全球内存龙头三星电子传出将进行DRAM扩产计划,受心理层面影响,恐让下半年DRAM涨势止歇。不过业界认为,由于建厂时间还要两年,难解今年缺货窘境。加上三星新厂用途未定,不确定要生产 DRAM或是系统半导体,所以当前任何试图影响供应链的言论都不足以采信。

新产线用来生产什么芯片?是个秘密

韩媒 BusinessKorea 表示,三星决定斥资10 兆韩元(约87亿美元),扩充南韩华城厂DRAM产能。 三星表示,新产线约需两年时间建造,将视研发进度和工艺转换良率,生产18nm或更先进工艺的DRAM。

然而韩国先驱报说法不同,先驱报称,半导体界透露,三星正在评估年度投资计划,有意在韩国华城(Hwaseong)的 17 号厂内部增加产线,并在 17 号厂旁边另盖新工厂。外界对于新产能用途看法不一,有人认为三星会增产DRAM、也有人说要生产系统半导体。

半导体市场变化快速,新厂生产商品常到落成时才拍板定案。 以三星华城厂 17 号线为例,此一产线原本设计为制造系统半导体,但是后来两度扩建,改用于生产DRAM 和 3D NAND。 三星 2014 年宣布兴建韩国平泽厂(Pyeongtaek),生产 3D NAND,但是直到今年下半平泽厂才放量生产,距离宣布时间相隔 3 年。SK 海力士 2014 年宣布增加 DRAM 产能,对市场供需也影响不大。2015 年、2016 年上半,PC 需求不振,才是 DRAM 供需失衡的主因。

不过据韩国当地一家IT出版物ETNews报道,三星最近订购了用于制造10nm系统LSI芯片的新设备。报道说,“新设备预计最早将从下个月开始安装,到6月完成。

三星发言人也表示,目前为时过早,无法确认投资计划和新产线用途,详细内容敲定后,会在本月底或 4 月初宣布。有人猜测,17 厂内部的新增产线可能用于生产 10 纳米系统芯片、新工厂则生产 7 纳米系统芯片。

今年的DRAM市场不容动摇

三星扩产对象还不明朗,就算三星真的扩产 DRAM,Susquehanna Financial Group 的 Mehdi Hosseini 信心喊话,指出光是扩产宣言不至于动摇市场,需求才是观察重点。

对于今年DRAM供需,稍早包括南亚科总经理李培瑛、创见董事长束崇万,及威刚董事长长陈立白都表示,今年DRAM因主要供应大厂将产能挪移生产储存型闪存(NAND Flash),且只做DRAM 工艺升级,未见扩大资本支出增产,加上DRAM市场除个人计算机外,在各类智能设备,如车用、电视、家庭自动化、网络、服务器以及移动装置等普遍使用, 让供给缺口浮现。

三星电子发言人说,三星 DRAM 的毛利率超过 45%,尽管三星产品售价高,但是由于质量出众,优于竞争对手,在市场供不应求。 三星是内存霸主,去年在全球 DRAM 市占高达 48%。

集邦统计,首季除利基型DRAM涨幅在10~15%外,其余包括标准型DRAM、服务器DRAM、移动DRAM等,涨幅都在20~35%不等,并在淡季写下单季历史最大涨幅。 预估第2季DRAM合约价仍会续涨,涨幅虽收敛,但也会逾一成。 三星决定增产DRAM,内存模块业界表示,这一波DRAM上涨是由三星领军,使价格回到合理的利润,预料不至于杀价抢市场份额。

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