EDA/IP/IC设计 
IEDM上展开先进工艺技术大比拼，Intel、TSMC互不示弱大赞新工艺
[摘要提示] Intel在出席国际电子设备大会（IEDM）的时候向外界透露了其首次采用了high-k闸晶体管的45nm生产工艺。无独有偶，台湾地区半导体商TSMC同样也布了他们在32nm工艺方面取得的成就。Intel开发的晶体管采用了high-k闸电介质，在金属门双波段边沿集成厚度为1.0nm的电子氧化物，并且采用第三代精炼硅。Intel称结果显示这个处理方法所得到的驱动电流是记录中NMOS......
请登录或注册网站阅读全文>>
|
还未注册?
 现在免费注册，您即可：
|
已经注册? 登录阅览全部精彩内容
|
page=CKClick&kw=Intel&artID=8800495941&1328704184908英特尔资深技术经理高宇将出席2月23-25日在深圳举行的IIC-China发表主题演讲。立即报名
本文链接：IEDM上展开先进工艺技术大比拼，Intel、TSMC互不示弱大赞新工艺
http://www.eet-china.com/ART_8800495941_480101_NT_b51b8e78.HTM
评论最多文章
- 你想也没想到的ARM十大客户！ ( 13 )
- 观点：以CFL取代白炽灯泡就无虞了吗？ ( 12 )
- 工程师博客：三支IC股票揭开中国电子产... ( 12 )
- 日本研究机构新构造硅太阳能电池发电量... ( 10 )
- 超级电池：工程界将诞生的下一个伟大胜... ( 10 )
- 2012年，你还会来印度卖中国手机么？ ( 9 )
- 苹果是否过气了？ ( 9 )
- 华为纤薄智能手机Ascent艳惊美国CES ( 7 )
- 苹果本月将发布什么？猜对有奖！ ( 6 )
- 谁才是具有“真才实料”的真正工程师？ ( 5 )
2011电子产业征战风云
|
经典电子创意设计欣赏
|
|||||||
 |
网友推荐相关文章
- Intel采用“high-k”新材料，晶体管设计跨越时代 (2007-06-19)
- NEC的55纳米工艺研制成功，造就超低功耗LSI (2006-01-24)
- NEC称其55纳米工艺研制成功，终极低功率LSI诞生 (2006-01-09)
- 应变硅成为提高晶体管速度的主要途径 (2005-12-08)
- NEC推出采用高性能门堆叠结构的晶体管 (2005-07-12)
专题策划
技术与创意
2012电子行业预测
趋势杂谈
| 热门 | 经典 | 文章 | 论坛 | 博客 |
IIC China 2012.2.23-25 深圳会展中心
 预先注册， 独享获奖先机！ |
研讨会热点 展商动态 |
热门EE小组
PCB讨论组
|
传感技术应用小组
|
运算放大器
射频工程师俱乐部
|
ZigBee
|
交流伺服系统
职业发展讨论
|
Android智能手机
|
E群做IC的人
Altium Designer(protel)学习小组
|
IC Designers
EMC设计小组
|
Linux讨论组
|
更多
(您将以游客身份发表，请登录 | 注册)