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| 2011-12-20 | 英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存 英特尔和美光科技日前宣布，已开发出128Gb的NAND闪存，新元件采用了针对闪存改良的20nm工艺制程，将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。 |
| 2010-10-08 | IBM晶圆厂联盟否认遭遇高介电/金属栅极制程问题 成员包括GlobalFoundries、Samsung等厂商的IBM晶圆厂联盟，反驳了业界传言该联盟在高介电/金属栅极(high-k/metal-gate)遭遇困难的传言。 |
| 2009-01-09 | ASM International N.V.和SAFC Hitech签订认证制造厂商与合作协定 ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech日前宣布针对进阶超介电常数绝缘层(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子层沉积(ALD)原料签订认证制造厂商与合作协定。 |
| 2008-01-09 | ASM和SAFC Hitech针对进阶超介电常数绝缘层相关技术签订合作协议 ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech今天宣布针对进阶超高介电常数绝缘层(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子层沉积(ALD)原料签订认证制造厂商与合作协议。该协议提供化学原料之认证标准、特定ASM ALD 专利之授权许可，以及针对这些化学原料的行销与进阶开发合作关系。 |
| 2008-12-19 | 东芝、IBM和AMD采用高电介质/金属栅极联合开发世界上最小的FinFET SRAM单元 株式会社东芝、IBM公司和AMD公司日前宣布，三方采用鳍片场效应晶体管（FinFET）共同开发了一种静态随机存储器（SRAM）单元，其面积仅为0.128平方微米（μm2），是世界上最小的实用SRAM单元。 |
| 2008-10-13 | ARM，特许半导体，IBM及三星联手打造高效能32纳米和28纳米片上系统 IBM，特许半导体制造有限公司，三星电子有限公司以及ARM公司日前宣布：他们将在high-k metal-gate (HKMG)技术的基础上开发一个完整的32纳米和28纳米的片上系统（SoC）设计平台。HKMG技术是由IBM领导的联合开发团队所开发的。 |
| 2008-10-08 | 台积电发布28纳米工艺服务计划，2010年起跑 台积电(TSMC)宣布将28纳米工艺定位为全世代(Full Node)工艺，同时提供客户高介电层/金属闸(High-k Metal Gate，HKMG)，以及氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON)材料两种选择，以支援不同产品的应用及效能需求。 |
| 2008-08-22 | IBM宣布成功研发出22nm SRAM IBM和其开发合作伙伴AMD、飞思卡尔、意法半导体、东芝、纳米科学与工程学院(CNSE)共同开发出全球首款采用22nm生产工艺的SRAM芯片。 |
| 2008-05-29 | ASM推出原子级单金属栅堆栈工艺，简化High K与金属栅结合 ASM推出原子级单金属栅堆栈工艺，简化High K与金属栅结合 |
| 2008-04-25 | IBM 32nm工艺High-K金属栅极试产成功，2009年底有望上市 IBM 32nm工艺High-K金属栅极试产成功，2009年底有望上市 |
| 2008-04-08 | 英特尔在IDF上展示Atom处理器，掀起MID风暴 Intel日前在IDF上公布了Silverthorne Atom便携式移动处理器的产品线规划，相关型号、规格参数和售价。Silverthorne Atom系列采用45nm High-K CMOS工艺制造，无铅无卤，集成4700万个晶体管，DIE核心面积均为7.8×3.1毫米，即24.2平方毫米，封装硅片体积13×14×1.6毫米，统一配备512KB二级缓存，支持SSE3指令集、VT虚拟化技术、EDB防毒技术、高级散热管理技术等等。 |
| 2007-12-31 | IEDM上展开先进工艺技术大比拼，Intel、TSMC互不示弱大赞新工艺 Intel在出席国际电子设备大会（IEDM）的时候向外界透露了其首次采用了high-k闸晶体管的45nm生产工艺。无独有偶，台湾地区半导体商TSMC同样也宣布了他们在32nm工艺方面取得的成就。 |
