中国扩张半导体产业,被视为重点项目的内存可能再出现新局,统筹中国内存产业发展的武汉新芯将与紫光集团携手合作,且现在不只获飞索半导体(Spansion)在 3D NAND Flash 的技术授权,还可能得到大腕美光(Micron)的协助。

双方各有强项,整合出内存中国国家队

据台湾媒体消息,中国武汉新芯将与紫光集团将联手,共同发展内存。武汉新芯已经有两万片的 12 寸厂规模,加上新厂已经开始动工,适合作为生产的基地,节省紫光从头开始的时间,也间接克服紫光也没有半导体制造人才团队的问题。 紫光集团旗下的紫光国芯,去年八月取得中国唯一的 DRAM IC 设计公司西安华芯控股权。加上紫光集团的资金募集、活动力惊人,也有华亚科前董事长高启全助力。 紫光与武汉新芯的整合,不仅在生产团队、既有半导体厂基础、IC 设计团队、民间资金、国家基金都产生更大的实力。也加大了跟技术授权来源美光的谈判优势。

Flash2016Q1 ▲Nand Flash 市占率图(Source:DRAMeXchange)

将华亚科模式套用在 NAND Flash 上

更进一步地,传闻中国方已与内存大厂美光(Micron)洽谈技术合作事宜,武汉新芯与紫光获有机会取得美光在 NAND Flash 的技术授权。由中国提供资金建厂,美光授权技术,以华亚科模式进行生产 NAND Flash! 所谓的华亚科模式,就是美光提供生产技术,合作方股东出大量资金建厂。美光可以在不出钱的情况下,取得技术授权金与分享产能的回馈。

DRAM 还是 Flash?

以美光而言,选择技术授权 Nand Flash 而非 DRAM 会是合理的方案。

一、美光也会想维持 DRAM 寡占格局,以及市场无需大量新产能

DRAM 长期以来供过于求的市况近期终于转佳,各家大厂在寡占格局下,试图维持平衡不贸然扩产,为免重启流血价格战。

__二、NAND Flash需求仍快速增长,有扩产需要 __

在 SSD 需求高涨下,NAND Flash、尤其是下一世代主流 3D NAND Flash 尚处快速长步阶段。市场未来仍然需要新产能与更多的产出。包含三星、东芝、SK 海力士都在扩充 3D NAND Flash 的产量。透过技术授权,除了能取得一定的授权金,美光也能取得更多的产能维持自家的市占率与研发基础。 ssd-peneration-2016 ▲SSD 在 PC 渗透图(Source:Nomura Securities)

__三、美光技术、资金实力皆须藉助外力 __

美光的 NAND Flash、DRAM 技术、产能,事实上现在在内存产业都属于落后班。虽然以最近他的约当现金来看有 46 亿美金之多,但是后面一年的营运预估约当现金会降到 30 亿美金的水位。距离他的历史低位不远,也没有额外的能力扩厂。

2016-07-01 212033 ▲NAND Flash 厂营业利润率(Source:Nomura)

尤其在三星、Toshiba、SK Hynix 都在积极转进 3D NAND Flash,也在扩产时。美光的落后状态对于未来相当不利。这时有愿意提供无风险华亚科模式的 Flash 厂,就犹如天上掉下来的礼物了。 武汉新芯为中国政府选定统筹国家整体内存产业发展的根据地,日前位于武汉东湖高新区的厂区正式动土,其所规划产能到 2030 年高达 100 万片,一开始就锁定 3D NAND Flash,目标追上与内存大厂之间的距离,然目前武汉新芯仅取得飞索半导体(Spansion)的技术授权,据悉,Spansion 实验室产品堆叠尚在 8 层、10 层左右,估计 2017 年量产 32 层堆叠产品,然目前堆叠技术已来到 48 层,以目前技术要能追上各家大厂实有一定难度。倘若获美光的技术支持,或有一线转机。

高层人士将异动

由于两个集团在 NAND Flash 上的合作,资金庞大、团队人数高,并且有高难度的涉外谈判。因此领导体系,必需有明确的指挥。因此也传出紫光集团董事长赵伟国、大基金总经理丁文武可能扮演重要角色,而新芯董事长杨士宁等可能有异动。不过因为背后的政治系统复杂,仍有许多变数。

对台湾、内存产业的影响

紫光加武汉新芯的内存国家队在与美光的谈判中,NAND Flash 会是首先的要角。至于后续的 DRAM,或是入股美光的可能性也都触及。不过由于美国也正在进入史上最敏感的总统大选,未来政治走向如何? 产业、美光也都战战兢兢的在观望。存在的变数甚多。 如果第一步仅是 NAND Flash 对中国的技术授权、生产,那麽对华亚科、南科的冲击将不大。不过由于后续在晶圆厂量产时,台湾有经验的工程师能提供的助益甚大。因为高端半导体人才的流失问题值得产业以及政府重视。

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