制造/封装
[摘要提示] 利用CMOS工艺实现的铜互连是实现速度更快的未来芯片所面临的瓶颈。一种解决方案可能就是采用具有更高电子迁移率的碳纳米管。然而,迄今为止,研究人员一直无法完善把纳米级碳管制作在芯片上正确位置的方法。现在,有一个研究小组认为他们找到了解决问题的答案。最近,斯坦福大学与东芝公司合作,设计了全球第一个采用纳米管作为互连的CMOS电路,该电路在T......
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本文链接:采用碳纳米管互连的首颗1GHz芯片面世
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