可控硅在断态时的误触发是在实际应用中让广大用户苦恼的问题, 超出最大断开电压变化率dVD/dt 和超出截止状态下反复电压峰值VDRM 是实际应用中造成可控硅误触发的主要原因之一。日常使用中,因为市电中的噪声影响,尤其是在电器开关的过程中,常常会发生很短时间过压的现象,造成可控硅的误触发导致器件损坏。

瑞能半导体,作为可控硅器件的领导厂商,一直致力于开发出性能更卓越,更加可靠的产品。基于其先进的平面工艺,推出了一系列带钳位电压功能的双向可控硅产品:

• AC Thyristors (ACT)

• AC Thyristor Triacs (ACTT)

ACT 和ACTT能够在交流回路中存在过压噪声的情况下,将电压钳位于其能够承受的范围以内,噪声的能量将会转化为热量耗散掉,使其不会因为过压而导致误触发。

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ACT/ACTT 作为抗噪声性能卓越的交流开关,部分产品在150℃下达到了1000V/μs 的业界最高的dVD/dt能力,大大增强了整个系统的抗噪声能力。此外该系列产品通过了IEC61000-4-5 雷击浪涌测试,正反向能够承受2000V-2500V的尖峰电压。

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瑞能半导体拥有丰富的ACT/ACTT的系列,产品覆盖电流IT(RMS) 从0.2A-16A, 电压VDRM 600V-800V,以及多种的封装形式,并且大部分的产品达到Tj(max) 150℃的高结温要求,能够给客户提供多种选择。

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瑞能半导体正在持续开发更多的ACT/ACTT系列产品,最新推出的ACTT2W-800ETN, 是第一颗SOT223 封装,ITRMS 2A, 150度结温, 并且带钳位电压功能的双向可控硅,出色的动态性能和浪涌能力,以及小尺寸的封装能给工程师带来最好的设计选择。与此同时,瑞能半导体还将携同系列产品及应用亮相今年10月在上海新国际博览中心举行的IC China展会,欢迎合作客户及业界同仁届时前去参观交流!