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cmos相关技术术语
  • [ CMOS]  Complementary Metal-Oxide Semiconductor 互补金属氧化半导体
  • [ CMOS]  complementary metal-oxide-semiconductor 互补型金属氧化物半导体;互补式金氧半(导体)
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2012-05-25 X-FAB具成本效益的XU035工艺提供最低光刻版数
为了因应全球朝向节能的趋势,X-FAB Silicon Foundries日前发表XU035工艺,XU035制程提供低导通电阻的700V组件与业界中最低的光刻版数,更针对消费性市场提供最具成本效益的解决方案。
2012-05-21 Rfaxis展示移动手持设备CMOS射频前端技术突破
Rfaxis展示移动手持设备CMOS射频前端技术突破
2012-05-16 Amalfi为三星手机平台提供AM7808 CMOS传输模块
Amalfi为三星手机平台提供AM7808 CMOS传输模块
2012-05-14 西班牙初创公司拟开发CMOS工艺单片式MEMS IMU
西班牙初创公司拟开发CMOS工艺单片式MEMS IMU
2012-05-09 笙科推出新一代射频收发芯片,传输距离可达100米
笙科电子日前发布适用于传输距离100公尺,数据量2 Mbps,高整合型的2.4GHz无线射频收发芯片。该芯片料号为A7137,除了继承上一代A7125的超高接收灵敏度之外,并利用最新的CMOS制程将内建的PA功率推到10dBm。
2012-05-07 迈向7nm工艺与3D IC,有多难?
GlobalFoundries正在仔细考虑其20nm节点的低功耗和高性能等不同工艺技术,而在此同时,多家芯片业高层也齐聚一堂,共同探讨即将在2014年来临的3D IC,以及进一步往7nm节点发展的途径。此外他们还讨论了预计在2014年到来,但仍面临诸多挑战的3D IC,以及脚步缓慢但仍然预见可朝7nm迈进的CMOS微缩技术。
2012-05-04 Amalfi获新一轮投资,加速新一代CMOS功率放大器开发
Amalfi获新一轮投资,加速新一代CMOS功率放大器开发
2012-05-02 三星发布四核Exynos处理器 Galaxy S3将率先采用
三星电子宣布正在生产针对智能手机和平板电脑应用的四核处理器,这款处理器采用32nm CMOS高K金属栅晶体管堆叠工艺。三星表示“即将发布的Galaxy S3强大的处理性能和突破性的多任务能力都和Exynos强大的处理性能和高效的电源管理技术紧密相关”。
2012-04-28 展讯首款40纳米2.5G基带芯片SC6530开始供货
展讯日前宣布业界首款基于40纳米CMOS工艺的2.5G基带芯片-SC6530开始供货。该芯片基于低成本平台并集成了高性能的ARM9处理器,支持四频GSM/GPRS、三卡功能,HVGA显示、H.264解码并集成了1颗音频功率放大器。
2012-03-31 Dialog携手台积共同开发0.13微米BCD技术
Dialog半导体公司与台积公司日前共同宣布:携手开发下一世代的BCD(Bipolar–CMOS -DMOS,双极–互补金属氧化半导体–双重扩散金属氧化半导体)技术,提供移动产品更高效能的电源管理芯片。
2012-03-15 Diodes新增十款通用低压CMOS逻辑器件
Diodes扩展其低压通用CMOS逻辑器件产品系列,除单门及双门产品之外,将再新增十款备受欢迎的功能器件。这些新产品均以14脚TSSOP封装。
2012-03-14 盛群推出同步整流直流升压IC HT77xxS
盛群半导体采用精心调整过的CMOS制程,HT77xxS的启动电压只需0.7V,静态工作电流亦只需要4μA。此特性适合在单颗的碱性、镍氢、镍镉及锂离子电池的产品应用上。
2012-03-13 盛群HT70xxA-2电压检测器精确度达到±1%
盛群推出的电压检测器IC HT70xxA-2系列,是采用CMOS技术制造的三脚位电压检测器。 该系列的电压检测器提供8种电压检测规格选择,其外编xx代表检测电压规格,范围从2.2V到8.2V,每种规格都能达到±1%检测电压精确度。
2012-03-08 新型非挥发性存储器CBRAM问世,挑战FRAM
一家新创内存公司Adesto 推出首款导电桥接随机存取内存(conductive-bridging RAM, CBRAM )。 CBRAM 是一种低耗电、与CMOS兼容的内存,可定制应用在各类嵌入式市场和独立存储器市场,该公司在2011年推出了首款 CBRAM 样品。
