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| 2007-07-13 | 新日本无线开始发放双通道J-FET输入运算放大器NJM2749/2749A的样品 新日本无线目前已经可以发放双通道J-FET输入运算放大器NJM2749/2749A的样品。NJM2749/2749A是通过采用J-FET(Junction Field-Effect Transistor：结型场效应晶体管)作为输入端，实现了低输入偏置电流50pA typ.，高输入阻抗和高转换率13V/μs，同时还具有低输入失调电压(0.8mV typ)以及低失调温度漂移(6μV/℃ typ.)特点的J-FET输入运算放大器。 |
| 2007-07-05 | 新日本无线推出低失调低漂移J-FET输入运放 新日本无线目前已经可以发放双通道J-FET输入运算放大器NJM2749/2749A的样品。NJM2749/2749A是通过采用J-FET(Junction Field-Effect Transistor：结型场效应晶体管)作为输入端，实现了低输入偏置电流50pA typ.，高输入阻抗和高转换率13V/μs，同时还具有低输入失调电压(0.8mV typ)以及低失调温度漂移(6μV/℃ typ.)特点的J-FET输入运算放大器。 |
| 2005-09-19 | 东芝的GaN功率FET的性能超过GaAs FET 东芝(Toshiba)公司推出的GaN功率FET的性能超过GaAs FET，适用于陆地和卫星微波通信基站应用，6GHz下该产品的输出功率达174W，为业界最高功率水平。 |
| 2005-05-20 | CMC相中两款MOSFET模型实施标准化，拟取代BSIM3/4 Compact Model Council(CMC)已经选中两款下一代金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)模型进行标准化，以取代现有的行业标准BSIM3与BSIM4模型。 |
| 2005-04-27 | OKI推出漏极效率高达55%的功率GaAs MESFET 冲电?工业株式会社(OKI)日前开发出能实现世界最高漏极(drain)效率的10W级无线通信用功率GaAs MESFET新品——KGF1934。 |
| 2005-02-24 | 安捷伦推出SOT-8?封装的低成本高线性度场效应管 安捷伦科技公司(Agilent Technologies)日前宣布，为其高线性度增强模式伪形态高电子迁移率晶体管(E-pHEMT)场效应管(FET)产品系列增加两个新成员——ATF-5218?和ATF-5318?。 |
| 2005-02-22 | Linear Systems推出便携设备适用的低噪声JFET Linear Integrated Systems公司推出LSK170系列连结式场效应管(JFET)，对于高频、低频信号都具有低噪声特性，IDSS小，电容效应低。 |
| 2003-06-28 | DS2760/2761产品比较 该应用指南讨论了DS2760/2761两种器件的比较。 |
| 2003-05-28 | 电流感应功率MOSFET介绍 本应用指南介绍了电流感应功率MOSFET的技术指标。 |
| 2003-05-28 | 功率MOSFET基础 本应用指南介绍了功率MOSFET特性和应用情况。 |
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