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2011-02-24 瑞士开发新半导体材料“辉钼矿”号称功耗为硅的十万分之一
有一种新开发的半导体材料辉钼矿(molybdenite,MoS2),其功耗据说仅有硅材料的十万分之一,又能用以制作出尺寸更小的晶体管。瑞士洛桑理工学院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne,EPGL)的研究人员并指出,这种新一代半导体材料具备能隙(bandgap)的特性也打败石墨烯(graphene)。
2011-01-14 美研发新技术,可快速辨识石墨烯薄片缺陷
纯石墨烯(graphene)薄片制成的IC能以比硅芯片更低的温度、更高的速度运作,但遗憾的是,无缺陷的石墨烯薄片非常难产生,甚至其缺陷也很难表征出来。为此美国康乃尔大学(Cornell University)研究人员宣布发明了一种影像技术,能通过将石墨烯薄片色彩化,来简化其量测方法,快速地辨识出石墨烯薄片的特性。
2010-09-07 美研发新方法能制作完美边缘与单分子层石墨烯
在硅芯片设计规则往原子等级迈进的过程中,石墨烯(graphene)被认为可以清除许多障碍,能制作尺寸更小、性能更好的纯碳组件。但有一个问题在于,在纳米等级,组件规格必须要达到原子精度(atomic accuracy),包括接近完美边缘(perfect edges)与单分子层(monolayers)。
2010-09-06 美研发新方法能制作完美边缘与单分子层石墨烯
在硅芯片设计规则往原子等级迈进的过程中,石墨烯(graphene)被认为可以清除许多障碍,能制作尺寸更小、性能更好的纯碳组件。但有一个问题在于,在纳米等级,组件规格必须要达到原子精度(atomic accuracy),包括接近完美边缘(perfect edges)与单分子层(monolayers)。
2010-07-20 锂电池充电缩短为10分钟 美石墨烯电极制造技术成功
美国普林斯顿大学(Princeton University)的研究人员指出,若是采用石墨烯(graphene)电极,锂电池的充电时间将能从2小时缩短到只要10分钟。
2010-06-01 美大学研发石墨烯半导体量子点能实现单分子传感器
有一种“石墨烯半导体量子点 (graphene quantum dots)”能实现单分子传感器,也可能催生超小型晶体管或是利用半导体激光器所进行的芯片上通讯;美国莱斯大学(Rice University)日前即发表了该校进行这种技术研发的相关计划。
2010-05-31 美研发石墨烯半导体量子点能实现单分子传感器
有一种“石墨烯半导体量子点 (graphene quantum dots)”能实现单分子传感器,也可能催生超小型晶体管或是利用半导体激光器所进行的芯片上通讯;美国莱斯大学(Rice University)日前即发表了该校进行这种技术研发的相关计划。
2010-05-10 石墨烯是合适的OLED材料吗?
据美国斯坦福大学研究人员表示,较之目前普遍用于有机LED(OLED)显示器透明电极的稀有且昂贵的氧化铟锡(ITO),石墨烯(graphene)可以提供成本更低、更薄、速度更快的替代方案,从而规避ITO短缺的问题,并为柔性显示器的开发铺平道路。
2010-02-11 下一代半导体技术将是碳芯片时代?
下一代的半导体可能采用碳,而非硅!美国宾州大学的研究人员声称,已成功制造出可生产纯碳半导体组件的4寸(100mm)石墨烯(graphene)晶圆。
2010-02-08 告别硅芯片,迈入碳芯片时代
下一代的半导体可能采用碳,而非硅!美国宾州大学的研究人员声称,已成功制造出可生产纯碳半导体组件的4寸(100mm)石墨烯(graphene)晶圆。
2010-02-05 告别硅芯片,迈入碳芯片时代
下一代的半导体可能采用碳,而非硅!美国宾州大学的研究人员声称,已成功制造出可生产纯碳半导体组件的4寸(100mm)石墨烯(graphene)晶圆。
2010-02-04 告别硅芯片,迈入碳芯片时代
下一代的半导体可能采用碳,而非硅!美国宾州大学的研究人员声称,已成功制造出可生产纯碳半导体组件的4寸(100mm)石墨烯(graphene)晶圆。
2009-08-14 碳纳米管技术深度探索,为你拓展新的电子应用商机
碳纳米管(CNT)与石墨烯(graphene)不但可在有机材料中展现惊人的电子特性;同时,在传感器、微电子与半导体组件、场发射显示器(FED)、纳米电极与能源转换组件(如燃料电池与一般电池)等电子与电气应用中,它也存在着无穷的发展潜力。
2009-01-21 研究人员打造石墨烯存储器,密度比闪存存储更高
Rice大学研究人员正在着手研究一类存储单元密度至少为闪存两倍的石墨烯片状存储器。石墨烯(Graphene)是由没有卷成纳米管的纯炭原子薄膜构成,在此之前石墨烯已被用于IBM的超快速晶体管原型产品及其它领域。
2009-01-19 比闪存存储单元密度更高的石墨烯存储器问世
Rice大学研究人员正在着手研究一类存储单元密度至少为闪存两倍的石墨烯片状存储器。石墨烯(Graphene)是由没有卷成纳米管的纯炭原子薄膜构成,在此之前石墨烯已被用于IBM的超快速晶体管原型产品及其它领域。
2009-01-13 比闪存存储单元密度更高的石墨烯存储器问世
Rice大学研究人员正在着手研究一类存储单元密度至少为闪存两倍的石墨烯片状存储器。石墨烯(Graphene)是由没有卷成纳米管的纯炭原子薄膜构成,在此之前石墨烯已被用于IBM的超快速晶体管原型产品及其它领域。
2008-12-25 IBM研发速度达26GHz的石墨烯晶体管
IBM宣布研发出号称全世界速度最快的石墨烯(graphene)场效晶体管(FET),可在26GHz频率下运作。该公司Thomas J. Watson研究中心的研究人员并预测,碳元素更高的电子迁移率,可望使该种材料超越硅的极限,达到100GHz以上的速度跨入兆赫(terahertz)领域。
2008-04-25 石墨烯晶体管取得重大进展,厚度仅为一个原子
英国曼彻斯特大学的研究人员成功研制了尺寸最小的晶体管,其厚度为1个原子,截面为10个原子。这一重大进展已经发表在最新一期的《科学》杂志上,并且打破了该小组去年创造的截面100nm的石墨烯晶体管世界纪录。
2008-03-11 芯片制造新材料获得最新进展,IBM声称大幅降低了石墨烯的噪声
据美国IBM T J Watson研究中心的研究人员称,利用一种新奇的双层架构,可以把石墨烯(graphene)晶体管中的噪声降至原来的10分之一。在晶体管线尺寸降至32纳米以下之后,对于任何材料制成的所有器件来说,噪声就变成了一个重大问题,这个问题遵守霍克(Hooge)定律。
2007-03-09 Graphene晶体管问世,有望做硅晶体管“接班人”
Graphene晶体管问世,有望做硅晶体管“接班人”
2007-03-07 长江后浪推前浪,硅晶体管“接班人”Graphene晶体管问世
长江后浪推前浪,硅晶体管“接班人”Graphene晶体管问世
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