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放大/调整/转换

如何提高低静态电流LDO的负载瞬变响应性能

上网日期: 2008年10月08日

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关键字： LDO 负载瞬变响应静态电流

[摘要提示] 　试验结果　推荐的LDO稳压器电路采用0.5微米的CMOS工艺制造，占用面积为0.28mm2。　表1列出了测量结果，其中最大电流消耗为20μA。经过进一步优化能使电流消耗更低，但是芯片的面积会增大，从而对负载变化的反应变慢，并对LDO稳压器的其他主要参数带来不利影响。表1：推荐LDO稳压器的主要参数。　图9为测量所得的负载瞬变响应曲线。其中负载在1μs内......

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什么是LDO？
什么是 LDO? LDO 是一种线性稳压器。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下 100mV 之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的 LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为 PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为 200mV 左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为 2V 左右。负输出 LDO 使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。

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