EDA/IP/IC设计
[摘要提示] 65nm及以下节点的可制造性设计(DFM) 问题正变得越来越关键,其原因在于,随着芯片关键结构尺度的不断缩微,相同的绝对物理变异可能导致相对较大的电气变异。在65nm及以下节点,光刻效应成为制造性变异的最大因素。37页表示的是芯片中心的一个门。由GDSII表述的该逻辑门的几何形状轮廓显示在左边(红轮廓线代表硅片中的扩散区,而四个绿色矩形反映的是伴随......
请登录或注册网站阅读全文>>
|
已经注册? 登录阅览全部精彩内容
|
本文链接:应对65nm时代的可制造性设计挑战
http://www.eet-china.com/ART_8800512033_480101_TA_be249ee2.HTM评论最多文章
- 你想也没想到的ARM十大客户! ( 13 )
- 工程师博客:三支IC股票揭开中国电子产... ( 12 )
- 观点:以CFL取代白炽灯泡就无虞了吗? ( 11 )
- 日本研究机构新构造硅太阳能电池发电量... ( 10 )
- 超级电池:工程界将诞生的下一个伟大胜... ( 10 )
- 2012年,你还会来印度卖中国手机么? ( 9 )
- 苹果是否过气了? ( 9 )
- 华为纤薄智能手机Ascent艳惊美国CES ( 7 )
- 苹果本月将发布什么?猜对有奖! ( 6 )
- 谁才是具有“真才实料”的真正工程师? ( 5 )
经典电子创意设计欣赏
|
网友推荐相关文章
- 具有变化意识的实用DFM设计方法 (2008-03-11)
- 一种平衡的芯片优化方法 (2007-08-14)
- 业界呼吁采用标准化版图单元的DFM方法 (2006-11-22)
- 可制造性设计中的良率分析 (2006-11-07)
- 新方案为EDA工具提供DFM视图,减少流程变更 (2006-09-11)
专题策划
半导体高层视点
2012 CES专区
编辑观察
| 热门 | 经典 | 文章 | 论坛 | 博客 |
IIC China 2012.2.23-25 深圳会展中心
![]() 预先注册, 独享获奖先机! |
研讨会热点 展商动态 |
热门EE小组
PCB讨论组
|
传感技术应用小组
|
运算放大器
射频工程师俱乐部
|
ZigBee
|
交流伺服系统
职业发展讨论
|
Android智能手机
|
E群做IC的人
Altium Designer(protel)学习小组
|
IC Designers
EMC设计小组
|
Linux讨论组
|
更多






















(您将以游客身份发表,请登录 | 注册)