Global Sources
电子工程专辑
 MCU DSP 智能手机          电子技术资料下载                   
电子工程专辑 > 业界新闻 > 缓冲/存储技术 > 正文
 
缓冲/存储技术  

IBM宣布成功研发出22nm SRAM

上网日期: 2008年08月22日  打印版 订阅

关键字: SRAM  22nm  high-K 

[摘要提示] IBM和其开发合作伙伴AMD、飞思卡尔、意法半导体、东芝、纳米科学与工程学院(CNSE)共同开发出全球首款采用22nm生产工艺的SRAM芯片。SRAM芯片是半导体产业试验新工艺的第一步,是高性能存储器和复杂逻辑电路(如微处理器)的基础。这款22nm SRAM采用传统的六晶体管设计,面积仅为0.1平方微米。目前商用最领先的生产工艺是45-nm。IBM和其合作伙伴正在着手研......
请登录或注册网站阅读全文>>
 

本文链接:IBM宣布成功研发出22nm SRAM

http://www.eet-china.com/ART_8800540718_626963_NT_9e279c3d.HTM
我来评论 - IBM宣布成功研发出22nm SRAM
评论:
*  您还能输入[0]字
验证码:


 
2011电子产业征战风云
 
 

2011年12月《绿色能源特刊》

本期《绿色能源特刊》围绕发展新能源产业、新能源汽车、节能产业的出发点,透视十二五元年,绿色能源表现,同时介绍在电源节能设计中的技术创新及趋势,聚焦新材料研究进展与智能电表市场的最新动向,为实现高效节能提供技术参考。

 

 

 

上周热点文章排行榜(01.30~02.03) 论坛热贴 热门博文           



热门 经典 文章 论坛 博客
Rf    Nfc    mcu    dsp    变频器    安捷伦    rohs    pfc    mems    labview    ee    石墨烯    嵌入式    电解电容    lvds    igbt    soc    pwm    ofdm    eda    dac    智能电网    深圳单片机开发    电子工程专辑    stm32    rs485    iptv    hdd    emi    asic    以太网    无线充电    平板电脑    单片机    poe    ldo    h.264    esd    arm   
 

返回页首