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EDA/IP/IC设计  

Oki发布无线基站用氮化镓功率晶体管样品

上网日期: 2005年01月27日  打印版 订阅

关键字: Oki Electric  Gallium Nitride  氮化镓  GaN-HEMT  High Electron Mobility 

[摘要提示] BROKEN_TABLE_ HIDDEN_END -->Oki Electric公司发布了一款氮化镓高电子迁移晶体管(GaN-HEMT)器件,即适用于无线基站的高频波动功率晶体管产品。这种新型晶体管采用氮化镓材料制成,可降低3G移动电话、PHS和无线城域网(MAN)中无线电信基站的尺寸和功耗。GaN-HEMT可在比GaAs-HEMT高3到5倍的电压下工作,从而能实现更高的电压供电。此外,由于工作电流可降......
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本文链接:Oki发布无线基站用氮化镓功率晶体管样品

http://www.eet-china.com/ART_8800357745_480101_NP_cc00f137.HTM
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