今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光(Micron)公司,他们本周一正式收购了台塑旗下存储厂华亚科公司,内存业务如虎添翼,而闪存方面,美光也公布了两个好消息——该公司的 3D NAND 闪存产能日前正式超过 2D NAND 闪存,其中,包括第 1 代 3D NAND 闪存的成本也符合预期。此外,堆叠层数达到 64 层的第 2 代 3D NAND 闪存也在已经准备完成,预计将在 2016 年底要正式大规模量产。

根据外媒报导,美光公司首席财务官 Ernie Maddock 在 15 日参加巴克莱银行全球技术、媒体及通讯大会上表示,该公司的 3D NAND 闪存产能与 2D NAND 闪存产能已经来到交叉点上。也就是说,3D NAND 闪存的产能,以容量计算,将要超过 2D NAND 闪存。 micron-3d-nand-2 此外,Ernie Maddock 还表示,美光的第 1 代 3D NAND 闪存在降低生产成本上已经达到预期目标。由于,美光在 2016 年上半年的发展路线上曾指出,未来预计 3D NAND 闪存的成本,将要比 2D NAND 降低至少 20% 左右。如今,已经实现降低 20% 到 25% 的成本。这样的情况,对于未来将开始在新加坡 Fab 10X 晶圆厂大规模量产来说,有着其正面的帮助。 micron-3d-nand-1 目前市场上许多固态硬盘 (SSD) 都已经转向 3D NAND 闪存。因为,不论是性能,还是容量,或者是使用寿命,3D NAND 闪存都要比传统 2D NAND 闪存好得多。而且,厂商也会借此来降低生产成本,以提高产量。就美光为例,其所生产的 2D NAND 闪存,主力是 16 纳米制程的产品,MLC/TLC 闪存的核心容量不过 128Gb。但是,借由 3D NAND 技术的 MLC 闪存核心容量就有 256Gb,TLC 更是达到 384Gb,大大优于 2D NAND 闪存。

事实上,在转向 3D NAND 生产方面,实力最强的仍以韩国三星领先,东芝 (Toshiba)/ Sandisk 与 SK 海力士其次,英特尔 (Intel) 和美光的动作算是比较慢的了。不过,一旦 3D NAND 闪存开始量产,由于容量先天性的优势,产能超过 2D NAND 闪存将是迟早的事。

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