近日见到一文“7nm大战在即买不到EUV光刻机的大陆厂商怎么办?”。

受“瓦圣纳条约“的限制,今天中国即便有钱想买EUV光刻机也不可能,此话是事实,不是危言耸听。但是也不必担心,因为只有工艺达到7纳米及以下时才会使用EUV光刻机。

对于这样的现状,首先心态要放正确。西方继续压制中国半导体业的进步,这个政策在相当长时间内还会持续下去。

然而时代在改变,双方都有一定的依赖性,因此是一场力量的博弈。如果自身缺乏足够强大的力量,那就会丧失争辩的余地。

芯片设计业走在前列

现阶段中国的IC设计业肯定走在前列,如海思的Kirin 970,它将是华为第一款采用10 纳米工艺技术的手机芯片,而且将继续由晶圆代工龙头台积电来进行代工,预计将可能在 2017 年底前问世。所以从中国的芯片设计业角度,一定需要去思考7纳米及以下的进程。

另外从IC研发角度,对于7纳米及以下的工艺工艺,由于周期很长,现在起步也很有必要,但是研发与量产是两个不同的阶段,差异很大,也并非一定要用EUV光刻,用电子束光刻也同样可以。电子束光刻的问题不是精度不够,而是速度太慢,每小时才10片硅片左右。

但是现阶段中国芯片制造业的龙头企业中芯国际的量产工艺能力是28纳米,几乎差了三代。因此假设有一天台积电不替海思代工,而海思也找不到其它的候补者,如三星,英特尔,或者格罗方德等,那么情况是严峻的,但也并不可怕,或许反而会促进中芯国际等加倍的努力。

研发与制造不一样

仅从IC研发角度,中国半导体业从理论上至少要提前量产水平的两代或者以上,决定于有经费的支持,及具备有相应的人才条件等。

然而对于建造芯片制造生产线,它由市场,技术及人才与竞争对手等条件来决定,需要作市场可行性的论证。

显然还有一个最关键的因素,建一条7纳米芯片生产线,月产能40,000片大约需要近80亿美元,如果考量它的投资回报率ROI,此等决定要非常的谨慎。

因此,未来中国半导体业的发展,从研发角度,10纳米、7纳米等都可以也应该提早布局,然而对于兴建芯片生产线,至少在近时期內,可能14纳米工艺工艺是一个务实的目标。

要争气,要迅速的自强

现阶段中国半导体业的发展要作好两手的准备:

一个方面是继续改革开放,引进先进工艺技术与加强研发,力求共同发展与共享成果; 另一方面是要作好“万一”发生时的各种应对“预案”。

任何时候要树立足够的信心,回顾上世纪70-80年代,西方实行严格的禁运策略,更多的半导体设备都不允许进入中国,可那时的中国半导体业不仅没有趴下,反而取得不少的成绩。

现在的时代己经改变,“你中有我,我中有你”与“合则双赢,斗则双输”,这个道理其实是双方都心知肚明,关键是中国半导体业要争气,要迅速的自强,否则很难赶上。

西方的策略也不再是铁板一块,如近期展讯的手机芯片在英特尔代工,采用先进的14纳米工艺平台,下一阶段在它的Zane Ball的工艺图谱上还包括10纳米及7纳米工艺。

总之,按照中国芯片制造业的现状,离7纳米工艺量产可能尚有些远。而且EUV光刻的配套设备与材料也十分复杂,包括光源,光刻胶,掩膜(mask),中间掩膜(reticle),及缺陷检查仪等。

因此可以说花1亿美元马上去购买1台EUV光刻机,可能并非完全有必要,而且它的耗电量也十分惊人。

事情总是“有所为,有所不为”,在许多情况下“什么事不为”往往是很难下决心。现阶段对于中国的芯片制造业最紧迫的任务是扩大28纳米的全球市占率,以及加速14纳米与以下工艺的研发进程。

如果真到那个时刻,中国的IC设计芯片找不到地方可以代工,恐怕“坏事会变成好事”,会更加促进如中芯国际等公司的急起直追。

虽然“资本与技术两个轮子”推动着中国半导体业的进步,但是现阶段明显是技术轮子要小很多,而资本的轮子大,也表示孕育着更大的风险。

所以“有所为,有所不为”的策略选择,尤其是要迅速的加大技术轮子的力度,加强研发的进程,对于中国半导体业的发展是格外的迫不及待。

EETC wechat barcode


关注最前沿的电子设计资讯,请关注“电子工程专辑微信公众号”。