| 2007-12-28 | IMEC：细述high-k平板CMOS的优势 IMEC：细述high-k平板CMOS的优势 |
| 2007-12-28 | AMD泄露high-k计划，漠视处理器竞赛 AMD泄露high-k计划，漠视处理器竞赛 |
| 2007-12-26 | 台积电步入无high-k材料32纳米工艺时代！ 台积电步入无high-k材料32纳米工艺时代！ |
| 2007-06-19 | Intel采用“high-k”新材料，晶体管设计跨越时代 Intel采用“high-k”新材料，晶体管设计跨越时代 |
| 2007-02-16 | 攻克低耗电量难关，英特尔45nm工艺采用全新high-k与金属闸材料 攻克低耗电量难关，英特尔45nm工艺采用全新high-k与金属闸材料 |
| 2006-06-30 | NEC发布55nm CMOS工艺技术，满足便携产品低功耗要求 NEC电子和NEC日前开发出了55nm CMOS工艺技术。在MOS FET栅绝缘膜中导入了high-k(高介电常数)材料，实现高载流子迁移率，从而同时实现了便携终端等领域所要求的低耗电和高速运行。双方首次采用了液浸ArF曝光技术。 |
| 2006-06-28 | NEC电子开发55nm CMOS工艺技术 NEC电子和NEC日前开发出了55nm CMOS工艺技术。在MOS FET栅绝缘膜中导入了high-k(高介电常数)材料，实现高载流子迁移率，从而同时实现了便携终端等领域所要求的低耗电和高速运行。双方首次采用了液浸ArF曝光技术。 |
| 2006-01-24 | NEC的55纳米工艺研制成功，造就超低功耗LSI NEC电子公司日前宣布开发出名为UX7LS的55纳米节点工艺，采用了浮出蚀刻(emersion lithography)和更高介电常数材料。该公司声称，该工艺可提供比65纳米工艺在操作和待机模式下低十分之一的功耗。 |
| 2006-01-09 | NEC称其55纳米工艺研制成功，终极低功率LSI诞生 NEC电子公司日前宣布开发出名为UX7LS的55纳米节点工艺，采用了浮出蚀刻(emersion lithography)和更高介电常数材料。该公司声称，该工艺可提供比65纳米工艺在操作和待机模式下低十分之一的功耗。 |
| 2005-12-08 | 应变硅成为提高晶体管速度的主要途径 鉴于高k介电材料明显落后于45纳米节点技术，今年的国际电子器件会议(IEDM)聚焦第二代应变硅技术，将其视为提高晶体管速度的主要途径。技术专家还将探讨提升晶体管性能的其它新方法，包括金属门电极和混合晶体定向技术。 |
| 2005-09-26 | 台湾地区以MIM电容结构为DRAM技术带来突破 继结合台湾地区四大内存厂商进行“新一代相变内存”技术研发之后，台湾工研院电子所宣布在动态随机存取存储器(DRAM)关键技术上取得突破，新发表的金属绝缘层金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)电容结构，号称可为台湾DRAM厂商的新一代产品开发提供有利技术后盾。 |
| 2005-09-09 | 日本IC界合力从事45nm工艺研发 日本半导体行业已经制定了一个雄心勃勃的5年行动计划，旨在开发针对45和32纳米节点的制造技术。 |
| 2005-08-05 | NEC超低功耗技术欲大幅延长电池使用时间 NEC公司旗下的两个部门通过集成高K技术和体偏置方案(body-biasing)，研制出面向移动设备的降低待机功耗的技术。 |
| 2005-07-12 | NEC推出采用高性能门堆叠结构的晶体管 NEC公司推出具有新型门堆叠结构的晶体管。 |
| 2005-05-06 | Sematech宣称在45纳米高K材料开发取得突破 Sematech宣称在45纳米高K材料开发取得突破 |
| 2005-03-20 | 45纳米节点使用的高K介质仍在开发阶段 45纳米节点使用的高K介质仍在开发阶段 |
| 2005-02-03 | MIPS与Virage Logic共推低成本333MHz嵌入式处理器 MIPS Technologies公司和Virage Logic公司宣布共同推出一款333MHz嵌入式处理器。 |
| 2005-01-28 | NEC开发出基于铪高k电介质栅极堆叠结构的晶体管 NEC和NEC Electronics公司宣布开发出新款栅层叠(gate stack)结构晶体管产品。 |
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