Global Sources
电子工程专辑
 MCU DSP 智能手机          电子技术资料下载                   
电子工程专辑 > 业界新闻 > EDA/IP/IC设计 > 正文
 
EDA/IP/IC设计  

安华高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表现

上网日期: 2008年08月26日  打印版 订阅

关键字: 40nm  SerDes  SFI 

[摘要提示] Avago Technologies(安华高科技)日前宣布,已经在40nm CMOS工艺技术上取得20 Gbps的SerDes性能表现。延续嵌入式SerDes应用长久以来的领导地位,Avago的40nm内核为公司第七代高性能SerDes IP,而SerDes的出货总通道数也已经超过了六千万。Avago在提供高可靠度且高性能的ASIC产品上拥有辉煌的纪录,目前又在TSMC的40nm CMOS工艺上取得达成高达20 Gbps的SerD......
请登录或注册网站阅读全文>>
 

本文链接:安华高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表现

http://www.eet-china.com/ART_8800541135_480101_NT_cb36b43c.HTM
我来评论 - 安华高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbp...
评论:
*  您还能输入[0]字
验证码:


 
2011电子产业征战风云
 
 

2011年12月《绿色能源特刊》

本期《绿色能源特刊》围绕发展新能源产业、新能源汽车、节能产业的出发点,透视十二五元年,绿色能源表现,同时介绍在电源节能设计中的技术创新及趋势,聚焦新材料研究进展与智能电表市场的最新动向,为实现高效节能提供技术参考。

 

 

 

上周热点文章排行榜(01.30~02.03) 论坛热贴 热门博文           



热门 经典 文章 论坛 博客
Rf    Nfc    mcu    dsp    变频器    安捷伦    rohs    pfc    mems    labview    ee    石墨烯    嵌入式    电解电容    lvds    igbt    soc    pwm    ofdm    eda    dac    智能电网    深圳单片机开发    电子工程专辑    stm32    rs485    iptv    hdd    emi    asic    以太网    无线充电    平板电脑    单片机    poe    ldo    h.264    esd    arm   
 

返回页首