NXP最新研究成果亮相IEDM，1.1GHz压阻MEMS谐振器横空出世！
作者： Nicolas Mokhoff

NXP半导体的研究人员描述了一种他们称之为可论证，可升级的硅材料压阻MEMS谐振器并且有记录可以工作在1.1GHz下。该小组设计出了静电场激发硅谐振器的一种新颖的变频方案，其中利用硅的压阻效应来探测机械运动，这是该项目组出席国际电子设备会议上透露的。

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