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EDA/IP/IC设计

英特尔开发出首枚全硅激光芯片，硅和光电可望融合

作者: R. Colin Johnson 上网日期: 2005年01月18日

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关键字： Intel Corp. 英特尔 silicon-opto 硅激光 Raman散射

[摘要提示] BROKEN_TABLE_ HIDDEN_END -->英特尔(Intel)日前声称开发出全球首枚全硅激光芯片。该公司的开发小组通过采用受激拉曼散射(stimulated Raman scattering)，排除了通常会导致激光器高效发光的硅间接能带隙的干扰，产生了足够的光增益(达11dB)，使激光发射成功。通过向片上硅波充入0.4微瓦的能量，该小组取得了足够的增益，在1,669.5纳米波长触发了100纳秒......

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本文链接：英特尔开发出首枚全硅激光芯片，硅和光电可望融合

http://www.eet-china.com/ART_8800356974_480101_NT_442e123e.HTM

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