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缓冲/存储技术

海力士获ISi低成本Z-RAM存储技术授权，DRAM市场格局即将改写？

上网日期: 2007年08月15日

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关键字： Z-RAM 高密度存储动态随机存储器

[摘要提示] Z-RAM高密度存储知识产权(IP)开发商Innovative Silicon Inc（ISi），与海力士(Hynix)半导体有限公司宣布：海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元，来替代多个晶体管和电容器的组合，这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来，基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获得了抢先将Z-RA......

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