DT,新器件比前一代器件的导通电阻减小43%,同时具有更高的最大电流并提高效率。 |
| 2010-07-12 | Vishay推出首款TrenchFET功率MOSFET--SiR880DP Vishay推出首款TrenchFET功率MOSFET--SiR880DP |
| 2010-05-07 | Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET:Si7625DN Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET:Si7625DN |
| 2010-05-07 | Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET——Si7625DN Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET——Si7625DN |
| 2010-05-06 | Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET:Si7625DN Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET:Si7625DN |
| 2010-04-29 | Vishay发布第三代TrenchFET功率MOSFET:Si8499DB Vishay发布第三代TrenchFET功率MOSFET:Si8499DB |
| 2010-04-28 | Vishay发布首款芯片级P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET:Si8499DB Vishay发布首款芯片级P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET:Si8499DB |
| 2009-09-05 | Vishay发布低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET SiE876DF Vishay发布低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET SiE876DF |
| 2009-03-12 | Vishay发布20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET Si7137DP Vishay发布20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET Si7137DP |
| 2009-03-11 | Vishay发布20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET Si7137DP Vishay发布20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET Si7137DP |
| 2009-03-11 | Vishay推出20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET Si7137DP Vishay推出20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET Si7137DP |
| 2009-02-13 | Vishay发布背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB Vishay发布背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB |
| 2009-01-24 | 背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET 采用MICRO FOOT芯片级封装 背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET 采用MICRO FOOT芯片级封装 |
| 2009-01-22 | Vishay推出背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB Vishay推出背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB |
| 2008-12-29 | Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET,具±20V栅源极电压 Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET,具±20V栅源极电压 |
| 2008-12-26 | Vishay新型TrenchFET功率MOSFET出炉 Vishay新型TrenchFET功率MOSFET出炉 |
| 2008-12-25 | Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP |
| 2008-12-09 | Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET添新丁 Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET添新丁 |
| 2008-12-08 | Vishay发布采用TurboFET技术的第三代TrenchFET功率MOSFET Vishay发布采用TurboFET技术的第三代TrenchFET功率MOSFET |
| 2008-12-08 | Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET,采用TurboFET技术 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET,采用TurboFET技术 |
| 2008-11-24 | Vishay新型20V通道器件,具有业界最低导通电阻 日前,Vishay Intertechnology推出一款新型 20V n 通道器件---SiR440DP,扩展了其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。该器件采用PowerPAK SO-8 封装,在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。 |
| 2008-11-24 | Vishay推出具有业界最低导通电阻的新型20V通道器件 日前,Vishay Intertechnology推出一款新型 20V n 通道器件---SiR440DP,扩展了其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。该器件采用PowerPAK SO-8 封装,在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。 |
| 2008-06-23 | Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8445DB Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8445DB |
| 2008-06-20 | Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8445DB Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8445DB |
| 2008-04-15 | Vishay发布超薄20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8441DB/8451DB Vishay发布超薄20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8441DB/8451DB |
| 2008-04-11 | Vishay推出超薄20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8441DB/8451DB Vishay推出超薄20V P通道TrenchFET功率MOSFET Si8441DB/8451DB |
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