2012-02-20 芯海科技进军8位MCU市场,展开三大支柱产业发展链路
深圳芯海科技日前宣布,推出一款低成本、低功耗的8位CMOS单芯片FLASH MCU CSU8RF211x系列,向业界展示了芯海科技在ADC、SoC产品之外进军MCU市场的动向。随着CSU8RF211x的发布,芯海科技以ADC、SoC、MCU为三大支柱产业发展的链路逐渐清晰,芯海科技正朝着提供前端数据采集和后端分析处理的整体方案解决应用厂商行列迈进。
2012-02-15 TowerJazz将于IIC China上介绍高级特种工艺
全球特种工艺晶圆代工领导者TowerJazz日前宣布,该公司中国区经理秦磊将于2012年2月25日在深圳国际集成电路研讨会暨展览会(IIC China)上发表主题演讲。演讲报告将着重介绍TowerJazz高级特种工艺的实用性,这些工艺包括前端模块(FEM)开发、针对安全和X光应用的CMOS图像传感器、700伏 LED照明设备和可升级LDMOS DC/DC转换器。
2012-02-03 台积电反击28nm工艺良率问题传言
台积电日前回应了稍早前分析师指称该公司28nm CMOS工艺存在着良率问题的说法。台积电表示,减少28nm节点的缺陷密度一直在掌握中,以量产进度来看甚至快于40/45nm工艺技术。
2012-01-11 展讯发布首款基于40纳米CMOS的TD-LTE基带调制解调器
展讯发布首款基于40纳米CMOS的TD-LTE基带调制解调器
2011-12-09 美研究将MEMS晶体管集成至CMOS电路,可取代独立晶振
美研究将MEMS晶体管集成至CMOS电路,可取代独立晶振
2011-12-07 美光利用IBM TSV工艺制造3D混合内存,传输速度提升15倍
IBM近日表示,美光的混合存储立方体(HMC)将成为第一个采用IBM TSV工艺的商业化CMOS制造技术。IBM在一份声明中称,IBM的3D芯片制程TSV芯片制造技术能使美光的混合式存储立方体的传输速度达到当前技术的15倍。
2011-11-21 MIT研究仿生芯片,可模拟大脑神经元活动
MIT的研究人员设计了一种芯片,会模仿人脑神经元是如何回应新讯息。该款内含400个晶体管的芯片可模拟单一大脑突触的活动,将已知的神经元生物学与突触可塑性整合到CMOS芯片上的一大进展。
2011-11-18 Molex演示基于CMOS硅光子的100Gbps集成光学收发器
Molex演示基于CMOS硅光子的100Gbps集成光学收发器
2011-11-15 利用专用晶圆加工工艺实现高性能模拟IC
高性能电子产品需要高精度模拟CMOS工艺技术,从而实现接近理想的MOS晶体管、电阻、电容以及专用JFET和DECMOS器件。为了实现最终芯片的差异化,必须对这种关键的器件从头进行设计,使精度设计贯穿整个设计周期。曾经专属于模拟IDM的技术领域(比如高性能模拟CMOS工艺技术)如今可以通过专业晶圆厂来实现。在这种趋势下,设计人员现在可以通过采用晶圆厂开发的模拟CMOS工艺实现其芯片,从而更快地实现更大的差异化。
2011-11-15 基于数字低中频的轮调数显方案有效简化收音机设计
本文介绍Silicon Labs(芯科实验室)近日宣布推出的新一代多波段收音机接收器IC解决方案Si484x,使轮调收音机产品具有现代的数字显示功能。由于Si484x基于该公司专利的数字低中频架构,并采用CMOS工艺提供了很高的集成度,因此具有较佳的RF性能并节约成本。
2011-11-02 IDT首款具±50 ppm频率精度CMOS振荡器问市
IDT首款具±50 ppm频率精度CMOS振荡器问市
2011-10-25 美生产出印刷“CMOS”存储器,或改变人机交互方式
美生产出印刷“CMOS”存储器,或改变人机交互方式
2011-10-19 Vishay CMOS模拟开关和多路复用器又增新品
Vishay CMOS模拟开关和多路复用器又增新品
2011-10-11 无晶体振荡器取代石英晶体时机来临
随着电子技术的快速发展,使用晶体以及晶体振荡器提供时序的方法的局限性已暴露出来。本文将重点讨论新兴的“无晶体(crystal-free)”全硅CMOS振荡器,用以替代传统的时序解决方案。
2011-10-12 为汽车应用而优化的CMOS收音机IC解决方案
为汽车应用而优化的CMOS收音机IC解决方案
2011-10-08 工业及医疗等应用的CMOS图像传感器方案详解
工业及医疗等应用的CMOS图像传感器方案详解
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