什么是mosfet ？
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MOSFET是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。 从目前的角度来看MOSFET的命名，事实上会人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属。 今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为首选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物所发展的硅锗制程（silicon-germanium process, SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（gallium arsenide,GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。
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| 2012-05-25 | Linear发布大功率同步升压型控制器LTC3787 Linear推出LTC3787的H级和MP级版本。这款大功率两相单输出同步升压型DC/DC控制器用高效率N沟道MOSFET取代了升压二极管，从而无需中等到大功率升压型转换器通常所需的散热器。 |
| 2012-05-24 | 罗姆推出车载用栅极驱动器BM6103FV-C 罗姆开发出内置绝缘元件的栅极驱动器“BM6103FV-C”，最适合作为电动汽车（EV）和混合动力车（HEV）逆变回路中IGBT以及功率MOSFET的驱动元件。 |
| 2012-05-23 | IR PowIRaudio模块简化D类放大器设计 IR推出PowIRaudio集成式功率模块系列，适用于高性能家庭影院系统及车用音频放大器。新器件将脉冲宽度调制控制器和两个数字音频功率MOSFET集成至单一封装，提供高效紧凑的解决方案。 |
| 2012-05-23 | Enpirion推出集成12伏DC-DC转换器的电源解决方案 Enpirion宣布推出EN2300系列完全集成型12伏直流-直流转换器，它们采用了该公司业界领先的功率MOSFET技术，功率密度是替代解决方案的两倍。作为领先的集成型电源集成电路解决方案提供商，此次推出的产品凸显了Enpirion对最小化电信、企业、工业、嵌入式计算和存储系统等应用中直流-直流电源系统尺寸的关注。 |
| 2012-05-15 | IR针对家电轻工业应用新推μIPM功率模块 IR推出一系列正在申请专利的高集成、超小型μIPM功率模块，适用于高效率家电和轻工业应用，包括制冷压缩机驱动器、加热和水循环泵、空调扇、洗碗机及自动化系统。 |
| 2012-05-11 | 飞兆非对称双MOSFET新增成员FDPC8011S ST推出最新的可支持下一代智能电网标准的单片无线微控制器的样片，其设计目的是减少停电次数和二氧化碳排放量，同时还可支持未来的生活方式，包括插电式电动车充电。 |
| 2012-05-10 | Vishay全新四款TrenchFET MOSFET再刷导通电阻最低记录 Vishay全新四款TrenchFET MOSFET再刷导通电阻最低记录 |
| 2012-05-07 | 飞兆开发出汽车车身电子用智能高侧开关 飞兆开发出一款专门为汽车车身电子提供先进电气负载控制的智能高侧开关系列。该系列器件集成了保护和诊断功能以减少元件数量并简化印刷线路板设计，提供了替代分立式MOSFET的解决方案，同时提高系统的可靠性。 |
| 2012-05-04 | Vishay下一代D系列MOSFET的首款器件问市 Vishay下一代D系列MOSFET的首款器件问市 |
| 2012-05-03 | Diodes用于负载开关的全新MOSFET出炉 Diodes用于负载开关的全新MOSFET出炉 |
| 2012-04-28 | 飞兆PowerTrench器件新增FDMC8010系列 飞兆的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供业界最佳功率密度和低传导损耗，能够满足这些需求。 |
| 2012-04-25 | IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术器件问市 IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术器件问市 |
| 2012-04-25 | 电源设计小贴士之可替代集成MOSFET驱动器的方案 电源设计小贴士之可替代集成MOSFET驱动器的方案 |
| 2012-04-24 | TI栅极驱动器最新成员登场 TI推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的4 A/8 A与4 A/4 A单通道低侧栅极驱动器，其可最大限度减少MOSFET、IGBT电源器件以及诸如氮化镓(GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。 |
| 2012-04-23 | 基于STM32的无刷风扇矢量控制参考方案 市面上常见的无刷风扇大多使用8bit MCU，通过BEFM原理实现控制BLDC，效率低，噪音高。这里我们使用意法半导体最新推出的32Bit Cortex-M3微控制器STM32F100C4T6和TOSHIBA MOSFET基于FOC原理单电阻采样实现对无传感器的PMSM类型电机控制，该方案不仅适用无刷风扇，也广泛适用空调风机、抽油烟机、水泵等电机应用场合。 |
| 2012-04-19 | 飞兆开发出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模块 新能源标准以及针对刀片式服务器、高性能笔记本电脑、游戏主机和负载点(point-of-load)模块的新系统规范，正在推动业界对更高效率、更大电流、更高开关频率以及更大功率密度的需求。为了配合行业发展趋势，飞兆半导体公司开发出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模块(MCM)系列。 |
| 2012-04-16 | 英飞凌扩大车用功率产品阵容，推出全新650V CoolMOS CFDA 英飞凌科技推出全新650V CoolMOS CFDA，壮大其车用功率半导体产品阵容。这是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流/直流转换器和HID（高强度放电）照明等谐振拓扑。 |
| 2012-04-12 | 设计基于功率MOSFET的锂电池保护电路 设计基于功率MOSFET的锂电池保护电路 |
| 2012-04-09 | 飞兆最新HVIC栅极驱动器助力实现更高功率转换器设计 飞兆开发出大电流高侧栅极驱动器IC产品FAN7171和大电流高侧与低侧栅极驱动器IC产品FAN7190,适合电动与混合动力DC-DC电源和功率逆变器、柴油和汽油喷射器及阀门，以及MOSFET和IGBT高侧驱动器应用。 |
| 2012-04-09 | 飞兆与英飞凌携手将创新封装工艺引入汽车级MOSFET 飞兆与英飞凌携手将创新封装工艺引入汽车级MOSFET |
| 2012-03-29 | 隔离式3.3V到5V转换器的分立设计 不存在电路板空间限制的情况下，具有稳定输出的隔离式3.3-V到5-V DC/DC转换器分立设计可以成为稳定输出集成DC/DC组件的一款现实低成本代替方案。分立设计的主要好处是可以自由选择隔离变压器，以满足各种隔离电压要求。 |
| 2012-03-27 | Maxim最新DC-DC稳压器以超小封装提供超高效率 Maxim Integrated Products推出业内尺寸最小的电流模式、同步整流DC-DC转换器MAX15058/MAX15108/MAX15112/MAX15118，输出电流分别为3A、8A、12A和18A。该系列DC-DC稳压器内置MOSFET，采用微型晶片级封装(WLP)，可有效简化设计并可获得最高转换效率。 |
| 2012-03-22 | 飞兆提供第二代XS DrMOS FDMF6708N 飞兆提供第二代XS DrMOS系列FDMF6708N，这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案，用于大电流、高频率同步降压DC-DC应用。 |
| 2012-03-09 | Diodes提供最新MOSFET控制器，超越“能源之星”标准 Diodes提供最新MOSFET控制器，超越“能源之星”标准 |
| 2012-02-29 | 瑞萨发布五款P通道MOSFET，导通电阻降低一半 瑞萨发布五款P通道MOSFET，导通电阻降低一半 |
| 2012-02-27 | 轻松应对手机轻薄化的电池保护方案 本届IIC China 2012展会上，来自台湾的富晶电子股份有限公司展出了他们的最新方案：二合一锂电池保护芯片以及高精度锂电池保护解决方案。 |
| 2012-02-21 | Vishay两款新p沟道30V 功率MOSFET再立行业新基准 Vishay两款新p沟道30V 功率MOSFET再立行业新基准 |
| 2012-02-20 | IR扩充PowIRstage系列,新增成员IR3551 IR推出IR3551以扩充PowIRstage集成式器件系列，新器件特别适合下一代服务器、台式电脑、显卡及通信系统应用,其最大工作点达到50A，非常适合高端处理器及DDR内存多相位解决方案。 |
| 2012-02-13 | TI低侧栅极驱动器LM5114带来高效率与高电源密度 TI推出用于配合高密度电源转换器中MOSFET与氮化镓功率场效应晶体管使用的低侧栅极驱动器。LM5114可驱动同步整流器与功率因数转换器等低侧应用中的GaN FET与MOSFET。 |
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